內媒報道，中國工信部印發《首台(套)重大技術裝備推廣應用指導目錄(2024 年版)》通知，電子專用裝備列表包括「氟化氬光刻機」的深紫外光光刻機設備，核心技術指標是「晶圓直徑300mm，照明波長248nm，65納米以下分辨率，以及8納米以下套刻能力，意味著這部國產DUV可生產8納米及以下晶片。

此前美國及荷蘭收緊對中國的光刻機等的晶片設備出口，報道指若中國能製造生產8納米及以下的光刻機，意味著未來絕大多數晶片製造都不會再受ASML控制。