附錄 99.6

DUV 產品和商業機會 Ron Kool 業務線執行副總裁 DUV ASML ASML 閒聊 2021 年投資者日虛擬版

DUV 產品和商機關鍵信息幻燈片 2021 年 9 月 29 日 DUV 需求創歷史新高，在高級和成熟細分市場的推動下，預計在可預見的將來將保持強勁勢頭。高級邏輯和存儲器市場的技術創新將繼續進行；我們將路線圖擴展到所有 波長，在 NXT 平臺上提高性能和生產力，以支持該行業的成本和能效擴展。成熟市場包括更多摩爾應用程序通過以下方式提供了增長機會在 XT 產品組合的基礎上，結合滿足功率設備、傳感器等細分市場特定要求的解決方案。為了優化客户的安裝基礎，人們越來越關注 的增值服務以及生產力和性能升級的結合

市場高級邏輯和存儲器成熟的邏輯和模擬節點，以及更多市場安裝量 Public

在強勁的市場、流程複雜性的增加和 裝機量增長的推動下，DUV 業務前景顯著改善幻燈片 4 2021 年 9 月 29 日 2018 年 DUV 裝機量 20% DUV 裝機量 50% 2025 年 50% 80% 系統 DUV 系統在 2018 年，我們的預測假設由於採用 EUV，浸入式需求將減少，市場增長與 歷史趨勢一致

DUV 業務前景顯著改善受強勁的市場、流程複雜性的增加和 裝機量增長的推動，幻燈片 5 2021 年 9 月 29 日 2021 年 DUV 裝機量 30% 25% 2025 年 70% 75% DUV 系統 DUV 系統驅動因素包括技術創新、流程複雜性的增加導致所有 波長需求增加，以及裝機數量的增長公開

DUV 涉及多個細分市場專業存儲器 Slide 6 MATURE LOGIC 2021 年 9 月 29 日 300 mm 300 mm 200 mm 細分邏輯 300 mm 模擬 前端應用更多摩爾特殊應用成熟 300 mm 多於摩爾分段 200 mm 高級功率 300 mm (³ 40 納米) MPU 段 150 mm (28 nm) 非光學傳感器 EUV 300 mm 光學 arFi 傳感器 DRAM Arf 300 mm KrF 300 mm ADVAND 高級版 I-Line Pack G NAND 來源：ASML Public

通過技術投射光刻層數增加在 DUV 和 EUV 的推動下，光刻層數增加 Slide 7 IR 2021 年 9 月 krF 邏輯層堆棧 5 nm 3 nm 2 nm ~1.5 nm 1 nm kRF DRAM EUV High-na Layer 堆棧 1A 1B 1C 0A 0B EUV DUV KrF 3D-NAND Layer 堆棧 176L 2xxL 4xxL 5xxL 2021 ~2030 來源：ASML Public

我們的終端市場越來越相互依存需要完整的解決方案組合幻燈片 8 9月29日 2021 EUV 150 mm arFi ANALOG 200 mm Arf LNA 功率分集中/高光學 130 nm 傳感器 180 nm krF LOGIC 150 mm 光圈調諧器非光學 I 線傳感器 45 nm 5 nm LOGIC 180 nm 公共的

支持所有細分市場的 DUV 產品組合幻燈片 2021 年 9 月 29 日波長 NA，2021 年 2022 2023 2024 2025 nxt: 2000i nxt: 2050i nxt: 2100i Next critical 2.0 nm | 275wph 1.3 nm | 295wph Arfi 1.35 nm，38 nm nxt:1980DI: 1980Fi 中臨界 2.5 nm | 275wph 2.5 nm | 295wph 2.5 nm | 330wph XT: 1460K XT 5 nm | 205wph 或 7.5 nm| 228wph Arf 0.93 NA，57 nm NXT: 1060K + P 5 nm | 205wph 5 nm | 220wph XT: 860M XT: 860N KrF XT: 860N KrF XT 7 nm** | 240250wph 7.5 nm | 260wph 0.80NA,110 nm NXT: 870 NEXT NXT 7.5 nm | 330wph i-line 0.65 NA，220 nm XT: 400L XT: 400M NEXT 20 nm** | 230wph 20 nm** | 250wph 27% 30% 34% 5% 產品：配對機器疊加 (nm) |吞吐量 (wph) 95% 66% 70% 產品狀態已發佈開發定義 **晶圓內場公開

NXT 過渡顯著提高了 Krf 和 ArF 的生產率幻燈片 2021 年 9 月 29 日幻燈片 27% 每隔 260 個晶圓 330 小時 Krf XT: 860N NXT: 870 2021 年 2022 小時每 300 個晶片 46% 205 arF NXT: 1470 第一個顯示 >300wph 的光刻系統 XT: 1470

我們將通過提高工廠產量和掃描儀生產率來支持客户的晶圓需求幻燈片 11 2021 年 9 月 29 日 (wph) lity 約 1.7 倍增長但可以產出生產率降低生產率 ctur manufa manufa manufa ML 系統 AS x 能力系統 2019 年 2020 年 ArFi

市場高級邏輯和存儲器成熟的邏輯和模擬節點，以及 More than Moore markets 已安裝基礎公共

NXT: 2050i 在客户批量生產中疊加效果提高 20%，可靠性和生產率更高 ramp-up Slide 13 2021 年 9 月 29 日 nxt: 2050i 配對機器專用卡盤疊加層 ~1.2 nm 疊加層 18 天內每天 5,000 片 200 個 180 小時可靠性 180 5000 nxt: 2050i nxt: 2050i 160 更快的上升速度 140 每 120（小時）4000 100 晶圓 MTBI 80 2000 40 1000 0 0 0 1 3 5 6 7 8 9 10 11 12 14 16 17 18 19 20 22 23 nxt:2000i 1 2 3 4 5 6 7 8 10 11 12 14 16 17 18 19 完成安裝幾周後 Public nxt: 2050I

與典型的 DRAM 應用相比，nxt: 2100i 在產品疊加層方面的進步為 20% 幻燈片 2021 年 9 月 29 日光圈處理器調理速度更快且更低 標線對標線温度變化投影光學改進鏡頭和交叉匹配晶圓臺控制 改進疊加效果和壽命改進 2D 標線舞臺網格校準 12 種顏色減少掩模負荷誤差的影響 65 個標記、小標記，結合疊加布局光學傳感器改進掃描儀改進 攝像頭和熱計量軟件調節改進疊加層的設置複製 nxt: 2100i 吞吐量 ³295wph 生產力 MMO £1.3nm 疊加在 產品疊加層 1.4nm (DRAM) 公共版

NXT 平臺減少了資本投資，晶圓廠空間 NXT 每月啟動 10 萬個晶圓 幻燈片 2021 年 9 月 29 日幻燈片：100 kwspm 5 arF（幹）20 krF 層 172m² 5 x XT: 1460K（205wph）140m² 4 x NXT: 1470（300wph）ArF（幹）482m² 14 x XT: 860N (260wph) 421m² 12 x NXT: 870 (330wph) krF 總計 654m² 561m² Public

市場高級邏輯和存儲器成熟的邏輯和模擬節點，以及 More than Moore markets 安裝基礎公共

我們支持成熟的邏輯和模擬節點的增長，使相同的 工藝能力的生產率提高了約30％ 幻燈片 2021 年 9 月 29 日幻燈片 350 nxt: 1980Fi 300 XT: 860N XT: 400M 250 XT: 1460B hour 200 XT: 860B 每個 XT: 1450H Wafers 150 100 50 NXT XT 0 2023 2013 2023 2013 2023 2013 2023 ArFi Arf Krf I-Line 公開

成熟市場：差異化應用空間在現有的 和新幻燈片 2021 年 9 月 29 日應用的推動下，預計短期和長期將實現強勁增長基底襯底模擬成熟的光學非光學功率尺寸 [mm]厚度 [µm]邏輯傳感器厚度 300 mm 標準 (775) 硅硅硅硅薄玻璃厚鋁氮化鎵上硅 200 mm 標準 (725) 硅硅硅薄玻璃陶瓷碳化硅厚 150 mm 標準 (675) Si SiGe SOI Si陶瓷薄砷化鎵材料：硅，AlTiC：鋁鈦-碳，氮化鎵，硅鍺，碳化硅：硅 碳化物，SOI：絕緣體上的硅，GaAs：公共砷化鎵

XT 平臺不僅支持摩爾市場，還提供特定應用校準和晶圓處理 選項幻燈片 2021 年 9 月 29 日 XT 平臺：ArF、KrF、 i-line 晶圓處理選項對齊選項晶圓尺寸：150/200/300 mm 通過玻璃對齊晶圓厚度：0.31.5 mm 背面對準 材料：硅、硅上的氮化鎵、Smash 延伸至 200 mm 玻璃、陶瓷功率光學非 Opt 傳感器傳感器翹曲晶片台流量和凹槽間距有多種基板（厚度）變化的設備公共

市場高級邏輯和存儲器成熟的邏輯和模擬節點，以及 More than Moore markets 已安裝基礎公共

2020 年，超過 1,000 個系統暴露超過 100 萬個晶圓 16 個系統每年暴露超過 200 萬個 300 毫米晶圓幻燈片 2021 年 9 月 29 日幻燈片 > 1.000.000 1.057 > 1.500.000 341 年每年 862 晶圓每年 862 晶圓每年 862 235 579 380 126 316 268 47 45 30 2 5 12 13 14 15 16 17 18 19 20 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 11 12 13 14 15 17 18 19 20 Foundry Memory

裝機生產率提高每日晶圓生產率的機會幻燈片 2021 年 9 月 22 日增強 封裝每日晶圓服務以最短的交貨時間和投資擴大晶圓廠產能公開

DUV 沉浸式升級路線圖系統節點擴展包生產力包幻燈片 23 系統 模塊化為客户創造了晶圓廠的靈活性正在研究中 2021 年 9 月 29 日匹配的 190wph 230wph 250wph 275wph 295wph 330wph 機器疊加層 nxt:1950i 5.5 nm nxt:1965Ci 4.5 nm nxt:1970Ci 3.5 nmxt:1970CI 3.5 nmxt:1970Ci 3.5 nxtci: 1980di nxt: 1980EI nxt: 1980Fi 2.5 nm nxt: 2000i 2.0 nm nxt: 2050i 1.5 nm nxt: 2100i 1.3 nm Public

服務和升級延長了工具的價值和壽命延長 NXT 掃描儀壽命內的主要升級幻燈片 2021 年 9 月 24 日系統服務升級 PEP 軟件示例：nxt: 1960BI SNEP UVLS 升級收入系統收入 2009 2011 2012 2013 2014 2016 2017 2019 2022 2024 2025 2026 2027 2028 2028 2031 2033 2034 2036 2037 2037 2037 2037 2037 2037 2037 2037 2037 2037 2037 2037 2037 2037 2037 2037 2037 2037 2037 2037 2037 2037 2037 2037 2037 2037 2037 2038 到期日 LS：紫外線液位傳感器，SNEP：系統節點擴展包，PEP：生產力增強包公開

DUV 產品和商機關鍵信息 2021 年 9 月 25 日幻燈片 DUV 需求創歷史新高，在高級和成熟細分市場的推動下， 有望在可預見的將來保持強勁勢頭。高級邏輯和存儲器市場的技術創新將繼續進行；我們在所有波長上擴展了路線圖，在 NXT 平臺上提高了 的性能和生產力，以支持該行業的成本和能效擴展。成熟市場包括更多摩爾應用程序通過以下方式提供了增長機會在 XT 產品組合的基礎上， 結合滿足功率設備、傳感器等細分市場特定要求的解決方案。為了優化客户的安裝基礎，人們越來越關注增值服務，並將 生產力和性能升級相結合

前瞻性陳述幻燈片 2021 年 9 月 29 日本演示文稿包含 前瞻性陳述，包括有關預期的行業和商業環境趨勢的陳述，包括預期增長、前景和預期財務業績，包括預期的淨銷售額、毛利率、研發成本、銷售和收購成本和 有效税率、2025 年的年度收入機會、2025 年的財務模型以及假設和預期增長率及驅動因素、包括2020-2025年和2020-2030年增長率在內的預期增長，總計穩定的市場，2025 年以後的增長機會 以及光刻、計量和檢測系統的預期年增長率以及裝機羣管理的預期年增長率、到 2030 年的潛在市場的預期趨勢、邏輯和內存 收入機會的預期趨勢、長期增長機會和展望、需求和需求驅動因素的預期趨勢、系統和應用的預期收益和性能、半導體終端市場趨勢、包括預期需求在內的半導體 行業的預期增長成長和未來幾年的資本支出、預期的晶圓需求增長和晶圓產能投資、預期的光刻市場需求和增長與支出、增長機會和驅動力、EUV 和 DUV 需求、銷售、前景、路線圖、機會和產能增長的預期趨勢 以及預期的EUV採用率、盈利能力、可用性、生產率和產量以及估計的晶圓需求和價值改善、 應用業務的預期趨勢、已安裝基礎管理的預期趨勢，包括預期收入和目標利潤率，應用程序業務的預期趨勢和增長機會，對 的預期High-na，對產能的提高、計劃、戰略和戰略優先事項及方向的預期，增加產能、產量和產量以滿足需求的預期，對 摩爾定律繼續發展的期望，以及摩爾定律的演變、產品、技術和客户路線圖，以及有關資本配置政策、分紅和股票回購的聲明和意向，包括打算繼續 通過股票收購組合向股東返還大量現金的意圖回報並按年計增長有關ESG承諾、可持續發展戰略、目標、舉措和里程碑的分紅和聲明。 通常可以使用諸如可能、將、可能、應該、預測、相信、預期、計劃、 估計、預測、潛力、打算、繼續、目標、未來、進展、目標以及這些詞語或可比詞語的變體等詞語來識別這些陳述。這些 陳述不是歷史事實，而是基於當前對我們業務和未來財務業績的預期、估計、假設和預測，讀者不應過分依賴它們。前瞻性 陳述不能保證未來的表現，涉及許多已知和未知的重大風險和不確定性。這些風險和不確定性包括但不限於經濟狀況；產品需求和半導體設備 行業產能、全球半導體需求和製造產能利用率、半導體終端市場趨勢、總體經濟狀況對消費者信心和對 客户產品需求的影響、我們系統的性能、COVID-19 疫情以及為遏制疫情而採取的措施對全球經濟和金融市場以及 ASML 及其客户的影響 和供應商和其他可能影響ASML銷售額和毛利率的因素，包括客户需求和ASML獲得產品供應的能力、研發計劃和技術進步的成功、新 產品開發的步伐和客户對新產品的接受和需求、產能和我們提高滿足需求的能力的能力、訂購、發貨和確認收入的系統的數量和時間以及訂單 取消或推遲生產的風險我們系統的容量，包括系統延遲的風險生產和供應鏈能力、限制、短缺和中斷、半導體行業的趨勢、我們執行專利 和保護知識產權的能力以及知識產權爭議和訴訟的結果、原材料、關鍵製造設備和合格員工的可用性以及勞動力市場的趨勢、地緣政治因素、 貿易環境；進出口和國家安全法規和命令及其對我們的影響、實現可持續發展目標的能力、匯率和税收的變化利率、可用流動性和流動性需求、我們 債務再融資的能力、可用現金和可分配儲備金以及其他影響股息支付和股票回購的因素、股票回購計劃的結果以及截至2020年12月31日止年度的ASML 20-F表年度報告以及向美國證券交易委員會提交和提交的其他文件中列出的風險因素中指出的其他風險。這些前瞻性陳述僅在本文件發佈之日 作出。除非法律要求，否則我們沒有義務在本報告發布之日之後更新任何前瞻性陳述，也沒有義務使此類陳述與實際業績或修訂後的預期保持一致。公開

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