$台積電 (TSM.US)$2025年資本支出有望達到360億美元並創下歷年次高，主要用於2nm等最先進製程的研發和產能擴充。韓國SK海力士公司則計劃到2028年投資高達748億美元，其中80%將用於HBM芯片的研發和生產。
在人工智能和先進計算需求的強勁推動下，全球半導體巨頭正在掀起新一輪大規模投資熱潮。近日，業界陸續傳出了台積電和SK海力士未來數年的巨額投資計劃。
台積電方面，週一有媒體援引業界消息報道稱，公司2025年資本支出有望達到320億至360億美元，同比增長12.5%至14.3%，創下歷年次高。這一投資主要用於2nm等最先進製程的研發和產能擴充。
韓國SK海力士則計劃到2028年投資高達748億美元，其中80%將用於高帶寬內存（HBM）芯片的研發和生產。
2nm需求超預期，台積電明年資本支出衝高
業內消息稱，因持續加碼2nm等最先進製程相關研發加上2nm後續需求超乎預期強勁，台積電2025年資本支出有望達到320億美元至360億美元區間，爲歷年次高，年增12.5%至14.3%。
據悉，台積電計劃在2025年實現2nm製程量產，量產曲線預計與3nm類似。
此前有媒體報道稱，爲了滿足台積電2nm製程的量產，設備廠正如火如荼交機，尤其是EUV光刻機，預計今明兩年共將交付超過60臺EUV，總投資金額超過4000億元（約合550億美元）。
客戶方面，值得注意的是，除了蘋果公司率先預定首批2nm產能外，其他非蘋果客戶也因AI需求旺盛而積極採用該技術。
對該傳聞，台積電不做評論，並重申了有關資本支出和2nm技術的進展，以4月法說會內容爲主。
當時，台積電強調，資本支出和產能規劃是基於長期的結構性市場需求。2024年資本支出預計將介於280億至320億美元之間。
報道還稱，台積電正在按計劃擴大先進製程的產能：
其臺南3nm工廠將於今年第三季度進入量產階段，明年P8工廠也將陸續導入EUV光刻機。與此同時，新竹寶山2nm工廠在未來三年將保持EUV設備的強勁拉貨動能，高雄2nm工廠的建設也在同步進行中。
SK海力士：向HBM投資600億美元
全球第二大內存芯片製造商韓國SK海力士公司公佈了雄心勃勃的投資計劃。
週日，SK海力士宣佈，計劃到2028年投資高達103萬億韓元（約合748億美元），其中80%（約爲600億美元）將用於HBM芯片的研發和生產。
SK海力士在HBM技術領域一直處於領先地位，今年3月，SK海力士開始大規模量產HBM3E芯片，並將下一代HBM4芯片的量產時間提前到2025年。
作爲SK海力士押注AI的一部分，SK電信公司和SK寬帶公司還將在數據中心業務上投資3.4萬億韓元，進一步完善集團的AI生態系統。
雖然這是SK海力士首次披露到2028年的投資計劃，但 SK 海力士今年已宣佈了一系列投資計劃，包括在美國印第安納州投資38.7億美元建設先進封裝工廠和 AI 產品研究中心，並在韓國本土投資146億美元建設新的內存芯片綜合體。
鑑於蓬勃增長的AI芯片需求，SK海力士計劃，到2026年通過運營和業務改革創造80萬億韓元的收入。
此外，SK海力士計劃在三年內確保30萬億韓元的自由現金流，以將其債務權益比控制在100%以下。儘管去年集團虧損10萬億韓元，但預計今年的稅前利潤將達到22萬億韓元，並計劃在2026年將這一數字提高到40萬億韓元。
編輯/emily