附錄 99.1
英特爾和ASML加強合作,在2025年推動高NA進入製造業
英特爾首次訂購了 ASMLS TWINSCAN EXE: 5200 系統,這標誌着在推出 EUV 0.55 NA (High-na) 的道路上邁出了下一步。
荷蘭維爾德霍芬和美國俄勒岡州希爾斯伯勒,2022年1月19日今天, ASML Holding N.V. (ASML) 和英特爾公司 (INTC) 宣佈了他們長期合作的最新階段,以推進半導體光刻技術的尖端發展。英特爾已向ASML發出了第一份採購訂單,用於交付業界首款TWINSCAN EXE: 5200系統,這是一款極紫外線 (EUV) 大批量生產系統,具有很高的數值孔徑,每小時生產率超過200片,是兩家公司 長期高NA合作框架的一部分。
英特爾的願景和對ASML高NA EUV技術的早期承諾證明瞭其對摩爾定律的不懈追求。ASML總裁兼首席技術官Martin van den Brink表示,與當前的EUV系統相比,我們創新的擴展EUV路線圖以更低的 複雜性、成本、週期時間和能量提供了持續的光刻改進,這是芯片行業在未來十年內推動負擔得起的擴張所必需的。
英特爾在7月的加速活動中宣佈,計劃部署首款高NA技術,以實現其 晶體管創新路線圖。英特爾是2018年第一個購買較早的TWINSCAN EXE: 5000系統的公司,隨着今天宣佈的新收購,此次合作延續了英特爾從2025年開始使用高NA EUV進行量產製造的道路。
英特爾的重點是保持在半導體光刻 技術的最前沿,在過去的一年中,我們一直在建立我們的 EUV 專業知識和能力。英特爾執行副總裁兼技術開發總經理安·凱勒赫博士説,我們將與ASML密切合作,利用高NA EUV的高分辨率圖案作為我們 延續摩爾定律並保持向最小几何形狀發展的悠久歷史的方式之一。
EXE 平臺是 EUV 技術的進化一步,包括新穎的光學設計以及速度明顯更快的標線和晶圓階段。TWINSCAN EXE: 5000 和 EXE: 5200 系統提供 0.55 的數值孔徑,與之前的 EUV 機器相比,精度提高了,採用 0.33 數值孔徑鏡頭,可以實現更高分辨率的圖案,以實現更小的晶體管功能。系統的 數值孔徑與使用的波長相結合,決定了最小的可打印特徵。
EUV 0.55 NA 旨在從 2025 年開始啟用 多個未來節點,這是業界的首次部署,其次是類似密度的內存技術。在2021年投資者日上,ASML分享了其EUV路線圖,並表示 High-na技術有望在2025年開始支持生產製造。今天的公告與該路線圖一致。
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突破性的技術可以解決人類面臨的一些最棘手的挑戰,例如醫療保健、能源使用和節約、交通和農業。ASML 是一家跨國公司 ,總部位於荷蘭費爾德霍芬,在歐洲、美國和亞洲設有辦事處。每天,ASML有超過32,000名員工挑戰現狀,將技術推向新的極限。ASML在阿姆斯特丹泛歐交易所和納斯達克 上市,股票代碼為ASML。在 www.asml.com 上了解 ASML 我們的產品、技術和職業機會。
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前瞻性陳述
本新聞稿包含前瞻性聲明,包括與High NA系統的順序、引入高NA EUV的道路、EUV路線圖和高NA生產製造的預期時機、該平臺的預期功能、性能和優勢、英特爾未來 技術計劃和進展以及其他非歷史問題有關的聲明。這些陳述基於當前的預期、估計、假設和預測,您不應過度依賴它們。 前瞻性陳述不能保證未來的表現,並且涉及風險和不確定性。這些風險和不確定性包括與高NA系統的生產製造及其時機 相關的風險、滿足路線圖和性能以及工具和平臺屬性的其他風險,如ASML最新的20-F表年度報告、英特爾 最新的10-K表報告以及ASML和英特爾向美國證券交易委員會提交的其他文件,可在www.sec.gov上查閲。這些前瞻性陳述僅在本文件發佈日期 時作出。我們不承諾更新或修改前瞻性陳述,無論是由於新信息、未來事件還是其他原因。
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