EX-99.5 6 exhibit995.htm EX-99.5 exhibit995
公開頁面 1 Herman Boom DUV 產品和商業機會 ASML 投資者日 荷蘭費爾德霍芬 2024年11月14日 執行副總裁兼 DUV 小型業務負責人 2024 展覽 99.5

 
公開頁面 2 • DUV 是並將繼續成爲行業的工作馬。 • 我們繼續支持我們的高級和主流 半導體客戶，提供一系列滿足疊加和更高生產力需求的浸沒系統。 • 我們的 Xt 和 NXt 乾式 DUV 產品組合繼續爲客戶提供性能的完全靈活性，並通過構建一致性和運營效率來提供最佳的技術成本。 • 我們正在擴展我們的產品組合，推出一款 i-line 寬視場掃描儀，爲行業提供最高的生產力和高級封裝應用的解決方案。 • 我們正在通過延長產品生命週期超過 20 年以及改善生產品率，優化我們超過 6000 個系統的已安裝基礎，提供多樣化的服務和升級產品組合。總結

 
公開頁 3 DUV EUV 雖然 EUV 已成爲大多數邏輯和 DRAm 關鍵層的標準，但所有其他層都使用 DUV 技術進行圖案化 2024年11月14日

 
公開 DUV 是並將繼續成爲行業的工作馬 頁面 4 >90000萬 硅片曝光 2030 EUV KrF ArFi ArF i-line 52500萬 硅片曝光 2024 EUV KrF ArFi ArF i-line ASML 市場研究：全球總曝光面積的預期 2024年11月14日

 
公開 雲基礎設施 邊緣計算 能源轉型 自動化 醫療，醫療科技 科技主權 遠程工作、學習 超連接 電氣化，智能出行 農業創新 更聰明地使用有限資源 DUV 存在於所有市場，並支持從高級到主流市場細分的多種應用 頁面 5 I-Line 高級細分 主流細分 高級細分 主流細分 300 mm 300 mm 300 mm 300 mm 300 mm 200 mm 300 mm 300 mm 200 mm 150 mm 300 mm ArFi KrF ArF DRAm NAND MPU 模擬 電源 光傳感器 非光傳感器 邏輯 主流 邏輯 Specialty Memory 高級 封裝 EUV 2024年11月14日

 
公共頁面 6 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2030 添加的晶圓曝光1 2025-2030 ArFi ArF KrF i-line 更多層 所有 DUV 波長段預計在每年的晶圓曝光中增長，因爲晶圓的數量和更高的光刻支出 W a fe r e x p o s u re s p e r y e a r 更多晶圓 2024年11月14日 1 基於平均層疊結構

 
公共 DUV 策略和產品組合解決了整體光刻三角形中的一整套價值和成本驅動因素 頁面 7 分辨率 生產力 精度 圖案化 收率 × × × • i-line • KrF • ArF • ArFi • EUV / ArFi • 覆疊 • 本地 CDU • EPE • 系統吞吐量 • 系統性能升級 • 整體設備效率 • 圖案化過程控制 • 光學測量 • 電子束測量 • 基於人工智能的控制 • 服務成本 • 公用事業成本 • 電力路線圖 • 重複使用 • 材料 • >20年系統延展性 • 共同性 • 可配置性 運營成本 環境成本 系統成本 生命週期 / + 1 噸 CO2 = 200 歐元 + = 2024年11月14日

 
公共 DUV 策略和產品組合解決了整體光刻三角形中的一整套價值和成本驅動因素 頁面 8 分辨率 生產力 精度 圖案化 收率 × × × • i-line • KrF • ArF • ArFi • EUV / ArFi • 覆疊 • 本地 CDU • EPE • 系統吞吐量 • 系統性能升級 • 整體設備效率 • 圖案化過程控制 • 光學測量 • 電子束測量 • 基於人工智能的控制 • 服務成本 • 公用事業成本 • 電力路線圖 • 重複使用 • 材料 • >20年系統延展性 • 共同性 • 可配置性 運營成本 環境成本 系統成本 生命週期 / + 1 噸 CO2 = 200 歐元 + = 2024年11月14日

 
公共 DUV 產品組合在市場中捕捉增長機會 頁面 9 i-line KrF ArF ArFi NXT:2150i NXT:2100i NXT:2050i NXT:1980i NXT:1470 XT:1460 XT:260 XT:400 高級市場 主流市場 NXT:870 Xt平台 NXt平台 XT:860 XT:1060 2024年11月14日

 
公共DUV投資組合已建立，以抓住各市場的增長機會 第10頁 NXt平台 先進市場 主流市場 2024年11月14日 ArFi NXT:2150i NXT:2100i NXT:2050i NXT:1980i

 
公共ASML的沉浸式投資組合已成爲行業的支柱，提供中關鍵和高端沉浸式掃描儀 第11頁 2012年 已安裝的沉浸式晶圓容量 NXT:1970i NXT:2000i NXT:1950i NXT:1980i NXT:2050i NXT:2100i NXT:2150i 沉浸系統發佈 已安裝的沉浸式晶圓容量 2024 2024 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2013 2012 2015 2016 2017 2018 2014 2019 2020 2021 2022 2023 2024 > 1300 系統 高端:NXT:2xx0i 中關鍵:NXT:19xxi 92%的新增晶圓容量由ASML安裝 2024年11月14日

 
公共……我們繼續投資沉浸技術，以促進客戶路線圖並進一步降低擁有成本 2024年11月14日 第12頁 改善疊加以支持疊加關鍵應用 提高生產率以降低我們客戶的擁有成本 高端沉浸NXT:2xx0i 中關鍵沉浸NXT:1980i 匹配設備疊加 單位:納米 1.5納米 1.3納米 1.0納米 2020 NXT:2050i 2022 NXT:2100i 2024 NXT:2150i NEXt <1.0納米 295 WpH 295 WpH 310 WpH >310 WpH 每小時晶圓生產率 2023 NXT:1980Fi NEXt 330 WpH >330 WpH 2.5納米 MMO 匹配設備疊加 單位:納米 每小時晶圓生產率

 
公共 0 0.5 1 1.5 2 我們的高端沉浸系統已被客戶採用，快速且可靠地提升 2024年11月14日 第13頁 >>100個高端沉浸系統已安裝 快速提升至每天5000個晶圓的穩定生產 5000 14 21 安裝後天數 每日日晶圓 匹配設備疊加改善至<1.3nm NXT:2100i ≤ 1.3納米 NXT:2050i ≤ 1.5納米 2022 2023 2024 NXT:2xx0i 已安裝基礎 NXT:2000i ≤ 2.0納米

 
公共 NXT:2150i支持緊密疊加要求，包括NXt-NXE交叉匹配 提供1.0納米匹配設備疊加和產品疊加改進 第14頁 新光掩模加熱控制 降低光掩模加熱對疊加的影響 經過調節的光掩模庫 更快的調節和更低的光掩模之間溫度變化 對準 12色 65個標記，小標記，組合佈局 掃描儀計量軟件 改善重疊的設置 光學傳感器 改善相機與熱調節 光學修正元件 改善鏡頭和交叉匹配控制 晶圓臺 改善疊加和生命週期 NXT:2100i NXT:2150i 吞吐量≥295 WpH ≥310 WpH MMO ≤1.3納米 ≤1.0納米 EUV-DUV匹配 1.7納米 1.5納米 產品疊加 ≤1.7納米(DRAM) ≤1.5納米(DRAM) 1 MMO:匹配設備(或設備對設備)疊加 首次發貨時間2024年底 2024年11月14日 第14頁

 
公開改善的校正能力使得圖案圖像能夠在晶圓上局部操作，以修正晶圓粘合後疊加指紋 第15頁 50納米 2.5納米 測量 ARRAY CMOS 晶圓粘合器 大規模測量 光刻掃描儀 晶圓變形 緊接着粘合後的疊加錯誤 光刻校正後 執行器 2024年11月14日

 
公開DUV產品組合旨在把握各市場的增長機會 第16頁 i-line KrF ArF ArFi NXT:2150i NXT:2100i NXT:2050i NXT:1980i NXT:1470 XT:1460 XT:260 XT:400 高級市場 主流市場 NXT:870 Xt平台 NXt平台 XT:860 XT:1060 2024年11月14日

 
公開DUV產品組合旨在把握各市場的增長機會 第17頁 KrF Xt平台 NXt平台 高級市場 主流市場 NXT:870 XT:1060 XT:860 2024年11月14日

 
公開NXt和Xt平台爲不同產品組合的高產能晶圓廠服務 第18頁 模擬 電源 主流邏輯 高級封裝 300毫米 200毫米 各種基材 光學傳感器 專用內存 300毫米 DRAm NAND 不同產品數量 每個產品的運行次數 不同產品數量 每個產品的運行次數 「大量產品填滿晶圓廠」 「幾款高需求產品填滿晶圓廠」 客戶晶圓廠 1500種產品 40種產品 客戶晶圓廠 低產品組合晶圓廠 高產品組合晶圓廠 主流細分市場的典型 先進細分市場的典型 邏輯和MPU 2024年11月14日

 
公開……並將繼續爲全球的新晶圓廠服務 2024年11月14日 第19頁 Xt特性 NXt特性 模擬 電源 主流邏輯 高級封裝 300毫米 200毫米 各種基材 光學傳感器 專用內存 300毫米 DRAm NAND 邏輯和MPU

 
公開NXT:870 KrF掃描儀因採用NXt平台而實現了可靠的快速採用，具備競爭力的生產力和可靠性 第20頁 NXT:870系統安裝基礎快速增長 5200片晶圓每日 在13周平均7000片晶圓每日 分配的晶圓每日2022 2023 2024 穩定的生產能力超過5200片晶圓每日 NXT:870 安裝基礎 設備正常運行時間可用性 設備可用性在13周平均時遠超95% 達到95% 100% 2024年11月14日 13周

 
公共NXT:8700億KrF掃描儀將基於NXt平台並擴展至≥400WpH 第21頁 晶圓臺 減少穩定時間，提升動態和生產效率 系統動態 改善晶圓臺和基礎框架的阻尼 晶圓搬運器 改善調節，提升生產效率 UV - 級別傳感器 35束光線提升生產效率 掩模台 更快速的掃描，更短的準備時間 改進的夾具 投影光學 改進的鏡頭，減少鏡頭加熱和附加鏡頭操控器 掩模/台對準 改善對準以提升生產效率和性能 XT:860N NXT:870 NXT:8700億 吞吐量 ≥260 WpH ≥330 WpH ≥400 WpH MMO1 ≤7.5 nm ≤6.0 nm ≤6.0 nm 產品重疊2 ≤6.0 nm ≤5.0 nm ≤4.0 nm 首次發貨 2024年末 2024年11月14日 1 匹配機臺重疊，2 針對特定使用場景 第21頁

 
公共DUV產品組合已到位，以捕捉各市場的增長機遇 第22頁 i-line KrF ArF ArFi NXT:2150i NXT:2100i NXT:2050i NXT:1980i NXT:1470 XT:1460 XT:260 XT:400 高級市場 主流市場 NXT:870 Xt平台 NXt平台 XT:860 XT:1060 2024年11月14日

 
公共DUV產品組合已到位，以捕捉各市場的增長機遇 第23頁 i-line Xt平台 高級市場 主流市場 XT:260 XT:400 2024年11月14日

 
公共XT:260爲先進封裝應用提供行業內最高的生產效率，這些應用可能受益於更大的曝光場尺寸 第24頁 XT:260大場曝光系統 支持高吞吐量，以適應越來越大的中介層尺寸 XT:260的吞吐量 目前4x步進器/掃描儀的吞吐量 2x 350WpH 150WpH XT:260大場系統 首次發貨 2025年下半年 15WpH 8x 4x 1x 1 2 3 4 5 6 7 8 中介層尺寸 x (26 mm by 33 mm) 4x步進器場尺寸 (26x33mm) XT:260 2x掃描儀場尺寸 (52x68mm) 2024年11月14日 1x 8x 4x 2x

 
公共DUV戰略和產品組合針對整體光刻三角形中的一系列價值和成本驅動因素 第25頁 分辨率 生產效率 精度 圖案產量 × × × • i-line • KrF • ArF • ArFi • EUV / ArFi • 重疊 • 本地CDU • EPE • 系統吞吐量 • 系統性能升級 • 整體設備效率 • 圖案控制 • 光學計量 • 電子束計量 • 基於AI的控制 • 服務成本 • 公用事業成本 • 電力路線圖 • 物料再利用 • 物料 • >20年系統可擴展性 • 通用性 • 可配置性 運營成本 環保成本 系統成本 生命週期/ + 1噸二氧化碳 = 200 eur + = 2024年11月14日

 
NXt平台以及DUV與EUV之間的公共性提供了更短的開發週期，更多的客戶可升級性和更低的運營成本 2024年11月14日 第26頁 DUV NXt平台 EUV NXE平台 水平傳感器 對齊傳感器 計量 晶圓處理 DUV與EUV平台之間的共通技術 DUV波長的共通技術 NXT:870 NXT:1470 NXT:2050i 晶圓臺 掩模台 掩模處理 期權 KrF ArF ArFi 同一波長內的共通技術 NXT:870 NXT:8700億 光源 傳感器 光學模塊 KrF KrF

 
公共性是推動價值鏈效率的重要因素 提高工廠產出和減少安裝時間的成本效益方式 2024年11月14日 第27頁 在發貨前進行預安裝系統 CUSTOMERASML 雙Xt和NXt系統的標準設置 直接發貨給客戶

 
公共性是推動價值鏈效率的重要因素 提高工廠產出和減少安裝時間的成本效益方式 2024年11月14日 第28頁 在發貨前進行預安裝系統 CUSTOMERASML 雙Xt和NXt系統的標準設置 直接發貨給客戶

 
公共性是推動價值鏈效率的重要因素 提高工廠產出和減少安裝時間的成本效益方式 2024年11月14日 第29頁 NXt 直接發貨給客戶 在發貨前進行預安裝系統 CUSTOMERASML 雙Xt和NXt系統的標準設置 2024年11月14日

 
公共性是推動價值鏈效率的重要因素 提高工廠產出和減少安裝時間的成本效益方式 2024年11月14日 第30頁 NXTXt 在發貨前進行預安裝系統 CUSTOMERASML 雙Xt和NXt系統的標準設置 直接發貨給客戶 2024年11月14日

 
公共性是推動價值鏈效率的重要因素 客戶 2024年11月14日 第31頁 公共性效益

 
通過共性，我們降低成本、開發週期、週期時間，減少庫存，加快產能提升，提高可升級性和重用性 對客戶 降低成本 創新 更高質量 第32頁 工廠供應鏈 安裝服務 D&E 共性好處 減少週期時間 降低設計成本 更快的安裝 更快的產能提升 可升級性 降低庫存 降低零件成本 降低運營支出 更多維修與重用 更高的可用性 2024年11月14日

 
除了產品設計外，運營創新的應用在降低成本和我們運營對環境足跡的影響 第33頁 2024年11月14日

 
自我們開始運營以來，ASML已向客戶交付了超過6000個系統 第34頁 1985 1990 1995 2005 2025 2010 2015 2020 2000 2030 10000 9000 8000 7000 6000 5000 4000 3000 2000 1000 0 EUV ArFi ArF KrF i-line ASML安裝基數 現場系統數量 2024年11月14日

 
持續關注升級和服務組合，以維持和提高安裝基數的性能和成本效益 價值[a.u.] 0 10年 20年 第35頁 定期服務 保修 NXt平台 Xt平台 PAS平台 At平台 擴大安裝基數 改善安裝基數 延長服務 增值服務（現場） 升級 組合擴展 更新 以舊換新 2024年11月14日 更新

 
我們基於不斷增長的安裝基數和擴展的服務與升級組合的市場機會 2024年11月14日 第36頁 定期服務 增值服務 延長服務 現場升級 安裝基數增長 以舊換新與翻新 0.0x 1.0x 2.0x 3.0x 4.0x 5.0x 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025 2026 2027 2028 2029 2030 定期服務收入 增值服務收入 定期生命服務 延長生命服務

 
2024年11月14日 第37頁 我們的NXt浸入升級（現場）提高了產品性能和更高的晶圓產量 匹配機器 疊加 5.5nm 3.5nm 2.5nm 2.0nm 1.5nm 1.3nm 4.5nm 4.0nm 1.0nm NXT:1960Bi NXT:1980Di NXT:2050i NXT:2100i NXT:1980Ei NXT:1980Fi NXT:1965Ci NXT:1970Ci NXT:2000i NXT:2150i 生產力包 每天每晶圓包 節點增強包 開發 NXT:1950i 190 WPH 230 WPH 250 WPH 275 WPH 295 WPH 310 WPH 330 WPH 系統 NXT:2000Ei

 
Public • DUV is and will remain a workhorse for the industry. • We continue to support both our advanced and mainstream semiconductor customers with a portfolio of immersion systems that address the need for both overlay and higher productivity. • Our Xt and NXt dry DUV portfolio continues to provide full flexibility to our customers in performance and deliver best cost of technology by building on commonality and operational efficiency. • We are extending our portfolio with an i-line wide-field scanner that provides the industry’s highest productivity and solutions for advanced packaging applications. • We are optimizing our installed base of >6,000 systems by extending the product lifetime to >20 years and improving productivity with a diversified service and upgrades portfolio. Summary Page 38

 
Public Forward Looking Statements This document and related discussions contain statements that are forward-looking within the meaning of the U.S. Private Securities Litigation Reform Act of 1995, including statements with respect to our strategy, plans and expected trends, including trends in end markets and the technology industry and business environment trends, including the emergence of AI and its potential opportunities and expectations for the semiconductor industry, including computing power, advanced logic nodes and DR m memory, statements with respect to Moore’s law and expected transistor growth and aspirations by 2030, global market trends and technology, product and customer roadmaps, long term outlook and expected lithography and semiconductor industry growth and trends and expected growth in semiconductor sales and semiconductor market opportunity through to 2030 and beyond, expected growth in wafer demand and capacity and additional wafer capacity requirements, expected investments by our customers, including investments in our technology and in wafer capacity, plans to increase capacity, expected growth in lithography spend, growth opportunities including opportunities for growth in service and upgrades and opportunities for growth in Installed Base Management sales, expected growth and gross margins in the holistic lithography business and expected addressable market for pplications products, expectations and benefits of a growing installed base, SML’s and its supplier’s capacity, expected production of systems, model scenarios and the updated model for 2030, including annual revenue and gross margin opportunity and development potential for 2030, outlook and expected, modelled or potential financial results, including revenue opportunity, gross margin, R&D costs, SG&A costs, capital expenditure, cash conversion cycle and annualized effective tax rate for 2030 and assumptions and drivers underlying such expected, modelled or potential amounts, and other assumptions underlying our business and financial models, expected trends, outlook and growth in semiconductor end markets and long term growth opportunities, demand and demand drivers, expected opportunities and growth drivers for and technological innovation of our products including DUV EUV, High NA, Hyper NA, Applications, and other products impacting productivity and costs, transistor dimensions, logic and DRAm shrink, foundry competition, statements with respect to dividends and share buybacks and our capital return policy, including expectation to return significant amounts of cash to shareholders through growing dividends and buybacks and statements with respect to energy generation and consumption trends and the drive toward energy efficiency, emissions reduction and greenhouse gas neutrality goals and target dates to achieve greenhouse gas neutrality, zero waste from operations and other ESG targets and ambitions and plans to maintain a leadership position in ESG, increasing technological sovereignty across the world and the expected impact on semiconductor sales, including specific goals of countries across the world, increasing competition in the foundry business, estimates for 2024 and other non-historical statements. You can generally identify these statements by the use of words like "may", "will", "could", "should", "project", "believe", "anticipate", "expect", "plan", "estimate", "forecast", "potential", 「opportunity」, 「scenario」, 「guidance,」 "intend", "continue", "target", "future", "progress", "goal" and variations of these words or comparable words. These statements are not historical facts, but rather are based on current expectations, estimates, assumptions, models, opportunities and projections about our business and our future and potential financial results and readers should not place undue reliance on them. Forward- looking statements do not guarantee future performance and involve a number of substantial known and unknown risks and uncertainties. These risks and uncertainties include, without limitation, customer demand, semiconductor equipment industry capacity, worldwide demand for semiconductors and semiconductor manufacturing capacity, lithography tool utilization and semiconductor inventory levels, general trends and consumer confidence in the semiconductor industry and end markets, the impact of general economic conditions, including the impact of the current macroeconomic environment on the semiconductor industry, uncertainty around a market recovery including the timing thereof, the impact of inflation, interest rates, wars and geopolitical developments, the impact of pandemics, the performance of our systems, the success of technology advances and the pace of new product development and customer acceptance of and demand for new products, our production capacity and ability to adjust capacity to meet demand, supply chain capacity, timely availability of parts and components, raw materials, critical manufacturing equipment and qualified employees, our ability to produce systems to meet demand, the number and timing of systems ordered, shipped and recognized in revenue, risks relating to fluctuations in net bookings and our ability to convert bookings into sales, the risk of order cancellation or push outs and restrictions on shipments of ordered systems under export controls, risks relating to technology, product and customer roadmaps and Moore’s law, risks relating to the trade environment, import/export and national security regulations and orders and their impact on us, including the impact of changes in export regulations and the impact of such regulations on our ability to obtain necessary licenses and to sell our systems and provide services to certain customers, exchange rate fluctuations, changes in tax rates, available liquidity and free cash flow and liquidity requirements, our ability to refinance our indebtedness, available cash and distributable reserves for, and other factors impacting, dividend payments and share repurchases, the number of shares that we repurchase under our share repurchase programs, our ability to enforce patents and protect intellectual property rights and the outcome of intellectual property disputes and litigation, our ability to meet ESG goals and execute our ESG strategy, other factors that may impact SML’s business or financial results including the risk that actual results may differ materially from the models, potential and opportunity we present for 2030 and other future periods, and other risks indicated in the risk factors included in SML’s nnual Report on Form 20-F for the year ended December 31, 2023 and other filings with and submissions to the US Securities and Exchange Commission. These forward-looking statements are made only as of the date of this document. We undertake no obligation to update any forward-looking statements after the date of this report or to conform such statements to actual results or revised expectations, except as required by law. This document and related discussions contain statements relating to our approach to and interim progress on achieving certain energy efficiency and greenhouse gas emissions reduction targets, including our ambition to achieve greenhouse gas neutrality. References to 「greenhouse gas neutral」 means remaining emissions, after SML’s efforts to reach its GHG emission reduction targets, compensated by the same amount of metric tons of carbon credits that are verified against recognised quality standards. Page 39November 14, 2024

 
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