2010年上市，赛晶科技（“公司”）是输配电行业、新能源行业以及工业领域中的阳极饱和电抗器、层叠母排、功率半导体等核心器件供应商，亦是国内自主研发阳极饱和电抗器主要供应商之一。2019年，公司开启IGBT和IGBT模块的研发和制造，并于2020年发布首款产品。公司随后完成了IGBT芯片、ST分装IGBT模块，SiC芯片及模块以及车规级BEVD的研发和制造。公司是国内IGBT企业中，第一批量产12寸晶圆的企业。中泰國際發佈研究報告稱，隨着電網項目的規劃和啓動，以及光伏、儲能、電動汽車等市場對自研IGBT芯片和模塊產品的需求提升，2024-2025年賽晶科技（00580）收入目標分別爲16億和20億元，同比增長52%和25%。2024年目標淨利潤7，000-8，000萬元，同比增長超過100%。2025年自研IGBT產品收入預計可提升至2億元。
中泰國際主要觀點如下：
輸配電、新能源產業鏈核心器件供應商
2010年上市，賽晶科技（「公司」）是輸配電行業、新能源行業以及工業領域中的陽極飽和電抗器、層疊母排、功率半導體等核心器件供應商，亦是國內自主研發陽極飽和電抗器主要供應商之一。2019年，公司開啓IGBT和IGBT模塊的研發和製造，並於2020年發佈首款產品。公司隨後完成了IGBT芯片、ST分裝IGBT模塊，SiC芯片及模塊以及車規級BEVD的研發和製造。公司是國內IGBT企業中，第一批量產12寸晶圓的企業。
輸配電業務穩步推進
自2009年起，公司迅速成爲特高壓柔性直流輸電設備的主要供應商，參與了國內幾乎所有直流工程。2023年輸配電領域的收入佔比39.5%，毛利率48.0%。「十四五」規劃中提出了加強特高壓輸電工程等清潔能源輸送通道的建設和利用效率，對設備提出了更高要求。於“十四五“期間，國網規劃建設特高壓工程涉及線路3萬餘公里，總投資3，800億元（人民幣，下同）。公司作爲特高壓直流輸電核心器件供應商，有望深度受益。
自研IGBT，佈局國產替代
公司專注於研發1200V–1700V電壓等級的IGBT產品，利用國產自主技術，逐步實現國產替代。2023年，公司啓動車規級模塊HEEV和EVD碳化硅SiCMOSFET模塊，EVD硅IGBT模塊的研發；同年公司完成第二條模塊測試生產線建設和調試。2024上半年，公司推出第三代功率半導體SiCMOSFET，該產品電阻低至1200V/13mΩ，達到國際主流企業同等水平。公司有望打破外資企業幾乎壟斷高端IGBT芯片的局面，成爲芯片國產替代的受益者。
風險提示：1）自研業務發展不及預期；2）IGBT市場競爭；3）港股流動性風險。
