也是在这样的背景之下，近日有人表示，中芯国际已经实现了14nm，接下来就是N+1工艺，达到了接近7nm的水平，说不定中芯都要追上英特尔了，甚至还要超过intel了。衆所周知，作爲全球最知名的芯片企業英特爾，在芯片製造技術上真的是落後了，現在才實現10nm技術，而臺積電、三星已經實現了5nm芯片的製造。
也正因爲英特爾的落後，所以今年intel的日子不太好過，AMD找臺積電代工後，搶走了很多intel的市場，然後蘋果推出M1芯片，也要替換掉intel。
也是在這樣的背景之下，近日有人表示，中芯國際已經實現了14nm，接下來就是N+1工藝，達到了接近7nm的水平，說不定中芯都要追上英特爾了，甚至還要超過intel了。
那麼中芯國際真的要追上英特爾，甚至超過intel了麼？在我看來，還真不是的，不要小看了intel的工藝，更不要單從工藝節點來看。
首先說說英特爾的14nm工藝，按照半導體界最被大家認可的一項參數，也就是晶體管密度來看，intel的14nm工藝，達到了44.67MTr/mm²，也就是每平方毫米達到4467萬個。
而中芯的14nm，晶體管密度爲30MTr/mm²，也就是每平方毫米達到3000萬個，同樣工藝，intel的晶體管密度是中芯的1.5倍。
而中芯的N+1按照網上的說法，最多也就是接近臺積電的7nm工藝，甚至還達不到，按照晶體管密度來算，最多也就是達到臺積電7nm的同樣的水平，那就是91.2MTr/mm²。
但英特爾的10nm，就已經達到了100.76MTr/mm²，這個數值已經是強過於臺積電的7nm工藝的了。
所以就算中芯的N+1實現了，並且與臺積電的7nm同一水準，都比不上intel的10nm，更何況明年intel也能實現7nm，英特爾的7nm可是與臺積電的5nm一個級別的。
另外除了最權威的邏輯密度外，芯片的性能技術等，還與鰭片間距、柵極間距、最小金屬間距、邏輯單元高度、芯片的頻率等等參數有關。
所以實話實說，中芯與英特爾的差距真的還很大的，並不是從字面上來看的所謂10nm、14nm、N+1能夠表現出來的。
