智通財經APP獲悉，中銀國際發佈研報稱，步入2024年，DRAM及NAND價格漲勢延續，利基型存儲拐點或已現，在大宗品漲價氛圍帶動，同時受惠業者減產效益全面發酵，渠道商庫存水位明顯下降背景下，NOR Flash等利基存儲亦開始醞釀漲價。展望全年，伴隨存儲原廠復甦態勢及以AI手機、AIPC等爲代表的終端創新推出，存儲板塊“週期+成長”雙重邏輯有望持續共振，同時大基金三期或進一步發力國產存儲，行業或迎來板塊性機會。
中銀國際主要觀點如下：
存儲板塊2023年報及2024一季報綜述
2023年存儲設計業績承壓，但季度環比已現修復態勢，模組收入同比高增，但利潤低迷。24Q1存儲設計及模組都趨於復甦。從收入端來看，存儲IC設計板塊2023年全年實現營業收入40.47億元，同比下降0.09%。存儲模組板塊實現營收58.68億元，同比增長75.15%。從利潤端來看，存儲IC設計板塊2023年全年實現歸母淨利潤7.23億元，同比下降84.90%。存儲模組板塊實現歸母淨利潤-14.71億，同比大幅下滑。相較收入端的下滑，利潤端下滑更加明顯。
中銀國際表示，步入2024年，24Q1存儲設計與模組板塊均呈現收入與利潤的同環比修復，呈現出景氣好轉趨勢。特別是存儲模組廠受益大宗價格起漲，業績彈性釋放明顯。
利基市場有望伴隨大宗起漲，終端需求呈弱復甦態勢
價格方面，DRAM及NAND價格漲勢延續，利基型存儲拐點或已現，在大宗品漲價氛圍帶動，同時受惠業者減產效益全面發酵，渠道商庫存水位明顯下降背景下，NOR Flash等利基存儲亦開始醞釀漲價。庫存方面，原廠庫存水位漸趨於好轉。
供給方面，美光，三星資本開支低位運轉，海力士加碼投入HBM，到今年底，原廠約80% DRAM產能切換至DDR5，隨着低世代DRAM現貨低價資源消耗殆盡，原廠庫存水位下降，DDR4供應或將陷入短缺。需求方面，智能終端弱復甦態勢建立，傳統消費電子增長湧現。NOR Flash在智能家電領域應用前景廣闊，伴隨家電回暖NOR或再迎新增長。
AI需求高景氣持續，數據中心復甦在望
24年HBM3E將趨向主流，HBM4正加速趕來，受益AI需求的發展，三大存儲原廠動態不斷，SK海力士、三星、美光均表示近兩年HBM產能已售罄。隨着HBM3E和HBM4的持續推進，帶動行業生態發生變革。受全球主要雲計算廠商新一輪資本開支增長以及對於高端AI服務器需求增加的影響，數據中心有望迎來修復性增長，配套內存接口芯片或迎來複蘇增長機會。
建議關注標的：
利基存儲：兆易創新(603986.SH)、普冉股份(688766.SH)、東芯股份(688110.SH)等。
內存接口芯片：瀾起科技(688008.SH)、聚辰股份(688123.SH)。
HBM產業鏈：通富微電(002156.SZ)、賽騰股份(603283.SH)、華海誠科(688535.SH)、聯瑞新材(688300.SH)等。
國產存儲原廠配套設備、材料：北方華創(002371.SZ)、中微公司(688012.SH)、拓荊科技(688072.SH)、雅克科技(002409.SZ)等。
風險因素：利基型存儲復甦不及預期、終端創新應用滲透率提升不及預期、HBM/DDR5競爭加劇、國產存儲產業鏈配套驗證不及預期。