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Everspin宣佈簽署一份925萬美元的合同，為戰略輻射計硬化eMRAm宏提供MRAM技術

Everspin PERSYST MRAM技術將用於發展航空航天電子產品的國內生產

美國亞利桑那州錢德勒--（商業新聞電）--2024年8月14日-- Everspin Technologies, Inc.（NASDAQ:MRAM）是世界領先的磁電阻隨機存取存儲器（MRAM）持久性存儲解決方案的開發者和製造商，今天宣佈與Frontgrade Technologies簽署了一項新的戰略合同。根據合同，Everspin將為Frontgrade提供其創新的PERSYSt MRAm技術、邏輯設計和後端製造服務，以推進Frontgrade未來產品中使用的戰略輻射計硬化（SRH）高可靠性eMRAm宏的開發和演示。 “Everspin很高興能與Frontgrade合作開發定製的輻射硬化自旋轉移扭矩MRAm程序，”Everspin Technologies的總裁技術和首席執行官Sanjeev Aggarwal説。“延續我們十年的合作關係到下一代MRAm，這個項目將擴大MRAM的使用和可用性，以滿足更多國防和航空航天輻射硬化用例的需求。” 使用Everspin PERSYSt MRAM技術、邏輯設計和後端製造服務推進Frontgrade未來產品中使用的戰略輻射計硬化（SRH）高可靠性eMRAm宏的開發和演示。

該計劃支持當前和未來國防部（DoD）戰略和商業空間系統的要求。它將使用明尼蘇達州布盧明頓的Skywater RH90 CMOS和亞利桑那州錢德勒的Everspin MRAm工藝進行製造。該合同允許Everspin Technologies在多年內合計總計高達925萬美元的階段。與Everspin Technologies的當前階段價值約為125萬美元。在此階段成功表現的情況下，並由美國政府自行決定，合同允許授予未來的可選階段。

關於Everspin Technologies

Everspin Technologies, Inc.，是世界領先的磁電阻式隨機存取記憶體（MRAM）提供商。 Everspin MRAm為工業物聯網、數據中心和其他數據持久性至關重要的使命關鍵型應用程序提供行業最健壯、性能最高、非易失性存儲器。總部位於亞利桑那州錢德勒，Everspin向一個龐大而多樣化的客户羣提供商業可用的MRAm解決方案。有關更多信息，請訪問www.everspin.com。

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來源：everspin technologies