数据来源：天眼查APP證券之星消息，根據天眼查APP數據顯示揚傑科技（300373）新獲得一項實用新型專利授權，專利名爲「提高體二極管導通性能SiCMOSFET結構」，專利申請號爲CN202420964948.8，授權日爲2025年1月7日。
專利摘要：提高體二極管導通性能SiC MOSFET結構，涉及半導體器件。從下而上依次包括漏極電極、襯底、外延層和源極電極金屬層；所述外延層內設有：P‑Well阱區，設有若干，分別從所述外延層的頂面向下延伸；P型重摻雜，設有若干，分別從所述P‑Well阱區的頂面向下延伸；N型重摻雜，設有若干，分別從所述P‑Well阱區的頂面向下延伸，並與所述P型重摻雜相連接；所述外延層中部P型重摻雜兩側分別設有N型重摻雜；所述源極電極金屬層內設有間隔設置的源極驅動系統和柵極驅動系統；本實用新型方法制作工藝簡單，效果顯著，可以應用於新型碳化硅MOSFET功率器件的製造。
今年以來揚傑科技新獲得專利授權3個，較去年同期增加了50%。結合公司2024年中報財務數據，2024上半年公司在研發方面投入了1.97億元，同比增19.31%。
數據來源：天眼查APP
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