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芯联集成(688469):8寸碳化硅取得重大突破 打造高压模拟IC成为新成长曲线

芯聯集成(688469):8寸碳化硅取得重大突破 打造高壓模擬IC成爲新成長曲線

中信建投證券 ·  05/31

核心觀點

5 月27 日公司官網公佈8 英寸碳化硅工程批已於4 月20 日順利下線,預計四季度開始正式向客戶送樣,2025 年進入規模量產。

截至2023 年12 月,公司6 英寸SiC MOSFET 產線已實現月產出5000 片以上,我們預計公司碳化硅產能將在2024 年底擴充至1萬片/月,2024 年碳化硅整體營收將超過10 億元,同比成長超過170%。2023 年公司憑藉生態創新模式,深度綁定車企客戶,車載應用領域營收佔比從2022 年的25.51%激增至2023 年的46.97%,同比增長128.42%,推動公司2023 年在行業下行的趨勢下同比增長15.59%至53.24 億元,全年實現EBITDA9.25 億元,同比增長14.29%。2024 年Q1 營收延續成長趨勢,同比增長17.19%,EBITDA 達到4.82 億元,同比增長111.97%。公司正在打造新的成長曲線——高壓BCD 技術工藝平台,可以提供國內稀缺的BCD 120V 車規G0 工藝平台和55 nm BCD 工藝平台,預計公司模擬IC 業務2023-2026 年收入複合增速將高達200%。

考慮到公司在MEMS 和功率器件代工領域的領先地位,以及碳化硅(SiC)需求爆發爲公司帶來的增長動能,看好公司長期成長性,首次覆蓋給予“買入”評級。

事件

5 月27 日公司官網發佈了碳化硅產品的最新進展,8 英寸碳化硅工程批已於4 月20 日順利下線,標誌着國內碳化硅產業正式進入8 英寸時代。

簡評

聚焦車用和工業高壓功率器件,國內首家實現8 英寸碳化硅晶圓通線

公司8 英寸碳化硅工程批已經順利下線,預計四季度開始正式向客戶送樣,2025 年進入規模量產。公司不僅成爲國內首家開啓8英寸量產落地的功率半導體廠商,而且在全球範圍內,公司也是世界前二實現8 英寸產線通線的廠商。截至2023 年12 月,公司6 英寸SiC MOSFET 產線已實現月產出5000 片以上,2023 年全年公司碳化硅業務營收達到3.7 億元,我們預計公司碳化硅產能將在2024 年底擴充至1 萬片/月,2024 年碳化硅整體營收將超過10 億元,同比成長超過170%。目前公司最新一代的SiC MOSFET產品性能已達世界領先水平,用於車載主驅逆變器的SiCMOSFET 器件和模塊也於2023 年實現量產,預計2025 年公司全新的溝槽型碳化硅芯片量產,實現全球領先。

生態創新打造系統代工新模式,不懼行業逆風實現持續高成長2023 年公司聯合產業鏈上下游的合作伙伴,深度綁定下游終端客戶,同時向上遊產業鏈進行延伸,實現產業鏈的垂直整合。不同於傳統的晶圓代工廠的模式,爲了更好的滿足汽車終端客戶對於IGBT/SiC 等模塊的定製化要求,公司不僅能夠提供晶圓代工業務,同時可以提供芯片設計和模塊封裝服務,利用一站式系統製造能力,實現了功率半導體領域的彎道超車。2023 年公司憑藉生態創新模式,深度綁定車企客戶,公司車載應用領域營收佔比從2022 年的25.51%激增至2023 年的46.97%,同比增長128.42%,推動公司2023 年在行業下行的趨勢下實現了15.59%的增長,達到53.24 億元。公司全年實現EBITDA9.25 億元,與上年同期相比增加1.16 億元,同比增長14.29%。2024 年Q1 營收延續成長趨勢,同比增長17.19%,EBITDA 達到4.82 億,同比增長111.97%。

打造高壓模擬IC 平台成爲第三成長曲線,重點佈局AI 服務器電源管理芯片和計算中心公司正在打造新的成長曲線——高壓BCD 技術工藝平台,可以提供國內稀缺的BCD 120V 車規G0 工藝平台和55 nm BCD 工藝平台,同時公司擁有業內特有的集成工藝技術平台:BCD+eflash (SST)和IPS(BCD+MOS) ,爲汽車、數據中心和高端工控等應用提供完整的高壓/大電流與高空度技術的模擬和電源方案。以AI 服務器電源爲例,多相控制器+DRMOS 組成的多相電源是GPU 的主流供電形式,AI 服務器中的電源管理芯片價值是普通服務器的3 倍到10 倍,而DRMOS 佔整體價值的80%。公司的55nmBCD24V 應用覆蓋Al 服務器電源芯片-集成DRMOS,實現更高密度電源管理方案,滿足大電流開關。智能開關平台IPS (16/24V)可以實現BCD 與功率器件集成,爲服務器應用領域提供高效的高低邊驅動開關方案。2024 年12 英寸晶圓代工收入僅爲0.50 億元,隨着公司BCD 平台開始大規模量產,預計公司模擬IC 業務2023-2026 年收入複合增速將高達200%。

盈利預測與投資建議

8 英寸硅基功率晶圓代工業務:考慮到未來三年公司IGBT 和MOSFET 產能相對穩定,2024 年預計公司8英寸硅基功率器件(IGBT 和MOSFET)成長10%,MEMS 工藝平台有多款新品如車載運動傳感器,消費類多軸傳感器,車載激光雷達掃描鏡已經在去年完成客戶送樣,2024-2026 年增速較快,預計今年開始貢獻該板塊業務營收增長超過30%,預計整體8 英寸硅基業務代工營收同比增長12.32%達到45.49 億元,2025-2026 年分別增長至53.82 億元和59.17 億元,同比增速分別爲18.31%和9.94%,未來三年CAGR 爲13.47%。

6 英寸和8 英寸SiC 業務:預計2024 年公司6 英寸碳化硅產能將從5000 片/月增長到年底1 萬片/月,隨着大量車用項目交付,晶圓單價也明顯提升,今年的碳化硅營收將從去年的3.70 億元大幅增長至11.00 億元,同比大增接近200%,2025 年開始公司的8 英寸碳化硅晶圓開始量產交付,晶圓單價有望進一步提升,根據行業龍頭英飛凌在2023 年報對於SiC 行業增長預期,預計從2025 年到2030 年,英飛凌碳化硅營收將從10 億歐元增長至70 億歐元,複合增速爲47.58%,預計2025-2026 年芯聯集成營收分別爲17.60 億元和24.50 億元,增速分別爲60.00%和39.20%,未來三年CAGR 爲87.78%。

12 英寸硅基模擬IC 代工業務:2023 年公司高壓BCD 工藝平台完成了中試線項目機臺的安裝調試和工藝通線,並完成了月產1 萬片的設計產能,目前其IGBT、SJ、HVIC、BCD 等各個平台均已進入規模量產階段,處於產量爬坡中。2023 年收入僅爲5000 萬元,預計2024 年該業務進入快速放量期,營收預計達到1.20 億元,同比增長140%,未來模擬IC 代工產能將持續擴產,預計2025 和2026 年營收將分別達到5.50 億元和13.50 億元,同比增速分別爲358.33%和145.45%。

IGBT/SiC 模塊封裝業務:公司2023 年模塊業務營收爲3.90 億元,同比成長34.48%,由於公司2024 年碳化硅業務進入爆發期,碳化硅模塊封裝價值量比此前IGBT 模塊更高,通常單個碳化硅模塊價值量是IGBT 模塊價值量的3 倍以上,因此預計2024 年公司模組業務有望實現同比65.13%的增長,營收達到6.44 億元,2025-2026年營收分別爲9.33 億元和15.97 億元,2024-2026 年的複合增速爲59.99%。

研發服務和其他業務:研發服務未來三年營收分別爲0.55 億元、0.62 億元和0.70 億元,其他業務未來逐漸減少,預計未來分別爲3.00 億元、2.00 億元和0.90 億元。

預計公司2024 年-2026 年營收分別爲67.67 億元、88.87 億元和114.99 億元,同比增速分別爲27.09%、31.33%和29.39%,毛利率分別爲12.50%、19.00%和27.00%,歸母淨利潤預計分別爲-8.59 億元,-3.57 億元,6.57 億元。考慮到公司在MEMS 和功率器件代工領域的領先地位,以及碳化硅(SiC)需求爆發爲公司帶來的增長動能,看好公司長期成長性,首次覆蓋給予“買入”評級。

2024 年第一季度營收延續增長趨勢,EBITDA 同比高增112%

公司2023 年及2024 年第一季度收入保持高增長,其中2023 年實現收入53.24 億元,同比增長16%,2024Q1實現收入13.53 億元,同比增長17%。受折舊攤銷拖累,公司2023 年及2024 年第一季度歸母淨利潤仍然處於虧損狀態,但2024Q1 歸母淨利潤虧損2.42 億元,同比減虧51.54%。剔除折舊攤銷影響後,公司EBITDA 增長迅速,2023 年實現EBITDA 9.25 億元,同比增長14.29%,2024Q1 實現EBITDA 4.82 億元,同比增長111.97%。

2023 年車載業務收入實現翻倍以上增長,碳化硅和高壓模擬IC 平台實現突破

從下游應用領域來分,2023 年公司46.97%的主營收入來自車載應用領域,同比增長128.42%;29.46%的主營收入來自工控應用領域,同比增長26.63%;23.56%的主營收入來自高端消費領域,受消費市場景氣度的影響,同比下降36%。晶圓代工業務中新增碳化硅和12 英寸高壓模擬IC 業務平台,碳化硅代工營收實現3.7 億元,6英寸碳化硅晶圓出貨量爲2.57 萬片,單價爲1.44 萬元/片,12 英寸模擬IC 業務取得突破,2023 年營收爲0.5 億元,12 英寸晶圓銷量爲5962 片,單價爲8386 元/片。

2023 年新增SiC MOSFET、HVIC(BCD)、VCSEL 三個產品線,6 英寸SiC MOS 產品月產能達5000 片

公司主力產品線爲IGBT 芯片代工、MOSFET 芯片代工、MEMS 代工、IGBT 模塊封裝,2023 年公司產品線增長至7 個,新增3 個產品線爲SiC MOSFET、HVIC(BCD)、VCSEL。截至2023 年底,公司已建設完成兩條8 英寸硅基晶圓產線,合計達成月產17 萬片,其中IGBT 產品月產8 萬片、MOSFET 產品月產7 萬片、MEMS產品月產1.5 萬片、HVIC(8 英寸)產品月產0.5 萬片。公司8 英寸晶圓代工產品年平均產能利用率超80%,2023年8 英寸晶圓代工產品單價同比增長4.59%至2895 元/片。此外,公司6 英寸SiC MOS 產品月產5000 片,12英寸硅基產品月產1 萬片,車規級IGBT 和碳化硅模塊產品月產330K。

風險分析

公司於2018 年成立,成立時間尚短,由於其所處的晶圓代工行業系技術密集型和資本密集型行業,需要大額的固定資產投入及持續的研發投入以保持產品的技術領先,故前期研發投入、固定資產折舊金額較高。報告期內公司整體處於產能爬坡期,規模效應未完全顯現,同時公司以產能釋放爲主要目標,公司產品結構尚未達到最優,因此公司處於虧損狀態,存在未來可能持續虧損的風險;由於半導體行業的特殊性,公司未來仍然面臨着產品迭代速度過快、研發週期長、資金投入大的風險;若公司未能及時有效應對公司規模擴張帶來的管理問題,可能會面臨一定的管理風險;與國際領先廠商存在技術差距的風險;行業週期風險;未來持續巨額資金投入風險;主要原材料供應商集中度較高及原材料供應風險;知識產權風險;如未來宏觀經濟疲軟,終端應用市場的需求尤其是增量需求下滑,客戶將會減少產品的採購,行業將面臨一定的波動風險。

預計公司2024-2026 年佔收入比例較大的8 英寸硅基功率晶圓代工業務收入增速分別爲12.32%、18.31%、9.94%,營業總收入分別爲67.67、88.87 和114.99 億元,同比增長27.09%、31.33%和29.39%。報告收入預測拆分中8 英寸硅基功率晶圓代工業務收入增速爲關鍵指標,上述指標受行業景氣、競爭格局影響,若上述兩項之一或多項發生,可能導致公司收入不及預期。我們定量地假設了2024-2026 年公司8 英寸硅基功率晶圓代工業務收入增速不及預期的情況,並測算了從小幅低於預期到極端情況下對公司營業總收入的影響。

譯文內容由第三人軟體翻譯。


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