附錄 99.4

EUV 產品和商業機會 Christophe Fouquet 業務線執行副總裁 EUV

EUV 產品和商機關鍵信息幻燈片 2 2021 年 9 月 29 日 ASML EUV 光刻技術通過改善光刻分辨率、最先進的疊加性能和逐年降低成本來擴展我們的 Logic 和 DRAM 客户路線圖。我們的客户將在邏輯節點中使用 EUV，並於 2021 年開始在 DRAM 節點中使用 EUV。EUV layers 的採用率持續增長，以降低模式化複雜性和成本 ASML EUV 能力提升與其生產力路線圖相結合，預計將支持未來幾年客户激增的需求 EUV 產品路線圖預計將擴展我們的 EUV 平臺並同時推出 EUV 0.55 NA 平臺，為客户提供全面靈活的解決方案，我們預計將在未來十年繼續提高 EUV 的盈利能力 通過組合執行我們的價值所花費的時間完善產品路線圖和雄心勃勃的系統和服務成本降低路線圖公開

Logic 和 DRAM 均已投入生產 EUV 0.33 NA，預計其採用率將繼續增長 EUV 0.33 NA 擴展和 EUV 0.55 NA 的引入預計將延長 EUV 的價值延續到未來十年。我們的 EUV 產品和服務價值的增加預計將繼續推動盈利能力

EUV 0.33 NA 已投入生產，適用於 Logic 和 DRAM 所有先進的半導體制造商預計將在 2021 年 9 月 29 日幻燈片 4 中運行 EUV 最快、容量最大的移動存儲器基於當今最先進 (1z) 處理節點，三星全新 16Gb LPDDR5 是第一款使用 EUV 技術批量生產的內存，提供 最高的速度和最大的移動 DRAM 可用容量。來源：三星，新聞稿，韓國 2020 年 8 月 30 日來源：蘋果，新聞稿，2020 年 11 月 10 日 SK 海力士開始使用 EUV 設備批量生產 1anm DRAM 海力士， 首爾，2021 年 7 月 12 日美光宣佈到 2024 年建成 EUV 晶圓廠來源：英特爾、帕特·蓋爾辛格、《設計未來》，2021 年 3 月 23 日來源：登記冊，2021 年 7 月公開

EUV 0.33 NA 的採用得益於大批量製造中的平臺成熟度幻燈片 5 2021 年 9 月 29 日 100% 3000 系統產量 95% 每天最大晶圓（單一系統，每週平均值）2500 已安裝基礎系統可用性 90% 第 4 周移動平均值（期末）85% 每 80% 75% 1500 可用性晶圓 70% 1000 60% 50% 2018 2019 2021 ASML 承諾將使 EUV 的可用性超過 95% 並增加晶圓每天的可用性到 2025 年產量將超過 50% 來源：ASML 裝機庫數據公開

Logic 和 DRAM 預計將繼續採用 EUV 0.33 NA 以支持最先進的設備路線圖 2021 年 9 月 29 日幻燈片 30 今日實況 Roadma 20 Logic 曝光最大內存最小值 10 0 2018 2019 2020 2021 2022 2023 20242025 公開

與 相比，EUV 採用率的提高預計將導致 2025 年每年 EUV 晶圓的出貨量增加 2 倍以上 2021 年 9 月 29 日幻燈片 800% 30 今日實際情況路線圖（目標）年份每 20 個邏輯暴露的內存最小 10 EUV 數字邏輯總計 100% 2018 2019 2021 2023 2024 2025 公共

ASML 將通過增加出貨量和系統生產率來滿足 EUV 需求幻燈片 8 2021 年 9 月 29 日實際情況 路線圖 400%（雄心壯志） [#]wear wph*]每人 300%[put 通過 200% 淨值/容量運送系統 | 100% 2018 2019 2020 2021 2022 2024 2025 NXE: 3400B NXE: 3400C NXE: 3600D NXE: 3600D NXE: 3800E NXE: 3800E NXE: 3800E NXE: 4000F *wph = 每小時晶圓數 Public

ASML 將通過增加出貨量和系統生產率來滿足 EUV 需求幻燈片 9 2021 年 9 月 29 日 800% 實際值 今日路線圖（目標）700% 年度 [#]Fab 型號：EUV 估計 (3600D) wph]x 晶圓廠容量每晶圓廠每年 600% 的系統內存暴露量 (kwspm*) wph][單位數[ 45 10-20 9-18 Logic 將 500% 暴露的內存容量 400% 100 1-6 2-9 穿透晶片 300% 晶圓入口/容量歐盟 EUV Shipm System 200% 100% * Logic Total 2018 2019 2021 2023 2025 NXE: 3400B NXE: 3400C NXE: 3600D NXE: 3800E NXE: 3800E NXE: 3800E NXE: 3800E: 4000F * 2018 參考文獻 = 100% 公開

高於先前預期的DRAM採用率將是EUV需求的另一個驅動力，幻燈片10,9月29日。 2021 800% 今日實際值 700% 年內存每 600% 暴露 400% 晶片 300% EUV 200% 邏輯總計 100% 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025 公開

EUV 減少了光刻和工藝步驟，從而顯著減少了缺陷、成本和週期 Slide 11 年 9 月 29 日沒有 EUV (0.33 NA) 關鍵總計 120% 光刻掩模工藝步驟 # 工藝步驟無 EUV 沒有 EUV 100% 沒有 EUV (0.33 NA) EUV 80% (0.33 NA) 向客户提供 40% 無極紫外線缺陷 20% 基於 EUV 的成本 降低 0% 縮短週期節點 (DRAM) 公共

三星報告稱，與多圖案浸入 (ARFi) 相比，EUV 引入時的缺陷減少了 20% 以上 2021 年 9 月 29 日幻燈片消除了與多圖案相關的缺陷缺陷比圖案化 ArFi MPT EUV 套裝> 20% DRAM d1xBLP [%]SEM 圖像比例缺陷提高圖案精度和成本 BLP ArFi MPT EUV SET ArFi EUV 減少步數和 累積缺陷來源：三星投資者論壇，2020 年 11 月公開

EUV 已投入生產 Logic 和 DRAM，預計其採用率將繼續增長 EUV 擴展 和 EUV 0.55 NA 的引入預計將延續 EUV 的價值延續到未來十年。我們的 EUV 產品和服務價值的增加預計將繼續推動盈利能力

預計 ASML 將繼續按照客户要求的速度擴展 DUV 和 EUV 平臺幻燈片 14 2021 年 9 月 29 日 mWalvength NA，Half pitch 2021 2022 2023 2024 ³ 2025 DUV nxt: 2000i nxt: 2050i nxt: 2100i NEXT 1.35 NA，38 nm 2.0 nm | 275wph 1.5 nm | 295wph 1.3 nm | 295wph (ArFi) NXE: 3400D NXE: 3800E NXE: 4000F EUV 0.33 NA，13 nm 2203 3 1.5 nm | 135 wph /145wph 1.1 nm | 160wph 195wph /220wph 晶片/小時 (wph) 基於 30mj/cm² 1) 185wph @20mJ /cm² 2) 170wph @20mJ /cm² 3) 吞吐量升級產品：配套機器疊加層 (nm) |吞吐量 (wph) 產品狀態已發佈開發定義

預計EUV 0.55 NA將添加到EUV產品組合中，以支持2025年2026年的大批量生產。幻燈片 15 2021 年 9 月 29 日\ 波長 NA，2020年 2021 年 2021 年 2022 年 2023 年 2024 年 ³2025 NXE: 3400C NXE: 3600D NXE: 3800E NXE: 4000F 0.33 NA，13 nm 2 3 220wph 1.5 nm | 135 wph /145wph 1.1 nm | 160wph 195wph /220wph 搶先體驗客户 EUV 客户計時 0.55 NA ASML 研發 HVM EXE: 5000 EXE: 5200 0.0 55 NA，8 nm 1 位於 ASML 晶圓廠

EUV 0.55 NA 預計將在 2025 2026 年前再次減少 Logic 和 DRAM 的光刻和處理步驟幻燈片 16 年 9 月 29 日關鍵光刻掩模具對客户的總工藝步驟 EUV 價值 120% EUV EUV 減少缺陷無 EUV (0.33 NA) 100% EUV EUV 成本降低 (0.33 NA) EUV 80% V (0.55 NA) (0.33 NA) 縮短 週期時間 60% m 40% 20% 沒有 EUV 0% EUV (0.33 NA) EUV (0.55 NA) 2021 2025-2026 2026 2025-2026 DRAM 預期 DRAM 預期公眾

EUV 0.55 NA 是 EUV 技術的進化步驟，我們有光源，我們開發了新的光學元件 2021 年 9 月 17 日幻燈片 NXT EUV 0.33 NA EUV 0.55 NA 系統將平臺更改為平臺高 193 納米深紫外光 13.5 nm EUV 光源許多現有更改技術來源：不同的接口低高大氣條件真空 狀態真空狀態許多現有掃描儀更換技術更高的加速/速度階段低高透射光學反射光學反射光學反射光學許多帶光學元件的變形反射鏡新光學元件更改的準確度更低 Public

預計我們的 EUV 0.55 NA 平臺有很大一部分將與我們的 EUV 0.33 NA 共用，從而降低引入 風險、成本和研發幻燈片 18 年 9 月 29 日 2021 年 9 月 29 日分光罩處理標線舞臺投影光學盒照明源晶圓處理晶圓舞臺驅動激光器特定的普通公眾

EUV 光學投影鏡 ASML 和蔡司在鏡面設計和獨特的計量系統方面的合作幻燈片 2021 年 9 月 29 日 EUV 0.55 NA 鏡面計量在蔡司公共場所全面投入使用

EUV 光學投影鏡尺寸和精度空前的反射鏡幻燈片 2021 年 9 月 29 日 EUV 0.55 NA 光學：直徑 1 米，精度為晚上 20 點如果你要將這些鏡子放大到地球的大小，最大的像差將是人發的直徑大小公共

EUV 0.55 NA 的整合設施正在建設中幻燈片 2021 年 9 月 29 日潔淨室，Fab ASML Veldhoven Public

EUV 0.55 NA 的製造業有望通過整合 4 來提高質量和週期時間 2021 年 9 月 22 日幻燈片 2021 年 9 月 29 日預審模塊：RETICLE 預認證 預審模塊：光學模塊：SOURCE 預認證模塊：ASML 目前正在對所有 4 個通過資格預審的模塊進行晶圓集成 Fracle Optics 晶圓源源頂框、威爾頓集成、奧伯科琴地鐵框架、維爾德霍芬光學平臺、聖地亞哥驅動激光器、費爾德霍芬船隻、聖地亞哥公共

EUV 已投入生產 Logic 和 DRAM，預計其採用率將繼續增長 EUV 擴展 和 EUV 0.55 NA 的引入預計將延續 EUV 的價值延續到未來十年。我們的 EUV 產品和服務價值的增加預計將繼續推動盈利能力

EUV 產品和服務價值的提高，加上第 24 張幻燈片成本的降低，預計將提高 的盈利能力 2021 年 9 月 29 日 400% 今日實際情況路線圖 300% 每個 gput 200% 2 nm 晶圓每天 300% **[nm]throu rlay 平均莖幹 100% 1 nm Ove Sy 2018 2019 2021 2022 2024 2024 2025 NXE: 3400B NXE: 3400C NXE: 3600D NXE: 3600D NXE: 3800E NXE: 3800E NXE: 4000F* 標準化於 2018 年，基於 30 mJ Public

EUV 產品和商業機會關鍵信息 2021 年 9 月 25 日幻燈片 ASML EUV 光刻技術通過改善光刻分辨率、最先進的疊加性能和逐年降低成本來擴展我們的 邏輯和 DRAM 客户路線圖。我們的客户將在 Logic 節點中使用 EUV，並於 2021 年開始在 DRAM 節點中使用 EUV。EUV layers 的採用率持續增長，以降低模式化複雜性和成本 ASML EUV 能力提升與其生產力路線圖相結合，預計將支持未來幾年客户激增的需求 EUV 產品路線圖預計將擴展我們的 EUV 平臺並同時推出 EUV 0.55 NA 平臺，為客户提供全面靈活的解決方案，我們預計將在未來十年繼續提高 EUV 的盈利能力 通過組合執行我們的價值所花費的時間完善產品路線圖和雄心勃勃的系統和服務成本降低路線圖公開

前瞻性陳述幻燈片 2021 年 9 月 29 日本演示文稿包含 前瞻性陳述，包括有關預期的行業和商業環境趨勢的陳述，包括預期增長、前景和預期財務業績，包括預期的淨銷售額、毛利率、研發成本、銷售和收購成本和 有效税率、2025 年的年度收入機會、2025 年的財務模型以及假設和預期增長率及驅動因素、包括2020-2025年和2020-2030年增長率在內的預期增長，總計穩定的市場，2025 年以後的增長機會 以及光刻、計量和檢測系統的預期年增長率以及裝機羣管理的預期年增長率、到 2030 年的潛在市場的預期趨勢、邏輯和內存 收入機會的預期趨勢、長期增長機會和展望、需求和需求驅動因素的預期趨勢、系統和應用的預期收益和性能、半導體終端市場趨勢、包括預期需求在內的半導體 行業的預期增長成長和未來幾年的資本支出、預期的晶圓需求增長和晶圓產能投資、預期的光刻市場需求和增長與支出、增長機會和驅動力、EUV 和 DUV 需求、銷售、前景、路線圖、機會和產能增長的預期趨勢 以及預期的EUV採用率、盈利能力、可用性、生產率和產量以及估計的晶圓需求和價值改善、 應用業務的預期趨勢、已安裝基礎管理的預期趨勢，包括預期收入和目標利潤率，應用程序業務的預期趨勢和增長機會，對 的預期High-na，對產能的提高、計劃、戰略和戰略優先事項及方向的預期，增加產能、產量和產量以滿足需求的預期，對 摩爾定律繼續發展的期望，以及摩爾定律的演變、產品、技術和客户路線圖，以及有關資本配置政策、分紅和股票回購的聲明和意向，包括打算繼續 通過股票收購組合向股東返還大量現金的意圖回報並按年計增長有關ESG承諾、可持續發展戰略、目標、舉措和里程碑的分紅和聲明。 通常可以使用諸如可能、將、可能、應該、預測、相信、預期、計劃、 估計、預測、潛力、打算、繼續、目標、未來、進展、目標以及這些詞語或可比詞語的變體等詞語來識別這些陳述。這些 陳述不是歷史事實，而是基於當前對我們業務和未來財務業績的預期、估計、假設和預測，讀者不應過分依賴它們。前瞻性 陳述不能保證未來的表現，涉及許多已知和未知的重大風險和不確定性。這些風險和不確定性包括但不限於經濟狀況；產品需求和半導體設備 行業產能、全球半導體需求和製造產能利用率、半導體終端市場趨勢、總體經濟狀況對消費者信心和對 客户產品需求的影響、我們系統的性能、COVID-19 疫情以及為遏制疫情而採取的措施對全球經濟和金融市場以及 ASML 及其客户的影響 和供應商和其他可能影響ASML銷售額和毛利率的因素，包括客户需求和ASML獲得產品供應的能力、研發計劃和技術進步的成功、新 產品開發的步伐和客户對新產品的接受和需求、產能和我們提高滿足需求的能力的能力、訂購、發貨和確認收入的系統的數量和時間以及訂單 取消或推遲生產的風險我們系統的容量，包括系統延遲的風險生產和供應鏈能力、限制、短缺和中斷、半導體行業的趨勢、我們執行專利 和保護知識產權的能力以及知識產權爭議和訴訟的結果、原材料、關鍵製造設備和合格員工的可用性以及勞動力市場的趨勢、地緣政治因素、 貿易環境；進出口和國家安全法規和命令及其對我們的影響、實現可持續發展目標的能力、匯率和税收的變化利率、可用流動性和流動性需求、我們 債務再融資的能力、可用現金和可分配儲備金以及其他影響股息支付和股票回購的因素、股票回購計劃的結果以及截至2020年12月31日止年度的ASML 20-F表年度報告以及向美國證券交易委員會提交和提交的其他文件中列出的風險因素中指出的其他風險。這些前瞻性陳述僅在本文件發佈之日 作出。除非法律要求，否則我們沒有義務在本報告發布之日之後更新任何前瞻性陳述，也沒有義務使此類陳述與實際業績或修訂後的預期保持一致。公開

ASML 閒聊 2021 年投資者日虛擬版