芯片股今日再度爆发， $中芯国际 (00981.HK)$ 盘中一度涨超6%，现涨超2%； $华虹半导体 (01347.HK)$ 涨超3%， $上海复旦 (01385.HK)$ 涨超2%。

中信证券发表研报指出，荷兰政府宣布其将从2025年4月1日起，针对几种用于先进半导体生产的技术和设备的出口进一步限制。核心限制环节包括：先进光刻机、ALD设备、Si和SiGe外延设备、PECVD、量检测设备等，这些受限制的领域是国内未来有待突破的方向，相关公司有望持续受益。以下为研报具体内容：

荷兰政府宣布其将从2025年4月1日起，升级几种用于先进半导体生产的技术和设备的出口限制条例。

据荷兰政府官网消息，外贸和发展部长Reinette Klever于1月15日在政府公报上宣布，2025年4月1日，荷兰将修改其针对先进半导体制造设备的国家出口管制措施，自该日起，更多类型的技术将受到国家授权要求的约束。这项新的授权要求是自2023年9月1日推出以来，荷兰第二次修改国家出口管制措施。本次主要是增加了一些限制的设备品类，我们认为目标是与美国2024年12月的设备出口管制清单看齐。但该法规生效之日之前的先进半导体生产设备法规将继续适用之前授予的许可证。

荷兰具体限制范围涉及光刻机、ALD、EPI外延、PECVD、量检测设备等，本次制裁属于小幅调整，尤其光刻机限制和24年9月保持一致。

管制涉及到的技术指标与对应设备型号有较为明确的指向性，相较于之前限制的升级有限，尤其是光刻机的限制措施和2024年9月6日荷兰政府更新的限制比没有变化。因此我们认为，荷兰的半导体制裁对国内整体短期增量影响有限，但长期或将会制约我国半导体节点迭代能力。

1）光刻机：主要限制①DCO套刻精度≤1.5nm的DUV及更先进的EUV光刻机，对应ASML 2000i型号及以上；②DCO套刻精度1.5nm＜DCO≤2.4nm的DUV光刻机，对应ASML 1980i/1970i型号。出口此类先进制造设备时必须申请授权，政府将根据具体情况对申请进行评估，措施适用于从荷兰出口到欧盟以外的目的地，目的主要是限制光刻机出售给先进客户。

2）ALD设备：限制金属Mo/Ru、TiAlC和功函数金属的ALD设备，影响16nm HKMG及更先进节点；

3）外延设备：限制用于硅、硅锗的低温（≤685℃）高真空外延设备，可能影响部分先进制程节点；

4）PECVD设备：限制高深宽比PECVD设备、金属W/Mo间隙≤25nm的低介电常数（Low k）电介质材料的PECVD，影响3nm及以下先进逻辑节点，而目前国内尚无相关量产产线。

5）量检测设备：限制≤21nm精度的检测设备（含有采用波长小于400nm光源/分辨率小于1.65nm/两个或多个电子束源/冷场发射电子束源），以及用于显影后或刻蚀后测量晶圆对准精度的设备。主要应用于先进制程节点。

荷兰半导体限制可以看作美国限制的延续，未来不排除进一步收紧限制的可能，国内产业链有望持续加速。

荷兰新的出口管制清单可看作美国2024年12月2日半导体限制的延续，重合部分的物项说明存在极大相似度，荷兰的6种产品均在美国限制清单中可找到对应表述。荷兰出口管制主要限制中国大陆半导体制造环节未来技术节点升级（走向14nm及以下）的进程，而对于国内主流的成熟制程产线（28nm及以上）扩产影响相对较小。这与美国目前的半导体出口管制目的相似。我们认为，荷兰针对先进设备的采购限制力度在逐渐加大，目前光刻机的采购审批还是由荷兰政府决定，后续在美国政府的施压下，不排除进一步收紧限制的可能。对于国内而言，科技突围有赖于国内全产业链的配合协同，时下短板和竞争焦点越来越聚焦上游的设备、零部件、材料等环节，此领域具有极大的内生替代动力。同时上游创新必须紧密配套头部下游客户，建议关注中芯国际、长江存储等国内领先但受到实体清单影响的Fab厂和终端企业的积极变化。

风险因素：

后续对华半导体技术限制超预期风险；国内先进技术创新不及预期；国际产业环境变化和贸易摩擦加剧风险；先进制程技术变革风险；下游需求波动风险。

投资策略：

从荷兰最新的半导体设备管制清单可以归纳出荷兰厂商当前占有领先地位的、受管制措施影响的相关领域，是国内未来有待突破的方向。核心限制环节包括：ArF浸没式光刻机、EUV光刻机，金属及有机金属化合物ALD、Si和SiGe外延、低k介质PECVD、钨/钴/钼/钌等金属CVD/PVD等高端薄膜沉积等。1）光刻领域，关注国产光刻机产业链公司；2）薄膜沉积领域；3）量测检测设备也是国产化率尚低、有待突破的领域。

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