附錄 99.5

應用產品和商業機會 Jim Koonmen 業務線應用執行副總裁

應用產品和商機關鍵信息幻燈片 2021 年 9 月 29 日應用業務 預計在 2020 年至 2025 年期間將以約 20% 的複合年增長率增長，毛利率強勁。應用產品組合支持 ASML 掃描儀業務，這得益於我們幫助客户最大限度地提高圖案化 性能的獨特能力，推動邊緣定位誤差 (EPE) 的改善提供領先的光學和解決方案 電子束計量和 檢測將 ASML 的完整產品組合集成到整體光刻解決方案中以優化和控制光刻工藝增長的主要驅動力是我們的 EPE 路線圖的擴展：新的 計量、檢測和控制產品擴展了路線圖創新產品結合了計算技術、YieldStar 疊加計量學和電子束 計量硬件和軟件產品支持將 EUV 引入 HVM 深層新應用計算光刻和缺陷檢測方面的學習都得到了改善公演公開

市場和產品路線圖整體光刻技術推動 EPE 電子束檢測的改進

應用領域的增長機會來自關鍵細分市場的技術轉變幻燈片 4 2021 年 9 月 29 日行業驅動力技術轉變分辨率吞吐量 HighResolutio 單光束/光學多波束每十億分的失效檢測測量光學疊加：基於圖像到精度基於衍射的光學和電子束精密光學 疊加：目標設備計量大規模計量電子光束：小視場大視場市場 TAMS 物理模型深度學習計算模型精度矩形自由形掩模圖案光刻計算成本 40B CPU 混合/GPU 計算 3.3B 過渡到 EPE 疊加層/CD EPE 掃描儀和 EUV 向 HVM HVM：DUV DUV + EUV 過程控制軟件高級校正低位高階掃描儀校正 2017 年 2025 年 Public TAM 基於 ASML 對 VLSI 研究和 Gartner 的解釋

計量、檢驗和模式化控制路線圖幻燈片 5 2021 年 9 月 29 日 2020 年 2021 年 2022 2023 2024 ³ 2025 掃描儀接口提高掃描儀驅動力（DUV 和 EUV）、EPE 控制和控制軟件疊加計量快速階段、多波長、計算計量、YieldStar 設備內計量電子束單光束高分辨率、大視場、計量大規模計量、EPE 計量電子束缺陷 多波束、快速和精確階段、高着陸能、引導檢查檢查計算提高模型精度、反向 OPC、光刻機和深度學習、蝕刻模型公開

市場和產品路線圖整體光刻技術推動EPE的改進 電子束檢測

我們的整體產品組合比以往任何時候都更加重要，配備幻燈片 7 號 2021 年 9 月 29 日高級 控制功能 EUV：NXE 和 DUV：XT 和 Exe 平臺 NXT 平臺沉積工具過程窗口預測和控制增強疊加光學近距離校正 CD YieldStar 電子束計算光刻光學計量學和計算計量電子束計量電子束檢測過程窗口 檢測公開

我們的整體產品組合比以往任何時候都更加重要配備 Slide 8 的光刻掃描儀 2021 年 9 月 29 日高級 控制功能 EUV：NXE 和 DUV：XT 和 Exe 平臺 NXT 平臺沉積工具工藝窗口過程窗口預測和控制增強光學近程校正 YieldStar 電子束 計算光刻光學計量學和計算計量電子束測量電子束檢測過程窗口檢測公眾

我們的整體產品組合比以往任何時候都更加重要，配備幻燈片 9 號 2021 年 9 月 29 日高級 控制功能 EUV：NXE 和 DUV：XT 和 Exe 平臺 NXT 平臺沉積工具工藝窗口過程窗口預測和控制增強光學近距離校正 YieldStar 電子束 計算光刻光學計量學和計算計量電子束測量電子束檢測過程窗口檢測公眾

流程中每個步驟均可獲得所有數據使用掃描儀計量、YieldStar、HMI 計量和檢測 優化幻燈片 2021 年 9 月 29 日採樣以實現掃描儀控制，並作為產量代表以加快掃描儀控制 收益時間蝕刻後蝕刻/CMP 蝕刻後計算光刻 蝕刻後光刻蝕刻後電子束光刻計量計量檢測食譜食譜配方數據數據數據 數據虛擬計算平臺 HMI 電子束人機界面電子束整體掃描儀 YieldStar 混合地鐵計量檢測應用程序應用程序應用程序 VCP 應用程序單用户界面、常見功能、控制框架完成每一個步驟 ASML 共享函數和（域）模型分析基礎數據基礎設施設備和自動化集成、 安全、數據解決方案客户通用計算硬件客户公眾

市場和產品路線圖整體光刻技術推動EPE的改進 電子束檢測

減少邊緣放置誤差 (EPE) 是提高產量的關鍵，由於隨機波動，局部 CD 誤差變得越來越重要 幻燈片 2021 年 9 月 29 日 nm 250 邊緣放置誤差 (EPE)：疊加誤差和 CD 均勻性的綜合誤差（全球 EPE 是產量 CDU、局部 CD 錯誤和 OPC 錯誤的最佳預測指標）CD：臨界尺寸，OPC：光學掩膜 近距離校正公開

YieldStar 光刻後和蝕刻後的疊加測量描述工藝錯誤並啟用 精確特徵放置幻燈片 2021 年 9 月 29 日光刻蝕後的光學疊加計量光刻後的光學疊加計量 YS385 YS1385 計量學精確的疊加數據實際 設備上目標上的精確疊加數據校正~800 點 x 4 晶圓每批次光刻疊加控制：蝕刻精煉後 Litho sparse + Public

推動 EPE 的改進需要高保真、快速和準確的計量才能最大限度地提高幻燈片 2021 年 9 月 14 日掃描儀校正能力計量監控控制疊加 YieldStar B 層到 A 層最終雙層 EPE 圖案設計為 >1,000 次測量/晶圓 1000 萬次測量/晶圓 60 分鐘單層 EPE B 層晶圓 HMI epx 計算 EPE 簽名控制軟件 >1000 萬次測量/晶圓 60 分鐘

ASML 掃描儀可提高 EPE 和產量 ASML 掃描儀具有獨特的查找、測量和校正幻燈片 2021 年 9 月 29 日圖案變化 FlexRay 照明器偶數手指劑量灰色濾光片光學 Ce 操縱器 Y Z 光譜台計量階段曝光階段 100% 的晶片都經過測量 處理 逐場晶圓級掃描儀執行器正好安裝在 逐場basis 公開

更嚴格的 EPE 要求推動計量提高 ASML 提供準確、經濟實惠的疊加、EPE 和 缺陷計量幻燈片 2021 年 9 月 29 日每批測量值數十億次疊加 EPE 缺陷 EPE 缺陷 EPE 需求 14 12 萬 [nm]10 8 要求 6 千個 EPE 4 2015 2018 2024 2027 2030 2 0 疊加 2015 2018 2024 2027 2030 EPE 缺陷 檢查公開

EUV 隨機時代，需要十億分之一的控制策略缺陷感知監控和控制 如今，服務器芯片的大小可能約為 800mm2

需要十億分之一的控制策略在 EUV 時代，缺陷感知監控和控制 1 mm 1 mm 每平方毫米可以有 >100M 個接觸孔，每個節點增加 1.5 倍如今，服務器芯片的大小可能約為 800mm2

需要十億分之一的控制策略在 EUV 隨機時代，缺陷感知監控和控制 幻燈片 2021 年 9 月 29 日 SEM 圖片：示例缺少接觸孔因此其中約有 80B 個需要正常工作每平方毫米可能有 >100M 個接觸孔，每個節點增加 1.5 倍今天，服務器芯片的大小可能約為 800mm2

市場和產品路線圖整體光刻推動EPE 改進電子束檢測

高分辨率 電子束與光學亮場檢測高 分辨率電子束提供優於光學檢測的分辨率，2021 年 9 月 21 日 29 日幻燈片可檢測微小的圖案保真度缺陷客户設計縮放光學亮場電子束能夠捕獲十億分之一的精度特徵尺寸檢測缺乏具有納米分辨率的模式保真度缺陷金屬層設計光學明場圖像基於設計的高分辨率電子束圖像檢測程序。SPIE 9778，《微型光刻的計量、檢驗和過程控制》，97780O（2016 年 4 月 21 日）Public

電子束檢測具有固有的分辨率優勢通過增加多波束的平行度來提高 吞吐量 2021 年 9 月 22 日 9月29日 1000000 2 納米節點的最小缺陷尺寸 100000 光學明場檢測 10000 1000 Gen 3 多波束（~2028）增加 100 [mm²/小時]吞吐量允許 增加 10 個 HVM 第 2 代多波束（約 2024 年）ghput 應用程序 Throu 1 0.1 Gen 1 Multibeam (2021) 掃描 0.01 電子顯微鏡 0.001 圖像單電子束（研發）0.0001 60 40 20 10 8 6 4 2 1 缺陷 尺寸 [nm]公眾

電子束檢測：電壓對比 (VC) 和物理缺陷電子束檢測發現良率限制缺陷的獨特 功能幻燈片 2021 年 9 月 29 日幻燈片 VC 檢測：檢測層間缺陷物理檢測：檢測導致電開路和短路缺陷的層內缺陷，例如設計和 工藝薄弱環節 eScan eScan ePX 大量用於 DRAM 和 3D NAND 應用於所有細分市場 HMI 是電子束領域的技術領導者 br} 大電流、充電控制和快速數據速率使人機界面處於領先地位 Public

多波束同時解決 VC 和物理缺陷檢測在高 分辨率下提供經濟高效的吞吐量提升 2021 年 9 月 24 日幻燈片 VC 檢測：檢測層間物理檢測：檢測導致電開路和短路缺陷的層內缺陷，例如設計和工藝薄弱點 eScan eScan ePX P (-1,1) P (0,1) P (1,1) P (-1,0) P (0,0) P (1,0) eScan P(-1,-1) P (0, -1) P (1, -1) eScan 多波束多波束公共波束

Multibeam 利用 ASML 核心技術越來越多 電子束檢測 大批量製造的吞吐量幻燈片 2021 年 9 月 25 日 3 Brions 計算技術：支持深度學習的單光束系統圖像質量增強基於設計的缺陷檢測 吞吐量 2 ASMLS 舞臺技術：高速運動高定位精度 1 HMI 高級電子光學和 MEMS 同時掃描 9 條光束的高質量 SEM 圖像 公共

Multibeam：當前狀態實施 eScan1000 (3x3) 的學習並駕駛 eScan1100 幻燈片 9 月 29 日 2021 (5x5) 預計將於2021年第四季度獲得首次發貨資質關鍵信息多波束技術面臨挑戰我們經歷了一些項目延遲：終止了最初的開發合作伙伴關係， COVID 我們為團隊增加了額外的專業知識並開發了新的多波束 IP 我們對多波束仍然充滿信心並致力於實現其市場潛力 Status 今天 3 個 eScan1000 原型（3x3 光束）正在運行並正在評估系統成像結果 eScan1100（5x5 光束）eScan1100 5x5 多波束系統全面運行的資格認證速度； 預計於 2021 年第四季度首次發貨公開

應用產品和商業機會關鍵信息 2021 年 9 月 27 日幻燈片應用業務 預計在 2020 年至 2025 年期間將以約 20% 的複合年增長率增長，毛利率強勁。應用產品組合支持 ASML 掃描儀業務，這得益於我們幫助客户最大限度地提高圖案化 性能的獨特能力，推動邊緣定位誤差 (EPE) 的改善提供領先的光學和解決方案 電子束計量和 檢測將 ASML 的完整產品組合集成到整體光刻解決方案中以優化和控制光刻工藝增長的主要驅動力是我們的 EPE 路線圖的擴展：新的 計量、檢測和控制產品擴展了路線圖創新產品結合了計算技術、YieldStar 疊加計量學和電子束 計量硬件和軟件產品支持將 EUV 引入 HVM 深層新應用計算光刻和缺陷檢測方面的學習都得到了改善公演公開

前瞻性陳述幻燈片 2021 年 9 月 29 日本演示文稿包含 前瞻性陳述，包括與預期增長、前景和預期財務業績有關的陳述，包括預期的淨銷售額、毛利率、研發成本、銷售和收購成本和 有效税率、2025 年的年度收入機會、2025 年的財務模型以及假設和預期增長率及驅動因素、包括2020-2025年和2020-2030年增長率在內的預期增長，總計穩定的市場，2025 年以後的增長機會 以及光刻、計量和檢測系統的預期年增長率以及裝機羣管理的預期年增長率、到 2030 年的潛在市場的預期趨勢、邏輯和內存 收入機會的預期趨勢、長期增長機會和展望、需求和需求驅動因素的預期趨勢、系統和應用的預期收益和性能、半導體終端市場趨勢、包括預期需求在內的半導體 行業的預期增長成長和未來幾年的資本支出、預期的晶圓需求增長和晶圓產能投資、預期的光刻市場需求和增長與支出、增長機會和驅動力、EUV 和 DUV 需求、銷售、前景、路線圖、機會和產能增長的預期趨勢 以及預期的EUV採用率、盈利能力、可用性、生產率和產量以及估計的晶圓需求和價值改善、 應用業務的預期趨勢、已安裝基礎管理的預期趨勢，包括預期收入和目標利潤率，應用程序業務的預期趨勢和增長機會，對 的預期High-na，對產能的提高、計劃、戰略和戰略優先事項及方向的預期，增加產能、產量和產量以滿足需求的預期，對 摩爾定律繼續發展的期望，以及摩爾定律的演變、產品、技術和客户路線圖，以及有關資本配置政策、分紅和股票回購的聲明和意向，包括打算繼續 通過股票收購組合向股東返還大量現金的意圖回報並按年計增長有關ESG承諾、可持續發展戰略、目標、舉措和里程碑的分紅和聲明。 通常可以使用諸如可能、將、可能、應該、預測、相信、預期、計劃、 估計、預測、潛力、打算、繼續、目標、未來、進展、目標以及這些詞語或可比詞語的變體等詞語來識別這些陳述。這些 陳述不是歷史事實，而是基於當前對我們業務和未來財務業績的預期、估計、假設和預測，讀者不應過分依賴它們。前瞻性 陳述不能保證未來的表現，涉及許多已知和未知的重大風險和不確定性。這些風險和不確定性包括但不限於經濟狀況；產品需求和半導體設備 行業產能、全球半導體需求和製造產能利用率、半導體終端市場趨勢、總體經濟狀況對消費者信心和對 客户產品需求的影響、我們系統的性能、COVID-19 疫情以及為遏制疫情而採取的措施對全球經濟和金融市場以及 ASML 及其客户的影響 和供應商和其他可能影響ASML銷售額和毛利率的因素，包括客户需求和ASML獲得產品供應的能力、研發計劃和技術進步的成功、新 產品開發的步伐和客户對新產品的接受和需求、產能和我們提高滿足需求的能力的能力、訂購、發貨和確認收入的系統的數量和時間以及訂單 取消或推遲生產的風險我們系統的容量，包括系統延遲的風險生產和供應鏈能力、限制、短缺和中斷、半導體行業的趨勢、我們執行專利 和保護知識產權的能力以及知識產權爭議和訴訟的結果、原材料、關鍵製造設備和合格員工的可用性以及勞動力市場的趨勢、地緣政治因素、 貿易環境；進出口和國家安全法規和命令及其對我們的影響、實現可持續發展目標的能力、匯率和税收的變化利率、可用流動性和流動性需求、我們 債務再融資的能力、可用現金和可分配儲備金以及其他影響股息支付和股票回購的因素、股票回購計劃的結果以及截至2020年12月31日止年度的ASML 20-F表年度報告以及向美國證券交易委員會提交和提交的其他文件中列出的風險因素中指出的其他風險。這些前瞻性陳述僅在本文件發佈之日 作出。除非法律要求，否則我們沒有義務在本報告發布之日之後更新任何前瞻性陳述，也沒有義務使此類陳述與實際業績或修訂後的預期保持一致。公開

Asml 閒聊 2021 年投資者日虛擬版