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Public Christophe Fouquet 全球市場趨勢行業及ASML技術路線地球韋爾多芬ASML投資者日荷蘭，2024年11月14日總裁兼首席執行官談談2024年展出99.2

Public • 半導體行業仍然強勁，預計人工智能將為超級計算機領域的主要投資創造更多機會，整個行業正準備將人工智能應用於所有關鍵未來應用程式 • 我們的行業將需要主要創新來應對人工智能預期的成本和能源消耗挑戰，這將進一步推動行業路線圖轉向先進邏輯和DRAM • 我們的客戶仍然是我們戰略的核心，我們相信光刻將繼續是他們創新的核心。我們還預計，在先進邏輯和記憶體工藝中關鍵光刻曝光次數的增加將繼續支持我們的客戶應對挑戰 • 我們期望我們能夠1- 把我們的EUV技術擴展到下一個十年，2-將整體光刻擴展到支持3D前端集成和3-改進我們DUV產品的性能和成本效益將繼續滿足所有客戶的需求，擁有靈活多樣的產品組合 • 我們將繼續利用我們龐大且不斷增長的安裝基地（DUV，EUV）提供超過20年使用壽命的高價值服務和升級 • ASML重視強大的行業夥伴關係對我們的成功至關重要，以及我們對ESG領導地位的集體承諾我們預期我們將能夠將EUV技術擴展到未來十年，並擴展我們多才多藝的整體光刻組合，這可能將ASML置於人工智能機遇的中心，將持續在本十年創造可觀的營收和利潤增長。第2頁2024年11月14日

Public A 客戶信任和合作仍然是ASML戰略的核心 Seon-Yong Cha，Sk Hynix CTO 我們預期我們將能夠將EUV技術擴展到未來十年，並擴展我們多才多藝的整體光刻組合，這可能將ASML置於人工智能機遇的中心，這將持續在本十年創造顯著的營收和利潤增長。第3頁2024年11月14日

公眾我們看到我們的社會從各處的晶片到人工智能晶片到處 Gen AI開啟無窮機遇，預計到2030年將為GDP增加6-13兆美元連接的世界氣候變化和資源匱乏社會和經濟轉變自動化醫療保健，醫療技術技術主權遠程工作，遠程學習雲基礎設施超連接邊緣運算能源轉型電氣化，智能移動農業創新更智能地利用有限資源第4頁*來源：麥肯錫公司，GenAI：半導體行業下一個S型曲線？| 2024年3月物聯網2024年11月14日

公共物聯網雲基礎設施邊緣運算能源轉型自動化醫療保健，醫療技術技術主權遠程工作，遠程學習超連接電氣化，智能移動農業創新更智能地利用有限資源人工智能具有驅動整個行業向前發展的巨大潛力在許多應用領域主流市場增長迅速，高性能繼續遵循摩爾定律 I-Line 愛文思控股段主流段愛文思控股段主流段 300 mm 300 mm 300 mm 300 mm 300 mm 200 mm 300 mm 300 mm 200 mm 150 mm 300 mm ArFi KrF ArF DRAm NAND MPU ANALOG POWER OPTICAL SENSORS NON - OPTICAL SENSORS LOGIC Mainstream LOGICSPECIALTY MEMORY ADVANCED PACKAGING EUV US TW CN EU JP USKR IRL 2024年11月14日第5頁

公共雲基礎設施邊緣運算能源轉型自動化醫療，醫療技術技術主權遠程工作，遠程學習超連接電氣化，智能移動農業創新更智能地利用有限資源我們重申我們對到2030年全球半導體銷售額超過1兆美元的看法對消費者產品中人工智能的推出速度尚不確定 >1兆美元 2030年半導體銷售 2015 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024半導體銷售 [億美元] 0 高性能計算 40% 其他物聯網汽車手機數據人工智能動力計算（+記憶體）第6頁*來源：張凱文，台積電，半導體行業：現在和未來，IEEE固態電路會議，2024年2月 *來源：WSTS和加特納全球數據中心和邊緣人工智能需求預計將年穩定增長 2030年將占半導體銷售需求的40%以上，為我們行業帶來一些增長應用物聯網傳感器主流邊緣運算人工智能？ *來源：麥肯錫公司，GenAI：半導體行業下一個S型曲線？| 2024年11月14日

第7頁公開發布關於半導體設備硬件ASML同行半導體非半導體2023年虧損半導體生態系統具有相當多的創新推動手段，儘管市場不景氣，生態系統在2023年實現了超過8650億美元的EBIt邏輯IDm鍛造晶圓分銷商EDA汽車PC智能手機合同製造服務器工業消費品鍛造同行非半導體半導體製造半導體設計軟體和服務來源：企業市場營銷（CMKT）分析；公司報告；註：EBIt = 利息稅前收入。框大小按照EBIt進行縮放2024年11月14日

公開半導體生態系統已經投入了約一半的EBIt來推動長期創新和增長，我們預計這種趨勢將持續第8頁2015年2016年2017年EBIt [十億美元] 2018年研發 [十億美元] 2019年2020年2021年2022年2023年449540616564616883817865197220252289318348404468504來源：企業市場營銷（CMKT）分析；公司報告；註：EBIt = 利息稅前收入。10462024年預估54110億美元2024年11月14日

公開計算能力的摩爾定律仍然有效每兩年一次的每個封裝的電晶體數量繼續翻倍，到2030年達到一兆來源：nn Kelleher， ntel，“摩爾定律-現在和未來”， ntel投資者日 2022年2月17日電晶體數量指包裝（log）立志到2030年達到一兆英特爾產品的內部分析。未來預測基於仍在設計中的產品。未來的晶體管數量是預測的，並且本質上是不確定的2005年2010年2015年2020年2025年2030200019951990第9頁每2年為周期翻倍2024年11月14日

公開超高性能計算需求超越摩爾定律我們預計生成式人工智能將需要加速摩爾定律的能源使用，如果不加以解決，能源使用可能將對未來的培訓能力設定一個上限第10頁每包裹的計算量[FLOPs]每2年翻倍每包裹的能源使用[J]每2年下降0.6倍2005年2010年2015年2020年2025年2030200019951990人工智能的計算需求來源：高性能計算：https://top500.org/lists/top500/基於FP64性能；消費者GPU：nVidia和AMD的數據表基於FP32性能來源：EPOCH，“显著的模型”2024年6月，更新於2024年11月能源需求用於人工智能2024年11月14日

公共高性能計算生成式人工智能，高性能計算能力超越了摩爾定律，到2030年，超過70%的數據中心需求可能由人工智能推動，代表超過90%的Gen AI FLOPs第11頁每包計算[ FLOP s ]每2年增長2倍能源每包計算[J ]每2年減少0.6倍 2005年2010年2015年2020年2025年2030200019951990年11月14日資料來源：高性能計算：https://top500.org/lists/top500/基於FP64性能；消費者GPU：nVidia和AMD數據表基於FP32性能資料來源：EPOCH，「值得注意的模型」2024年6月，更新於2024年11月

公共生成式人工智能，高性能計算能力超越了摩爾定律。超級計算機架構有潛力滿足人工智能需求第12頁高性能計算每2年計算[ FLOP s ]增長2倍摩爾定律每2年能源使用[J]（每次計算消耗的能量）減少0.4倍能源使用效率增加每2年減少0.6倍每3年增加3倍計算效率2005年2010年2015年2020年2025年2030200019951990年阿貢領導計算設施：https://www.alcf.anl.gov/aurora高性能計算Aurora超級計算機（HPC和人工智能應用）提供200,000,000,000,000,000,000 FLOPs，2024年11月14日

公共生成式人工智能，高性能計算能力超越了摩爾定律。體系結構成本必須降低才能充分啟用人工智能機會。Aurora超級計算機（HPC和人工智能應用）以超過8.5萬CPUS / GPUS，超過20Pb的記憶體運算和超過230Pb的存儲記憶體，成本約500M$提供FLOPs超過2,000,000,000,000,000,000。成本：超過500M$第13頁阿貢領導計算設施：https://www.alcf.anl.gov/aurora2024年11月14日

公共生成式人工智能，高性能計算能力超越了摩爾定律。高性能計算快速增長的能源消耗必須得到解決，以防止訓練能力的上限 1952年1960年1968年2008年2016年1023 1021 1019 1017 1015 1013 1011 109 107 105 103 101兆訓練計算（FLOP s）深度學習時代，包括特徵提取大規模時代結合複雜數據集阿貢領導計算設施：https://www.alcf.anl.gov/aurora。| 來源: Lisa Su, AMD, ITF 2024年5月21日 1025年2022年生成式人工智能Aurora超級計算機（HPC和人工智能應用）使用60MW和每分鐘34000加侖水進行冷卻提供FLOPs超過2,000,000,000,000,000,000，能源消耗：超過60MW第14頁2024年11月14日

高性能計算的公共可擴展性是無限的……但必須應對新的成本和能源挑戰，以釋放人工智能機會。人工智能計算架構1人工智能架構成本2半導體行業需要以最低成本提供最高計算功率/晶體管密度，包括可能的CO2排放最低。頁15人工智能耗電量3成本估計：~ 500M $ 2 exa FLOPS 60MW資料來源：Lisa Su，AMD，ITF 2024年5月21日艾彭岸領導計算設施：https://www.alcf.anl.gov/aurora 2024年11月14日

我們預期人工智能應用將加速對先進邏輯路線圖的需求2018年2020年2023年2025年2027年2029年2031年2033年2035年2037年2039年未來2D和3D創新為未來15年鋪平道路頁16 2024年11月14日

我們期待人工智能應用將轉變DRAm架構和容量未來DRAm應該整合額外的邏輯功能以提高性能和能源效率頁17“P m可以通過向DR m內存添加額外的邏輯功能，從而提高記憶綁定工作負載的性能和能源效率” 2024年11月14日

10 100 1000 2015年2020年2025年2030年因此，我們預計邏輯和DRAm的晶體管增長仍將強勁繼續，我們預計半導體需求組合將轉向先進的邏輯和DRAm頁18 DRAM G b 產量 [每月1018 ]CGRA '15-'23：18％ DRAM資料來源：邏輯歷史：ASML結束市場模型，DRAM歷史：WSTS，預測：ASML 10 100 1000 2015年2020年2025年2030年兆ra n s晶體管產量 [每月1018 ]CGR '15-'23：26％邏輯 2024年11月14日

未來流程優化的核心應該是成本和能源的降低1.提高每一步處理的優質晶體管數量2.簡化整體流程3.將每個處理步驟的成本和排放降至最低40〜80個周期頁19為支持人工智能路線圖，應降低晶圓圖案的總成本和總排放，晶圓圖案的總成本和總排放可以通過：二氧化碳 2024年11月14日

公共頁面 201 來源: 全球最大的光刻機領先供應商ASML，不包括標準電芯設計的創新。良好的印刷晶體 / € [ a .u .] 1 ASML在幾十年來以較低成本提供更高的晶體密度。我們相信，EUV的可擴展性和全面的光刻技術可以將我們的歷史趨勢延伸到下一個十年（關鍵層）。2005年 2010年 2015年 2020年 2025年 2030年 2035年 2040年隨著時間的推移的全面光刻能力 ArFi EUV 0.33 EUV 0.55 EUV 0.75 ArFi EUV 0.33 EUV 0.55 EUV 0.75 2024年11月14日

公共頁面 211 來源: 全球最大的光刻機領先供應商ASML，不包括標準電芯設計的創新。良好的印刷晶體 / € [ a .u .] 1 ASML在幾十年來以較低成本提供更高的晶體密度。我們相信，EUV的可擴展性和全面的光刻技術可以將我們的歷史趨勢延伸到下一個十年（關鍵層）。2005年 2010年 2015年 2020年 2025年 2030年 2035年 2040年隨著時間的推移的全面光刻能力。整體 2024年11月14日

公共 2024 2030 2024至2030：良好的印刷晶體殞氧化碳科技成本環保成本 +150% / 曝曝光 - 30% / 曝曝光 - 50% / 曝曝光擴展性 ASML的創新可以將EUV光刻技術的好處延伸給客戶，以更低的成本和能源提供更多優質的晶體，同時提高ASML的盈利能力。第22頁 = 良好的印刷晶體光刻曝曝光成本殞氧化碳備註：未考慮可能的通貨膨脹，曝曝光成本減少 2024年11月14日

公共第23頁 = 良好的印刷晶體全部光刻成本殞氧化碳 ASML的創新可以將EUV光刻技術的好處延伸給客戶，以更低的成本和能源提供更多優質的晶體，同時提高ASML的盈利能力。2024年11月14日

公共良好的印刷晶體解析生產力準確度圖案酬給 × × × 操作成本環保成本系統成本壽命/ + 1公噸殞氧化碳 = 200歐元 + 總光刻成本 ASML旨在在各方面進行創新，以最大化其產品組合價值。對每種產品（EUV、DUV…）的創新將針對特定客戶和市場需求。第24頁 = 2024年11月14日

公開客戶信任和合作仍然是ASML戰略的核心。Sk Hynix CTO Seon-Yong Cha我們期待我們將EUV技術擴展到下一個十年，並擴展我們多才多藝的全面光刻系列，這可能使ASML成為人工智能機會的核心。這將在本十年繼續為收入和利潤帶來顯著增長。

公開我們預料半導體製造商將繼續推動縮小晶體尺寸，減少晶體尺寸仍然可能是以降低成本的方式推動密度提高的最簡單方法。第26頁SP：單光刻，DP：雙光刻，QP：四重光刻，EPE：邊緣位置錯誤. 來源：Luc van den Hove, IMEC, ITF 2024年5月21日0 5 10 15 30 20 25 21 18 16 14 28 5.2 4.3 3.5 3.5 公開數據客戶預測2020年2023年2025年2027年2029年2031年2033年2035年17 14 3.8 22 23 E P E [nm]，節點，金屬間距，線性尺度高產年份20392037 12 3 5 3 2 1.4 1.0 0.7 0.20.5 0.3次級0.2邏輯金屬間距[nm]邊緣位置錯誤[nm]不確定性5.5 4.5 5.8節點名稱1[nm] 40估計2024年11月14日。

公開預計邏輯和DRAM將繼續推動更進一步的重要光刻曝光。我們預期EUV 0.33 NA層將持續增加節點對節點。第27頁2025年2029年-2030年2025年2029年-2030年高低高低低高NXE 0.33 NA低高EUV支出CAGR 10-20% UV CAGR 15-25% DRAMLOGIC EUV光刻0.33NA曝光（加權平均）2024年11月14日。

公開EUV 0.33 NA可能使多重光罩轉換為單次曝光，從而為我們的客戶帶來成本、良率和週期時間的好處。第28頁2022年2024年2026年2028年2030年2032年單次曝光（EUV 0.33 NA）平均光刻成本每層2018年2020年邏輯（LE-LE-LE-層）DRAM（SA-LE-LE-層）邏輯（LE-LE-層）2 1 3 標記：LE = 光刻-蝕刻| SA = 自我對準多重光罩成本單次曝光成本2024年11月14日。

公共歐洲光刻EUV 0.33 NA可能促使更多的多重圖案轉換為單次曝光，導致愛文思控股在2025年至2030年間的EUV曝光次數增加，2022年2024年2026年2028年2030年2032年SE（EUV）平均每層圖案成本佔比分別為64％25％17％58％33％3％LE-LE-LE SE（EUV）邏輯-5層2 DRAm（DUV-EUV）2025年2027年1 3x LE SE 2019年邏輯（DUV-EUV）2x LE SE 2028年邏輼（DUV-EUV）3光刻CAPEX光刻OPEX非光刻參考（SE DUV）SE DUV 4x SPACER2x SPACER 2x LESE SE SE LOGIC（LE-LE-LE-層）DRAm（SA-LE-LE-層）LOGIC（LE-LE-層）>4X >2X>1.5X>2X >1.5X光刻密度增加的百分比圖說：LE = 光刻-蝕刻| SA = 自對準2024年11月14日

公共0.55 NA EUV機會現在開始，因為0.33 NA EUV轉向對<26nm節奏關鍵層的多重圖案化SP：單曝光，DP：雙重圖案化，QP：四重圖案化來源：1Luc van den Hove，IMEC，ITF2024年5月21日0 5 10 15 30 20單次曝光0.55雙曝光0.55 0.55 NA EUV採用機會單次曝光0.33雙曝光0.3325 21 18 16 14 28 5.2 4.3 3.5 3.5公共數據顧客預測估計2020年2023年2025年2027年2029年2031年2033年2035年17 14 3.8 22 23EPE [nm]，節點，金屬節距，線性尺寸高產量年份7 20392037 12 3 5 3 2 1.4 1.0 0.7 0.20.5 0.3次-0.2邏輯金屬節距[nm]邊緣放置錯誤[nm]不確定性5.5 4.5 5.8節點名稱1[nm]2024年11月14日

公共邏輯：高NA EUV使得1.5D和2D設計具有更多自由度單次曝光簡化減少工藝步驟、週期時間並提高產量曝光NXE 1曝光NXE 2曝光NXE 3水平方向P22結合垂直方向P28。第31頁這種多曝光方法由於複雜性而未在高產量製造中進行高NA單曝光低NA多重圖案高NA邏輯金屬約35%成本優勢和工藝簡化曝光高NA1 2024年11月14日

公共邏輯和DRAm預計將在2026-27年進一步推動關鍵的光刻暴露，2025年十年末將採用高NA的大規模製造2029-2030 DRAMLOGIC 4-6 2-3 預計平均高NA層數頁32 2025 2029-2030高低高低低高 NXE 0.33 NA EXE 0.55 NA 低高 EUV光刻機0.33NA等效暴露(加權平均) >2030 # of EUV 0.33 NA Exposures >2030 >3 EUV光刻機0.33NA等效暴露(加權平均) 2024年11月14日

公共高NA EUV的最新光學創新為我們的EUV路線圖奠定基礎皮米穩定性(1/200個矽原子)在不對稱鏡子上實現第33頁 NA >0.5高NA鏡子計量在Zeiss掩模級別晶圓級NA 0.33晶圓級掩模級別2024年11月14日

公共EUV光源功率持續提高，有機會達到>1000W 740W EUV功率展示EUV光源功率的演變2010年2015年2020年2025年0 100 200 300 400 500 600 EUV source power [Watts] 產品2030 700 800 900 1000 - 未來實現>1000W的措施 1 2 研究1 EUV等離子1μm 預脈衝1μm 稀薄脈衝10μm 主脈衝2等離子處理1和10µm IR光源目標稀薄目標錫液滴1µm架構液滴重復頻率第34頁2024年11月14日

公共高NA EUV光學支持更高生產力EUV平台的愿景EUV性能和生產力可以延伸到下一代(>2030)0.33 NA 0.55 NA 0.75 NA 今天EXE平台NXE平台系統共通性約50% ~95% 未來: 更高生產力平台第35頁2024年11月14日

公共0.75 NA EUV機會在未來十年，當小於16納米間距時將需要更高生產力平台設計以支持未來超高NA需求第36頁 SP: 單光刻, DP: 雙光刻, QP: 四重光刻資料來源: 1Luc van den Hove, IMEC , ITF 2024年5月21日單曝光0.75 0 5 10 15 30 20 25 21 18 16 14 28 5,2 4,3 3,5 3,5 公共數據客戶預測估計2020年2023年2025年2027年2029年2031年2033年2035年 17 14 3,8 22 23 E P E [nm], Node, metal pitch, Linear scale 高產量生產年份7 2039年2037年12 3 5 3 2 1,4 1,0 0,7 0,20,5 0,3 小於0.2 邏輯金屬間距[nm] 邊緣位置誤差[nm] 不確定性5,5 4,5 5,8 节点名称1 [nm] 多重曝光0.75 0.75 NA EUV 採納機會在2032年後邏輯扩展技术取代多重光刻0.55NA通过0.75 NA單光刻雙曝光11月14日2024年

公開我們預計前端3D整合將在驅動密度方面補充2D縮小。前端3D整合挑戰將觸發所有半導體產品的新光刻機機會第37頁 Stack LOGIC W-W混合 W-W融合 W-W | D-W融合覆蓋 3D NAND BSPN CFEt HVm 2026 >2032 陣列CMOS邏輯裸硅邏輯邏輯鍵合5nm → 2nm50nm → 25nm 2.5nm → 1.6nm 光刻KrF NXE/EXE NXE/EXE Array W-W / D-W混合陣列CMOS 50nm → 25nm KrF NAND DRAm W-W混合 W-W混合 W-W / D-W混合 3D ARRAY4F2 2D ARRAY >2027 >2032 >2032 陣列CMOS 陣列CMOS 陣列CMOS 陣列 >4.5nm6nm → 3nm 6nm → 3nm ArFiArFi ArFi >2030 2024年11月14日

公開全面光刻應支持前端3D整合。預鑄合前後的計量和掃描儀控在覆疊的關鍵工藝點上是必要的。第38頁預成鍵合CMOS掃描儀校正和控制ARRAY掃描儀和離線計量2 1執行器事後鍵合鍵合ARRAY CMOS執行器大晶圓變形3計量光刻掃描儀全面光刻工藝控制點執行器321 >5000測量/晶圓50 - 100納米覆疊誤差 >2000測量/晶圓 < 5納米覆疊誤差< 5納米覆疊誤差全面光刻將對使覆疊誤差符合規範進行大量計量 2024年11月14日

公開光刻是一個強大的工具，可以補償工藝指紋。修正能力增加了約5個數量級，現在每次曝光有100,000個參數。曝光階段測量了100％晶圓，處理了100％晶圓的場景Metrology stage Even Fingers Odd Fingers Grey Filter X Y Z Optical Centerline Dose manipulator Flexible Illuminator Reticle stage 1975 1980 1985 1990 1995 2000 2005 2010 2015 2020 2025 1000 100 10 1 0.1 O v e rl a y [ n m ] 1,000 100 10 1 10,000 # u s e r s e le c ta b le l it h o c o rr e c ti o n s 100,000增加的每個場、晶圓、批次的校正能力掃描儀和流程控制軟體 2024年11月14日第39頁

公開晶圓鍵合可推動DRAm記憶體晶體密度增加目前有3種DRAm路線圖正在進行，全部包括鍵合並需要主要的創新第40頁 2025年2026年2027年2028年2029年2030年2031年2032年2033年2034年2035年2036年 D1c D1d D0a D0億D0c D0d D0e D0f 1）CBA: CMOS陣列鍵合- CMOS邏輯晶片鍵合到記憶體陣列 2）疊堆: 陣列鍵合- 2個或更多記憶體陣列晶片互鍵。晶圓或晶元基礎6F26F2 出處：企業市場部（CMKT）分析

公共晶圓黏合技術可以提升DRAM記憶體的晶體管密度，DRAM路線圖目前有3個情境正在進行，都包括黏合並需要主要創新。第41頁 2025年 2026年 2027年 2028年 2029年 2030年 2031年 2033年 2034年 2035年 2036年 1c 1d 0a 0億0c D0d D0e D0f 1）CBA：CMOS綁定陣列 - CMOS邏輯晶圓黏合到記憶陣列 2）層壘積：陣列黏合 - 2個或更多記憶陣列晶圓互相黏合。采用晶圓或晶粒 6F26F2 2032 6F2 + CBA 4F2 + CBA4F2 記憶器基載 LOGIC黏合記憶器基載 LOGIC黏合資料來源：公司營銷（CMKT）分析，2024年11月14日

公共晶圓黏合技術可以提升DRAM記憶體的晶體管密度，DRAM路線圖目前有3個情境正在進行，都包括黏合並需要主要創新。第42頁 2025年 2026年 2027年 2028年 2029年 2030年 2031年 2033年 2034年 2035年 2036年 1c 1d 0a 0億0c D0d D0e D0f 1）CBA：CMOS綁定陣列 - CMOS邏輯晶圓黏合到記憶陣列 2）層壘積：陣列黏合 - 2個或更多記憶陣列晶圓互相黏合。采用晶圓或晶粒 6F26F2 2032 6F2 + CBA 4F2 + CBA4F2 記憶器基載 LOGIC黏合記憶器基載 LOGIC黏合 3D積層 0d 0e 0f 資料來源：公司營銷（CMKT）分析，2024年11月14日

公共晶圓黏合技術可以提升DRAM記憶體的晶體管密度，DRAM路線圖目前有3個情境正在進行，都包括黏合並需要主要創新。第43頁 2025年 2026年 2027年 2028年 2029年 2030年 2031年 2033年 2034年 2035年 2036年 1c 1d 0a 0億0c 0d 0e 0f 1）CBA：CMOS綁定陣列 - CMOS邏輯晶圓黏合到記憶陣列 2）層壘積：陣列黏合 - 2個或更多記憶陣列晶圓互相黏合。采用晶圓或晶粒 6F26F2 4F2 + CBA4F2 2032 6F2 + CBA 3D陣列 ~>125層 2D陣列 4F2 + CBA /陣列 2D陣列 6F2 + CBA /陣列記憶器基載 LOGIC 記憶器基載 LOGIC黏合黏合 + 積層黏合黏合 + 積層黏合資料來源：公司營銷（CMKT）分析，2024年11月14日

公共黏合 CBA黏合技術成本仍然是我們客戶路線選擇的主要標準 EUV擴展性和整體光刻技術可以支持未來前端3D整合方案第44頁 2023年 2025年 2027年 2028年 2030年 2032年 2034年 2035年 2037年 2039年 20410億it 消費技術成本擴展（每GB） – 對數比例 3D陣列今日的性能； 5層3D陣列的性能挑戰理論125層，如果生產HVm與當前能力相比 6F2 / 4F2 6F2 3D陣列插入 2032年需要125層新DRAM工廠新設備 125L 新材料？ 3D陣列 2D陣列資料來源：公司營銷（CMKT）分析，2024年11月14日

公共頁 45 2023年 2025年 2027年 2028年 2030年 2032年 2034年 2035年 2037年 2039年 2041年 3D列陣今天的表現; 5層3D列陣成本挑戰理論上如果使用今天的能力在HVm生產125層3D列陣 6F2 / 4F2 6F2 3D列陣插入在2032年需要125層新的DRAm工廠新設備 125 L CBA鍵合 CBA鍵合 + 疊層鍵合 + 疊層鍵合技術成本仍然是我們客戶路線選擇中的主要標準 EUV擴展性和整體光刻技術可以支持未來前端3D集成方案 300 L 新材料？成本擴展（每GB$）-對數尺度 2D列陣資料來源：企業市場(CMKT)分析2024年11月14日

公共ASML仍致力於實現其減排零碳目標加強價值鏈合作，旨在加速應對氣候行動頁46 幫助社會將全球溫度上升限制在1.5°C 改善槓桿 2025年 2030年 2040年 2050年巴黎協議類別繼續合作合作消除産品使用排放 ▪ 改善ASML產品的能源效率 ▪ 支持行業努力改善可負擔的可再生能源訪問，促使客戶到2040年來源100%可再生能源 ▪ 與半導體行業合作擴展可信的碳排放清除選項合作來采購溫室氣體中性產品 ▪ 設定低碳設計規範 ▪ 支持轉向可再生能源 ▪ 從2030年起，獲得供應商承諾彌補任何產品殘留排放綠色氣體中性綠色氣體中性繼續推動能源效率和可再生能源 ▪ 減少能源使用 ▪ 使用可再生能源 ▪ 從2025年起彌補任何殘餘排放 ▪ 減少能源使用 ▪ 使用可再生能源 ▪ 從2025年起彌補任何殘餘排放綠色氣體中性綠色氣體中性範疇1＆2 範疇3 製造和建築業務出差和通勤供應鏈產品使用目標目標目標此幻燈片必須與ASML最新年報中的披露一起閲讀，並且受FRC的影響，基於以前的ASML最近年報和SML根據美國證券交易委員會提交的20-F表格的年報，包括戰略報告中有關依賴價值鏈中第三方減少排放的風險因素和附錄-有關排放目標的特別注意事項溫室氣體中性：在SML努力實現其溫室氣體排放減量目標後，通過相同數量的經過認證的碳信用予以補償剩餘排放

我們的EUV創新還有望在15年內將EUV 能源消耗降低，我們預計每個晶圓曝光所需能源將減少80%，在2018年至2023年間進行改善，至2033年每個晶圓的能源相當於100%的絕對功耗晶圓能源2025年至2031年20%提高，全面功率等效物晶圓（kW）每小時晶圓總功率量，截至2024年11月14日第47頁

公眾吸引力和包容性社區STEm ESG創新員工捐贈有助於改善我們社區的積極經驗，擴大社會需要解決一些關鍵挑戰的人才庫，支持解決關鍵ESG挑戰的創新思想，與我們社區的人們互動和關懷ASML正在增加與社區的合作，ASML和社區互相受益，並互相支持發展，截至2024年11月14日第48頁

公開展望性聲明本文件及相關討論包含根據美國1995年私人證券訴訟改革法案意義屬於前瞻性的聲明，涉及我們的戰略，計劃和預期涵蓋，包括終端市場和科技行業的趨勢，商業環境趨勢，包括人工智能的興起及其潛在機會，對半導體行業的預期，包括計算能力，先進邏輯節點和DRM記憶，對摩爾定律及預期晶體管增長和2030年之前的愿景，全球市場趨勢和技術，產品和客戶路線圖，長期展望以及預期的光刻及半導體行業增長和趨勢，以及預期的半導體銷售和2024年至2030年及以后的半導體市場機遇增長的預期，對瓦的需求和容量的增長以及額外的晶片容量需求，預期我們客戶的投資，包括對我們技術和晶圓容量的投資，增加容量的計劃，預期光刻花費的增長，增長機會，其中包括服務和升級增長和基底管理銷售增長機會，期望的全景和與應用產品的可實現市場的毛利率增長機會和增長的好處，以及全球的特定目標，增強索賽，預期美國球的競爭，2024年估計和其他非歷史性聲明。您通常可以通過使用單詞像“可能”，“將”，“可能”，“應該”， “項目”，“相信”，“預期”，“計劃”，“估計”，“預測”，“潛在” ，“機會”，“情境”，“指导”，“打算”，“繼續”，“目標” 和這些詞的變體來識別這些語句。這些語句並非歷史事實，而是基於對我們的業務及未來和潛在的財務結果的當前期望，估計，假設，模型，機會和投影，讀者不應過分依賴它們。前瞻性聲明不能保證未來表現，涉及多個實際知名和未知風險和不確定性。這些風險和不確定性包括但不限於，客戶需求，半導體設備行業的容量，半導體和半導體制造能力的全球需求，光刻工具利用率和半導體庫存水平，半導體行業和終端市場的一般趨勢和消費者對半導體行業和終端市場的信心，通貨環境的影響，包括當前宏觀經濟環境對半導體行業的影響，對市場恢復的不確定性，包括市場恢復的時間，通脹的影響,利率，戰爭和地緣政治發展，疫情的影響，我們系統的表現，技術遞進的成功，新產品開發的速度和客戶對新產品的接受性和需求，我們的生產能力和調整能力以滿足需求，供應鏈容量，及時提供零件和組件，原材料，關鍵生產設備和合格員工，我們能夠生產系統以滿足需求，已訂購，交付和認可的系統的數量和時間對於收入的到期分，與淨訂單波動有關的風險以及我們將訂單轉化為銷售的能力，訂單取消或次品的風險以及根據出口管制可能對訂購系統的出口限制，與技術，產品和客戶的技術路線圖和摩爾定律有關的風險，與貿易環境，進出口和對我們的國家安全法規和命令以及對我們的影響的全球趨勢，包括出口監管變更的影響以及其對取得必要牌照和向某些客戶出售我們的系統和提供服務的影響，匯率波動，在稅率的變化，可用流動性和自由現金流量以及流動性需要求，我們能夠更換我們的負債，可用現金和可分配儲備以及影響我們負債支付和股票回購的其他影響，我們回購籌資券的數量，我們執行專利和保護智慧產權權利的能力以及智慧產權争端和诉讼的结果，我们实现ESG目标和执行ESG战略的能力，可能影响SML业务或财务结果的其他因素，包括实际结果可能与我们所展示的2030年和未来期间的模型，潜力和机会有实质性差异的风险和机会，以及在SML's nnual报告中表明的风险因素，报告截至2023年12 31 日的年度形式20 F以及美国证券交易委员会提交的其他文件。这些前瞻性语句仅截至本文件日期最后一日。我们不对本报告日期后的任何前瞻性语句承担更新义务，也不会针对实际结果或修订后的期望对其进行调整，除非法律要求。本文件及相关讨论包含涉及我们的方法和暂时进展的陈述，以实现一定能源效率和减少温室气体排放目标，包括我们致力于实现温室气体中性的雄心。对“温室气体中和” 的引用意味着SML努力实现其温室气体排放目标后未经认可质量标准认证的剩余排放量，即同等量的碳积分。Page 492024年11月14日

公眾,謝謝您