—有助於降低正在進行的小芯片開發的成本—
東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (TOKYO: 4063)（總部：東京；總裁：Yasuhiko Saitoh；以下簡稱“Shin-Etsu Chemical”）已開發出製造半導體封裝基板的設備，後續還將尋求新的製造方法來生產micro-LED製造系統。該設備是一種使用準分子激光的高性能加工設備，它將半導體制造工藝前端中使用的雙大馬士革法應用於封裝基板製造工藝（後端工藝）（以下簡稱“Shin-Etsu雙大馬士革法”）。因此，中介層的功能可直接整合到封裝基板中。這不僅消除了對中介層的需求，而且還實現了傳統制造方法無法實現的進一步微細加工。由於不需要封裝基板製造工藝中的光刻膠工藝，它還降低了成本和資本投資。
小芯片中的電路被分離，然後組裝成一個封裝。作爲一種可降低高性能半導體制造成本的技術，其已經引起了業界的廣泛關注。該技術需要將多個小芯片安裝在中間基板上並將它們連接起來的工藝。中間基板被稱爲“中介層”。
有了Shin-Etsu雙大馬士革法，不再需要中介層，因此組裝過程得以大大簡化。在這種方法中，小芯片連接到具有與中介層等效功能的佈線圖案的封裝基板。因此，採用小芯片技術的先進半導體的組裝過程得以縮短，其成本亦可顯著降低。
該設備採用先進的微細加工技術，可直接在多層封裝基板的每個有機絕緣層中形成複雜的電路圖案，然後通過鍍銅形成電路。它使用準分子激光作爲光源，批量形成大面積電路圖案。Shin-Etsu雙大馬士革法可實現進一步的小型化微細加工，這是目前使用幹膜抗蝕劑的半增材加工(SAP)主流方法無法實現的。結合由Shin-Etsu的大型光掩模坯料製成的光掩模及其獨特的特殊鏡頭，激光加工設備可以一次加工100 mm見方或更大的區域。處理時間因封裝基板的尺寸而異，但處理佈線圖案和電極極板所需的時間與處理過孔所需的時間相同。此外，過孔處理時間與過孔的數量無關。例如，在515 mm × 510 mm的有機基板上形成寬2 μm、深5 μm的溝槽和直徑10 μm、深5 μm的電極極板並形成通孔（上直徑7 μm、下直徑5 μm、深5 μm），大約需要20分鐘。
Shin-Etsu Chemical正在制定整合自身材料和設備技術的舉措。通過開發新的工藝技術，我們從設備和材料兩方面提出整體解決方案，並率先開發下一代技術，爲創造富裕社會做出貢獻。
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