持续完善车规级高端功率半导体布局，期待多产线产能释放促业绩改善：近年来，公司大力发展以SiC、GaN 等化合物产品为主的第三代半导体产业。事件：公司發佈2024 年三季報，2024 年前三季度公司實現營收81.63 億元，同比+18.32%；實現歸母淨利潤0.29 億元，同比扭虧；實現扣非淨利潤1.40億元，同比-23.76%。其中，公司2024 年Q3 實現營收28.89 億元，同比+19.22%，環比+2.87%；實現歸母淨利潤0.54 億元，同比扭虧，環比扭虧；實現扣非淨利潤0.14 億元，同比-34.21%，環比扭虧。
營收保持穩健增長，期待產品價格回升促盈利能力修復：2024 年前三季度，公司多款產品出貨量提升，營收實現保持穩健增長。盈利能力方面，24 年前三季度，公司毛利率爲19.28%，同比-4.10pcts；淨利率爲-1.23%，同比+1.50pcts，毛利率下降主因系市場競爭加劇，公司多個品類的產品價格下降。
費用方面， 24 年前三季度年公司銷售/管理/研發/財務費用率分別爲1.57%/4.46%/9.25%/1.95% ， 同比變動分別爲-0.16/+0.56/+0.78/-0.63pcts，費用水平管控良好。
持續完善車規級高端功率半導體佈局，期待多產線產能釋放促業績改善：近年來，公司大力發展以SiC、GaN 等化合物產品爲主的第三代半導體產業。
2024 年年初，公司在杭州基地啓動了8 英寸GaN 功率器件芯片量產線的建設，截至11 月15 日公司GaN 芯片生產線已實現初步通線，爭取儘快推出第一批車規級和工業級的GaN 功率器件產品。爲進一步完善公司在車規級高端功率半導體領域的戰略佈局，公司與廈門市人民政府、廈門市海滄區人民政府於2024 年5 月21 日簽署了《戰略合作框架協議》：各方合作在廈門市海滄區建設一條以SiC MOSFET 爲主要產品的8 英寸SiC 功率器件芯片製造生產線。該項目分兩期建設，項目一期投資規模70 億元，規劃產能3.5 萬片/月；二期投資規模約50 億元，規劃產能2.5 萬片/月。兩期建設完成後，將形成月產6 萬片8 英寸SiC 功率器件芯片的生產能力。目前，公司8 英寸SiC芯片生產線正在加快建設中，預計2025 年年底實現初步通線。
緊抓芯片國產替代機遇，進一步擴充產能響應市場需求：在國家政策持續支持，以及下游電動汽車、新能源、算力和通訊等行業快速發展、芯片國產替代進程明顯加快的大背景下。爲抓住市場發展機遇，公司今年已安排了對12吋線模擬電路、IGBT 等功率器件芯片產能的擴充、安排了對IPM 功率模塊封裝測試生產線產能的擴充，預計2025 年公司IPM產品出貨量將繼續保持30%以上的成長，持續提高在白電、工業、汽車等領域的市場份額，推動公司經營業績的進一步改善。2024 年第三季度，公司8 吋線、12 吋線IGBT 芯片產能已接近滿載，公司已安排技改資金進一步提升IGBT 芯片產能，預計2025年公司在汽車、新能源等市場的IGBT 產品的市場份額將大幅度提升。此外，公司迭代至IV 代的SiC MOSFET 芯片研發即將完成驗證，預計2025 年實現批量供貨。公司將進一步加大SiC 芯片生產線的技術改造投入，加快產品技術迭代，進一步提升市場份額。
維持「增持」評級：公司多條產線產能持續滿載，我們看好公司產品在汽車、新能源、工業、通訊、大型白電等高門檻市場出貨量持續增加，疊加公司進一步擴大產線產能，未來公司規模效應有望持續顯現，進一步促進公司業績修復。考慮到公司產品價格短期波動下滑，對公司毛利率存在一定影響，結合公司2024 年前三季度盈利表現，故下調公司盈利預測，我們預計公司2024-2026 年歸母淨利潤爲0.80/4.70/7.14 億元，對應EPS 爲0.05/0.28/0.43元，對應PE 爲590/100/66 倍。
風險提示：產能擴張不及預期；客戶開拓進展不及預期；產品研發不及預期；下游需求不及預期。
