要点一周回顾:
本周(2016.8.19-2016.9.2)沪深300指数上升0.21%,创业板指下跌0.86%,中小板指下跌1.01%。电子元器件(中信)板块下跌1.20%,跌幅大于创业板指。子板块方面,跌幅最大的是电子体设备,达到2.7%。
电子行业个股涨幅前五的公司为:同洲电子(002052),莱宝高科(002106),深华发A(000020);生益科技(600183);东旭光电(000413)。
行业动态:
2018年VR头戴装置将达4,300万台:资策会MIC日前在2017资通讯产业趋势回顾与前瞻记者会上预估2018年全球VRHMD出货量将达到4,300万台,相较于今年将成长3,000万台以上。
2020年中国将消耗全球四成NANDFlash:DRAMeXchange预估2017年中国市场所消耗的NANDFlash量将占全球30%以上,2020年将占全球逾40%。
英特尔正式发布第七代酷睿处理器:芯片巨头英特尔正式发布了全新第七代酷睿处理器,这一代处理器的微架构代号为KabyLake,主要是用于代替2015年发布的第六代酷睿芯片的Skylake微架构。
Skylake架构基于14nm工艺制程,功率和性能提升明显。
台积电将推出GaN快充芯片:台积电协同合作伙伴戴乐格半导体(DialogSemiconductor),将于明年第1季推出首颗氮化镓(GaN)手机快充晶片,该晶片具备体积缩小、效能提高、充电时间减半等优势,适用于手机及平板等行动快充。
核心观点:电子行业中报业绩喜人,逾7层公司收入实现增长:A股电子元器件行业172上市公司公布2016年中报,其中111家净利润同比增长,61家下降,132家营业收入同比增长,40家下降,净利润和营业收入同时增长的公司有英唐智控等96家,利润收入均下降的有同洲电子等25家,业绩增幅翻倍的公司有32家,其中麦达数字净利润增幅最大,达7185.73%。
国内NAND闪存市场需求增长强劲,将加速闪存芯片国产化进程:日前,闪存产业的指标性展会──2016年全球闪存高峰会(2016FlashMemorySummit)在北京落幕,该峰会已经连续两年在中国举行。TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)预估2017年中国市场所消耗的NANDFlash量将占全球30%以上,2020年消耗量将占全球逾40%,显示出国内NAND闪存市场需求的快速增长。
国内快速发展的市场需求,引来全球NAND闪存公司的注意。韩国三星在中国西安投资的NAND工厂已经投产,主要产品为3DNAND闪存;英特尔(Intel)也把大连的封测工厂改造成NAND工厂,预计2016年底开始小量生产,主力产品很有可能为3DXPoint闪存。
与此同时,国家政策也在大力助推国内存储器产业向前发展。此前总投资1600亿元的国家存储器基地已经正式落户武汉,长江存储科技有限责任公司于7月26日正式成立,武汉新芯成为其全资子公司。8月24日,湖北武汉市政府与紫光集团在北京签署《全面战略合作框架协议》,双方将围绕国家存储器基地项目建设、集成电路产业发展基金、新IT“云—网—端”全产业链等领域开展全方位合作。
我们认为,在强劲的国内市场需求和国家政策及资金的支持下,国内存储器产业将迎来快速发展期,从设计到生产再到封装测试全产业链的国产化进程将加速向前进行。建议关注产业链相关标的:紫光国芯(002409)、兆易创新(603986)、上海新阳(300236)、七星电子(002371)、深科技A(000021)、华天科技(002185)、长电科技(600584)、通富微电(002156)。
风险提示:下半年业绩增速不达预期;市场环境存在大幅波动风险。
要點一週回顧:
本週(2016.8.19-2016.9.2)滬深300指數上升0.21%,創業板指下跌0.86%,中小板指下跌1.01%。電子元器件(中信)板塊下跌1.20%,跌幅大於創業板指。子板塊方面,跌幅最大的是電子體設備,達到2.7%。
電子行業個股漲幅前五的公司為:同洲電子(002052),萊寶高科(002106),深華髮A(000020);生益科技(600183);東旭光電(000413)。
行業動態:
2018年VR頭戴裝置將達4,300萬台:資策會MIC日前在2017資通訊產業趨勢回顧與前瞻記者會上預估2018年全球VRHMD出貨量將達到4,300萬台,相較於今年將成長3,000萬台以上。
2020年中國將消耗全球四成NANDFlash:DRAMeXchange預估2017年中國市場所消耗的NANDFlash量將佔全球30%以上,2020年將佔全球逾40%。
英特爾正式發佈第七代酷睿處理器:芯片巨頭英特爾正式發佈了全新第七代酷睿處理器,這一代處理器的微架構代號為KabyLake,主要是用於代替2015年發佈的第六代酷睿芯片的Skylake微架構。
Skylake架構基於14nm工藝製程,功率和性能提升明顯。
台積電將推出GaN快充芯片:台積電協同合作伙伴戴樂格半導體(DialogSemiconductor),將於明年第1季推出首顆氮化鎵(GaN)手機快充晶片,該晶片具備體積縮小、效能提高、充電時間減半等優勢,適用於手機及平板等行動快充。
核心觀點:電子行業中報業績喜人,逾7層公司收入實現增長:A股電子元器件行業172上市公司公佈2016年中報,其中111家淨利潤同比增長,61家下降,132家營業收入同比增長,40家下降,淨利潤和營業收入同時增長的公司有英唐智控等96家,利潤收入均下降的有同洲電子等25家,業績增幅翻倍的公司有32家,其中麥達數字淨利潤增幅最大,達7185.73%。
國內NAND閃存市場需求增長強勁,將加速閃存芯片國產化進程:日前,閃存產業的指標性展會──2016年全球閃存高峯會(2016FlashMemorySummit)在北京落幕,該峯會已經連續兩年在中國舉行。TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)預估2017年中國市場所消耗的NANDFlash量將佔全球30%以上,2020年消耗量將佔全球逾40%,顯示出國內NAND閃存市場需求的快速增長。
國內快速發展的市場需求,引來全球NAND閃存公司的注意。韓國三星在中國西安投資的NAND工廠已經投產,主要產品為3DNAND閃存;英特爾(Intel)也把大連的封測工廠改造成NAND工廠,預計2016年底開始小量生產,主力產品很有可能為3DXPoint閃存。
與此同時,國家政策也在大力助推國內存儲器產業向前發展。此前總投資1600億元的國家存儲器基地已經正式落户武漢,長江存儲科技有限責任公司於7月26日正式成立,武漢新芯成為其全資子公司。8月24日,湖北武漢市政府與紫光集團在北京簽署《全面戰略合作框架協議》,雙方將圍繞國家存儲器基地項目建設、集成電路產業發展基金、新IT“雲—網—端”全產業鏈等領域開展全方位合作。
我們認為,在強勁的國內市場需求和國家政策及資金的支持下,國內存儲器產業將迎來快速發展期,從設計到生產再到封裝測試全產業鏈的國產化進程將加速向前進行。建議關注產業鏈相關標的:紫光國芯(002409)、兆易創新(603986)、上海新陽(300236)、七星電子(002371)、深科技A(000021)、華天科技(002185)、長電科技(600584)、通富微電(002156)。
風險提示:下半年業績增速不達預期;市場環境存在大幅波動風險。
