東京エレクトロン(TEL、東京都港区、社長:河合利樹)は、EUV露光による極微細パターニング工程向けガスクラスタービーム装置「Acrevia TM」を発売することをお知らせします。
Acreviaは、EUV露光による極微細なパターニング工程において、ガスクラスタービーム(GCB)により線幅の加工と形状の補正をおこなう装置です。当社独自のGCB技術に基づき、従来では成しえなかった低ダメージ加工を実現でき、お客さまのデバイスの微細化と歩留まり向上、EUVパターニング工程のコスト低減に貢献します。本装置は、EUV露光とその後に続くエッチング処理後のパターンに対し、任意の角度から直進性をもったビームを照射することで極微細な線幅加工と形状補正をおこないます。また、当社の独自のソフトウエア技術LSP (Location Specific Processing)によりウェーハ面内に対しビームを照射する点をスキャンする機構を新たに備え、任意の加工制御を可能とします。同時に、パターン側壁の荒れ(LER:Line Edge Roughness)を改善でき、歩留まり低下の原因となる露光工程の最適化および欠陥の低減が可能です。
東京エレクトロン DSS BUGMの石田寛は、「当社独自の高エッチレートかつ低ダメージによるパターン加工が可能な技術を備えたAcreviaは、難度がますます高まる最先端のパターニングにおいて、さらなる微細化と、生産性の最大化を実現します。今後も、お客さまの期待を超える技術開発を進め、デバイスの進化に貢献してまいります。」と述べています。
*ガスクラスタービーム:ガス分子を結合しクラスター化することで、高いエネルギーをもちながら表面のダメージを抑えて処理する技術
Acreviaは、東京エレクトロングループの日本およびその他の国における登録商標または商標です。
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東京電子(TEL,東京都港區,社長:河合利樹)宣佈,將推出用於EUV光刻極微細圖案製作工藝的氣體簇離子束裝置Acrevia TM。
Acrevia是一種設備,採用氣體簇離子束(GCB)處理,對EUV光刻製造技術在製作極微細圖案時進行線寬處理和形狀修正。基於我公司獨有的GCB技術,實現低損傷加工,這是傳統技術所無法實現的,可爲客戶提供器件微型化和良率提高,降低EUV圖案製造成本。該設備針對EUV光刻後進行的蝕刻工藝及其所形成的圖案,通過將具有任意角度的直線性束流照射,實現極微細線寬加工和形狀修正。此外,通過我公司的獨有軟件技術LSP(Location Specific Processing),該設備新增掃描機構,可以將束流照射的點掃描至晶圓表面,實現任意加工控制。同時,還可改善圖案側壁的粗糙度(LER:Line Edge Roughness),優化光刻工藝並降低缺陷,從而提高良率。
東京電子DSS BUGM的石田寛表示,“Acrevia擁有獨有的高速蝕刻技術以及可以實現低損傷圖案加工的技術,在日趨複雜的最先進圖案製作中,實現了更微小和更高的生產率。我們將繼續開發出超越客戶期望的技術,併爲器件發展做出貢獻。”
*氣體簇離子束:採用氣體分子凝聚成氣體簇的技術,同時具有高能量和表面損傷抑制特性的加工技術。
Acrevia是東京電子集團在日本和其他國家註冊的商標或商標。
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