公眾阿米特·哈錢丹尼 ASML 投資者日費爾德霍芬,荷蘭 2024 年 11 月 14 日高級副總裁兼企業營銷主管小談 2024 年終端市場、晶圓需求和平版開支展覽 99.3
公共端市場、晶圓需求及利托消費半導體產業的長期前景仍然有前途,考慮到半導體作為多重大趨勢的關鍵任務推動者的角色。特別是,我們相信 AI 的出現創造了重要的機會。因此,我們預計全球半銷售額將以 9% 的年長率增長(2025-2030 年),並在 2030 年超過 1 億美元。主要訊息終端市場晶圓需求平板印刷支出這個終端市場前景表示,整體晶圓需求每年(2025-2030)每月 78萬顆晶圓起始量增長。人工智能成為領先的終端驅動因素也意味著從石料開支的角度來看晶圓需求狀況有積極的混合變化。最後,由於策略考慮因素,我們預計在 2030 年前增加 5-8% 的整體晶圓容量,除了需求驅動的增加。我們預計先進邏輯和 DRam 縮減將進一步推動 EUV 液晶層和支出。對於進階邏輯而言,我們預計在 2025-2030 年期間會逐步提升高 NA (0.55NA) 層,從而轉化為歐洲電子產品電子化學消費的 CAGR 為 10-20%。在德拉姆方面,我們預計在 2025-2030 年期間,低 NA(0.33NA)和高 NA(0.55NA)層都會增加,從而導致歐洲電子化學消費的 CAGR 為 15-25%。
公開估計我們的安裝基地業務增長安裝基礎管理模式假設從終端市場轉換為全球利托消費轉換為 ASML 股利托消費轉換為晶圓需求:高 — 中 — 低情境晶圓需求情況 → 高 → 中 → 低 2030 我們的模式決定 ASML 的長期機會由市場力量、技術選擇和策略考量的相互作用驅動。2024 年 11 月 14 日第 3 頁:ASML 來源 ML 分析
公開頁 4 我們確定 ASML 的長期機會的模型此機會是由市場力量,技術選擇和戰略考量的相互作用驅動的 2024 年 11 月 14 日來源:ASML 分析
公開頁 5 市場我們確定 ASML 的長期機會的模型此機會是由市場力量、技術選擇和戰略考量的相互作用驅動的 2024 年 11 月 14 日來源:ASML 分析
公開頁 6 市場 T E C H N O L O G Y 我們用於確定 ASML 的長期機會的模式此機會是由市場力量,技術選擇和戰略考量的相互作用驅動的 2024 年 11 月 14 日來源:ASML 分析
公共頁 7 場景 P R O b A b IL IT Y HIGHMODERATELOW 我們用於確定 ASML 的長期機會的模型此機會是由市場力量、技術選擇和戰略考量的相互作用驅動的 2024 年 11 月 14 日來源:ASML 分析
公共頁 8 場景 → 高 → 中度 → 低 2030 年安裝基業務的增長估計安裝基礎管理模式假設從終端市場轉換為全球利托消費轉換為 ASML 股數量支出轉換為晶圓需求:高 — 中 — 低情境晶圓需求終端市場我們的模式確定 ASML 的長期機會由市場力量、技術選擇和策略考量的相互作用驅動。2024 年 11 月 14 日來源:ASML ML 分析
公共晶圓需求平版花費最終市場
公眾半導體行業的長遠前景仍有前途半導體是社會多重大趨勢的關鍵任務推動者頁面 10 氣候變化和資源稀缺社會和經濟轉變自動化醫療保健、醫療科技技術主權技術遠端工作雲基礎設施超連接邊緣計算能源轉型電氣化,智能移動農業創新智能使用有限資源互聯世界 2024 年 11 月 14 日物聯網來源:ASML 分析
公開頁 11 我們對人工智能的快速進展特別鼓勵我們也看到人工智能導致半導體銷售額的增加,未來幾年數據 AI 功率計算(+ 記憶體)主流邊緣運算傳感器連接物聯網 AI 來源:ASML 分析,國際貨幣基金組織(IMF),講座 2024 年 11 月 14 日 PC 互聯網智能手機 AI 0.0% 0.2% 0.4% 0.6% 0.8% 0.8% 1980 1990 2000 m 全球名義本地生產總值的百分比半導體銷售額均持續增長跨過先前的計算波
公眾我們認為服務器,數據中心和存儲是 AI 的主要初始受益人因此,我們現在預計到 2030 年與該終端市場相關的半銷售額超過 350 億美元人工智能服務器將佔整體單位的小部分,由於內容更高,由於內容更高,由於內容更高,人工智能服務器將推動大部分增長並佔半銷售額中的增長部分頁 12 2025 2026 2027 2028 2029 2030 S e rv e r u m(ill io n) 標準伺服器人工智慧推論人工智慧訓練 2025 年 2026 2027 2028 2029 2030 年度自動推論 ($ b n) 標準伺服器人工智慧推論人工智能培訓 4% 18% 2024 年 11 月 14 日來源:ASML 分析
公共半銷售預計將以 CAGR(2025-2030 年)增長 9%,到 2030 年超過 1 億美元伺服器、數據中心和存儲的增長大幅抵消其他地方大部分的調節。頁 13 智能手機(10 億美元)有線和無線基礎設施(10 億美元)汽車(10 億美元)個人計算(10 億美元)伺服器、數據中心和存儲(10 億美元)工業電子產品(10 億美元)消費電子產品(10 億美元)半導體總數 149 158 157 162 177 192 26 27 28 29 30 CMD 2022 CMD 2024 5% 92 1000 100 101 106 12 26 27 28 29 30 4% 53 57 60 63 66 75 26 26 26 27 28 29 30 66 72 74 78 80 80 2526 27 28 29 30 3% 76 84 93 98 105 114 25 26 27 98 100 110 120 25 26 27 28 29 30 18% CMD 2022 CMD 2022 CMD 2024 CMD 2022 中醫藥二零二四年中醫藥 2022 中醫藥二零二零四年中醫藥 2022 年十一月十四日來源:中醫藥分析
公共端市場平版印花支出晶圓需求
公眾對所有細分的晶圓需求預期增長第 15 頁來源:ASML 分析 2024 年 11 月 14 日
公眾對於所有部門的晶圓需求預期增長在 CMD 2022 年,我們看到約 760 千瓦分鐘/年增長約 760 千瓦時/年(2025-2030)第 16 頁 CMD 202200萬晶圓起始/月(MWspm)6.7 8.6 2.1 3.21.9 2.2 2.1 2.6 2025 2030 年增長 2025-2030(千瓦分鐘/年)成熟邏輯(>28 納米)380 進階邏輯(<= 28 納米)220 德拉姆 60 奈及 100 晶圓總需求 760 12.8 二零四年十一月十四日 16 日 6 日來源:ASML 分析
公眾對於所有部門的晶圓需求預期增長在 2025 年較低的水平下,我們預計整體晶圓需求/年增長約 780 千瓦時/年(2025-2030)第 17 頁 CMD 202200萬晶片開始/月(MWspm)6.7 8.6 2.1 3.21.9 2.2 2.1 2.6 2025 2030 年增長 2025-2030(千瓦分鐘/年)成熟邏輯 (28 奈米 > 28 奈米) 380 進階邏輯 (<= 28 奈米) 220 德拉姆 60 奈及 100 晶圓總需求 760 厘米 202400萬晶圓起始/月 (MWspm) 5.8 7.5 2.0 3.21.7 2.5 1.7 1.9 2025 2030 年增長 2025-2030 年 (千瓦時/年)成熟邏輯(>28 納米)340 高級邏輯(<= 28 納米)240 德拉姆 160 奈及 40 晶圓總需求 780 12.8 16.6 11.2 15.1 2024 年 11 月 14 日來源:ASML 分析
公開轉換為所有領域的晶圓需求預期增長未來,我們將邏輯分類為主流邏輯(>7 奈米)和高級邏輯(<= 7 納米)第 18 頁 CMD 202200萬晶圓起始/月(MWspm)6.7 8.6 2.1 3.21.9 2.2 2.1 2.6 2025 2030 年增長 2025-2030(千瓦分鐘/年)成熟邏輯 (28 奈米 > 28 奈米) 380 進階邏輯 (<= 28 奈米) 220 德拉姆 60 奈及 100 晶圓總需求 760 厘米 202400萬晶圓起始/月 (MWspm) 5.8 7.5 2.0 3.21.7 2.5 1.7 1.9 2025 2030 年增長 2025-2030 年 (千瓦時/年)成熟邏輯 (>28 奈米) 340 高級邏輯 (<= 28 奈米) 240 德拉姆 160 奈及 40 晶圓總需求 780 厘米二百四千萬晶圓起始/月 (兆瓦分鐘) 7.1 9.0 0.7 1.7 1.7 2.5 1.7 1.9 2025 2030 年增長 2025-2030 年 (千瓦時/年)主流邏輯(7 奈米 > 7 奈米)380 進階邏輯(<= 7 納米)200 德拉姆 160 奈及 40 晶圓總需求 780(舊邏輯分類)(新邏輯分類)12.8 16.6 11.2 15.1 11.2 15.1 15.1 2024 年 11 月 14 日來源:ASML 分析
公共 AI 預計將於 2030 年推動更強大的 dRAM 晶圓需求增長我們估計,僅人工智能伺服器的 DRAM 需求可以達到約 100萬個每分鐘頁 19 英維亞人工智慧擴展藍圖:快速增加的 HBM 內容人工智慧驅動伺服器 DRAM 晶圓需求 2022 2023 2024 2025 2026 2027 2020 2021 集裝箱 6S HBM3 94 Gb 6S HBM3e 141 Gb 黑威爾 8S HBM3e 192 Gb 黑威爾超 8BMS HBM3e 288 GB 安培 5S HBM2e 80GB 紅寶石 8S HBM4 紅寶箱 12S HBM4 GB200 超級芯片包括 2 支布萊克威爾 2020 2024 2026 2028 2030 年無線電源(不需要另一個電子支架)最新版本)DDR-標準服務器 DDR-AI 服務器 HbM-人工智能服務器 2024 年 11 月 14 日來源:英維亞投資者介紹 2024 年 10 月; ASML 分析
公眾將未來幾年晶圓需求與晶體管和位元增長相關聯我們預計 2025-2030 年期間的高級邏輯和 DRAM 增長率正常的頁面 20 高級邏輯晶體管增長 2025 2030 年 11 月 14 日德拉姆位元增長來源:ASML 分析 32% NAND 位元增長 2025 2030 年 2030 22% 26%
公開頁 21 晶圓容量將由晶圓需求和戰略考量驅動 2024 年 11 月 14 日來源:ASML 分析
公共晶圓產能將由晶圓需求和戰略考量驅動第 22 頁 • 52 億美元投資 • 稅收抵免美國 CHIPS 和科學法 • 26 億美元投資 • 日本半導體策略稅抵免日本政府支持 • 韓國半導體策略 • 480 億美元中央政府投資中國「大基金」第三期歐洲芯片法 • 48 億美元投資 • 稅收抵免 • 台灣晶片基金創新計劃首先,技術主權仍然是一種尾風,範圍越來越廣激勵措施 2024 年 11 月 14 日印度半導體使命 • 10 億美元的政府投資來源:公告,FTI 諮詢分析和 ASML 分析;注意:概述並非詳盡
公眾第二,到 2027 年開始上線的廠家對供應安全的越來越強調可見。第 23 頁歐洲/中東美洲亞洲 1218 78 每個地區即將推出廠房晶圓產能將由晶圓需求和戰略考量驅動 2024 年 11 月 14 日來源:SEMI(2024 年 11 月),ASML 分析
公眾最後,在 CMD 2022 上,我們標誌了鑄造競爭並談論我們三大客戶的投資頁 24 美國美國美國歐洲中國台灣韓國日本晶圓產能將由晶圓需求和戰略考量驅動 2024 年 11 月 14 日來源:公開公告,ASML 分析
公眾平衡情況下,我們今天仍將競爭視為尾風,隨著越來越多客戶宣布計劃頁 25 美國美國美國美國美國歐洲歐洲中國台灣韓國韓國日本日本晶圓產能將由晶圓需求和戰略考量驅動 2024 年 11 月 14 日來源:公開公告,ASML 分析
公共晶圓產能將由晶圓需求和策略考量驅動因此,我們預期 2030 年增加 5-8% 的總容量,除了需求驅動的增加外,除了需求導向增加外,科技主權將導致安裝容量的使用效率降低,因為國家/地區希望(重新)增加工廠佔據。• 加強對供應安全,導致地理擁有性分散,從而使負載平衡變得更困難 • 競爭激烈可能會導致球員嘗試過剩的能力過剩的時期佔領市場份額。戰略考慮瓦費產能:二百萬晶圓起始/月 (MWspm) 增長 2025-2030 年 (千瓦時/年)晶圓總需求 780 戰略考量 85 晶圓總容量 865 2024 年 11 月 14 日來源:ASML 分析
公共晶圓需求終端市場平版印花開支
公共先進邏輯和 DRAM 縮減預計將推動進一步的層次和支出暴露增加,結合晶圓量轉化為雙位數 EUV 支出 CAGR 頁 28 高級邏輯:EUV 光伏暴露總數平均數 * EUV 數量消費 CAGR(2025-2030):2024 年 11 月 14 日 10-20% 來源:ASML 分析;注意:* EUV 暴露為 0.33NA 等價,也可以包括 0.55NA 以一次 0.55NA 暴露與兩次 0.33 奈米曝光的比率達到 2025 2030 年 19-21 25-30 DRAM:歐盟電子電子產品暴露總數的平均數 * 歐盟光電消費長率(2025-2030 年):15-25% 2025 年 2030 年 5 7-10 4-6 預期的平均高 NA (0.55 奈米) 曝光情況 2-3 預期的平均高中 NA (0.55 奈米) 曝光
公共端市場、晶圓需求及利托消費半導體產業的長期前景仍然有前途,考慮到半導體作為多重大趨勢的關鍵任務推動者的角色。特別是,我們相信 AI 的出現創造了重要的機會。因此,我們預計全球半銷售額將以 9% 的年長率增長(2025-2030 年),並在 2030 年超過 1 億美元。主要訊息終端市場晶圓需求平板印刷支出這個終端市場前景表示,整體晶圓需求每年(2025-2030)每月 78萬顆晶圓起始量增長。人工智能成為領先的終端驅動因素也意味著從石料開支的角度來看晶圓需求狀況有積極的混合變化。最後,由於策略考慮因素,我們預計在 2030 年前增加 5-8% 的整體晶圓容量,除了需求驅動的增加。我們預計先進邏輯和 DRam 縮減將進一步推動 EUV 液晶層和支出。對於進階邏輯而言,我們預計在 2025-2030 年期間會逐步提升高 NA (0.55NA) 層,從而轉化為歐洲電子產品電子化學消費的 CAGR 為 10-20%。在德拉姆方面,我們預計在 2025-2030 年期間,低 NA(0.33NA)和高 NA(0.55NA)層都會增加,從而導致歐洲電子化學消費的 CAGR 為 15-25%。
公眾前瞻聲明本文件和相關討論包含 1995 年美國私人證券訴訟改革法案的前瞻性聲明,包括有關我們的策略、計劃和預期趨勢的聲明,包括終端市場和技術行業的趨勢和商業環境趨勢,包括 AI 的出現以及其對半導體行業的潛在機會和期望,包括計算能力、先進邏輯節點和 DR m 記憶體的聲明摩爾定律和預期晶體管在 2030 年增長和期望,全球市場趨勢和技術,產品和客戶路線圖,長期前景和平板和半導體行業預期增長和 2030 年以後半導體銷售和半導體市場機會的預期增長,晶圓需求和額外的晶圓容量需求,我們的客戶預期投資,包括投資於我們的技術和晶圓容量,計劃增加產能,預期增長平版開支、增長機會,包括服務和升級增長機會以及安裝基地管理銷售增長機會、整體平版業務的預期增長和毛利和應用產品的預期增長和毛利、增長的安裝基礎、SML 及其供應商的能力、預期系統生產、模型場景和 2030 年更新模型,包括 2030 年年收入和毛利機會和發展潛力,展望和預期、模型或潛在的財務結果,包括 2030 年收入機會、毛利、研發成本、銷售及銷售成本、資本支出、現金轉換週期和年度實際稅率,以及其他預期、模型或潛在金額的假設、半導體終端市場的預期趨勢、前景和增長機會、需求和需求驅動因素、預期機會和技術創新的基礎的其他假設產品包括 DUV EUV、High NA、Hyper NA、應用等影響生產力和成本的產品、晶體尺寸、邏輯和 DRAM 收縮、鑄造業競爭、股息和股回收政策聲明,包括期望透過增加股息和回購以及有關能源發電和消費趨勢以及致力於能源效益、減排和溫室氣體中立目標,向股東提供大量現金回報日期至實現溫室氣體中立、零浪費營運和其他 ESG 目標,以及保持 ESG 領導地位的計劃,提高全球技術主權以及對半導體銷售的預期影響,包括全球各國的具體目標、鑄造業競爭增加、2024 年的估計和其他非歷史性聲明。通常,您可以通過使用「可能」,「願意」,「可以」,「應該」,「計劃」,「信」,「預期」,「預期」,「計劃」,「估計」,「預測」,「預測」,「潛力」,「機會」,「場景」,「指導」,「意圖」,「繼續」,「目標」,「未來」,「進度」,「目標」,「目標」」以及這些單詞或可比較單詞的變體。這些聲明並不是歷史事實,而是基於當前的預期、估計、假設、模型、機會和預測有關我們的業務以及我們未來和潛在財務業績的預測,讀者不應過度依賴這些情況。前瞻性聲明不保證未來表現,並涉及許多重大已知和未知的風險和不確定性。這些風險和不確定性包括但不限於客戶需求、半導體設備產業能力、全球對半導體和半導體製造能力的需求、平版工具使用率和半導體庫存水平、半導體產業和終端市場的一般趨勢和消費者信心,包括目前宏觀環境對半導體行業的影響、市場復甦的不確定性,包括時間及影響通脹,利率,戰爭和地緣政治發展,疫情的影響,我們系統的性能,技術發展的成功和新產品開發速度和客戶對新產品的接受和需求,我們的生產能力和能力調整能力以滿足需求,供應鏈能力,零件和元件,原料,關鍵製造設備和合格員工,我們生產滿足需求的系統的能力,訂購系統的數量和時間出貨和收入記錄、淨預訂波動和我們將預訂轉換為銷售的能力相關的風險、訂單取消或推出的風險以及出口控制下訂單系統運送限制、技術、產品和客戶路線圖和摩爾法相關的風險、貿易環境、進出口和國家安全法規和訂單的風險及其對我們的影響,包括出口法規變更的影響和該等法規對我們的能力的影響獲得必要的許可證以及出售我們的系統並向某些客戶提供服務、匯率波動、稅率變動、可用流動性和自由現金流動性要求、我們再融資債務的能力、可用現金和分派儲備金等因素,以及影響股息支付和股份回購、我們在股份回購計劃下購回股份數目、我們執行專利和保護知識產權爭議的能力和訴訟,我們的能力以達成 ESG 目標並執行我們的 ESG 策略,其他可能影響 SML 業務或財務業績的因素,包括實際業績可能與 2030 年及其他未來期間提供的模型、潛力和機會有重大差異的風險,以及 SML 截至 2023 年 12 月 31 日止年度 20-F 表格新年報告及向美國證券交易委員會提交的其他風險因素所列出的風險因素。這些前瞻性聲明僅於本文件的日期起作出。除法律規定外,我們不承擔任何義務更新本報告日期後的任何前瞻性聲明,或將該等聲明符合實際結果或修訂的期望。本文件及相關討論包含有關我們對實現某些能源效率和溫室氣體減少目標的方針和暫時進展的聲明,包括我們實現溫室氣體中和的志願。「溫室氣體中性」的引用指在 SML 努力達成溫室氣體排放減量目標後,剩餘的排放量,並通過相同量的公噸碳點數進行補償,這些廢氣已符合認可品質標準驗證的碳點數。第 30 頁二零二四年十一月十四日
公眾二零二四年十一月十四日第 31 頁感謝