长光华芯已形成全面、丰富的通信光芯片产品矩阵，可满足超大容量的数据通信需求，距离上覆盖VR、SR、DR、FR等，速率上覆盖单波25G、50G、100G。可快速解决高端光芯片产能短缺和成本痛点，是短距互联光芯片一站式IDM解决方案商。長光華芯(688048)官方微信公衆號12月9號發佈消息，近日，2024年度ICC訊石光通信行業英雄榜頒獎活動在蘇州舉辦，長光華芯850nm 100G PAM4 VCSEL芯片榮獲創新技術獎。
據介紹，ICC訊石·光通信行業英雄榜從光通信產業鏈入手，從參選產品的技術、成本、市場佔有率、客戶滿意度和第三方權威驗證等數據選出獲獎產品，經過十一年的發展，訊石英雄榜已成爲光通信行業年度頂尖評選盛會之一，其中，創新技術獎旨在表彰2024年度在補短板、填空白或實現國產替代方面具有重要意義的產品。
公司表示，歷經十餘年發展，長光華芯建立了從芯片設計、MOCVD(外延)、光刻、解理/鍍膜、封裝測試等完善的一站式IDM全流程平台，在高速率光通信芯片研發過程中，攻克了二次外延對接工藝、含AL材料外延生長、特殊抗反射設計、腔面鈍化鍍膜等關鍵技術。100G VCSEL產品的開發和量產自主可控，在量產穩定性和可靠性上，相比於代工模式具有顯著產能和質量管控優勢。
長光華芯已形成全面、豐富的通信光芯片產品矩陣，可滿足超大容量的數據通信需求，距離上覆蓋VR、SR、DR、FR等，速率上覆蓋單波25G、50G、100G。可快速解決高端光芯片產能短缺和成本痛點，是短距互聯光芯片一站式IDM解決方案商。
長光華芯專注於研發和生產半導體激光芯片，核心技術覆蓋半導體激光行業最核心的領域，攻克了一直飽受桎梏的外延生長、腔面處理、封裝和光纖耦合等技術難題，建成了完全自主可控的從芯片設計、MOCVD(外延)、FAB晶圓流片、解理/鍍膜、封裝、測試、光學耦合、直接半導體激光器等完整的工藝平台和量產線，擁有2吋、3吋、6吋三大量產線，邊發射EEL、面發射VCSEL兩大產品結構，GaAs砷化鎵、InP磷化銦、GaN氮化鎵三大材料體系，是全球少數幾家具備6吋線外延、晶圓製造等關鍵製程生產能力的IDM半導體激光器企業之一，面向未來，公司正積極開發演進下一代光芯片平台技術和產品。