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联电新加坡扩建22/28nm,里程碑

聯電新加坡擴建22/28nm,里程碑

半導體行業觀察 ·  05/22 09:20

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來源:內容來自聯合報,謝謝。

晶圓代工大廠聯電位於新加坡的新12吋廠Fab 12i今(21)在舉行第三期擴建新廠的上機典禮,首批機臺設備已到廠。聯電錶示,此次新加坡擴廠象徵公司擴產計畫已進入重要里程碑。這座新廠預定2026年初開始量產,將成爲新加坡最先進的晶圓廠之一,也是聯電因應地緣政治風險、海外佈局重要一環。

今日舉行的上機典禮由新加坡經濟發展局(EDB)、新加坡裕廊集團(JTC)、微電子研究院(IME)、相關建廠合作伙伴以及關鍵設備和材料供應商代表出席。

聯電赴新加坡啓動第三期擴建是在2022年2月宣佈此一投資計畫,聯電稍早在法說會透露,新加坡Fab 12i的第三期新廠硬體建物將依計畫於今年中完成,不過稍早因半導體產業進入庫存調整,聯電配合客戶訂單調整,將裝機時間延後半年,量產時間將自原訂的2025年中,延後至2026年初。

隨半導體景氣庫存調整進入尾聲,景氣下半年回升訊號明顯,聯電此時舉行上機典禮,也意謂聯電將因應客戶端需求回溫,於新加坡Fab 12i開始裝機,迎接明年景氣明確復甦。

新加坡Fab 12i當時規劃月產能爲3萬片,將提供22/28納米制程,總投資金額爲50億美元,但初期會視市場狀況逐步拉升產能。

聯電新加坡新廠預計在今年第二季末完成,2025年初量產,第一階段月產能上看2至3萬片晶圓。公司表示,本月底法說會將公佈全年資本支出規模,然由於新加坡建廠案將進入支付高峰,再加上其餘各廠也都有例行產能擴增,今年資本支出確定高過去年的30億美元規模。

法人預估,聯電資本支出連四年增長,顯示在看好半導體前景下,公司持續擴充營運佈局。

聯電近年來持續進行產能擴建及強化特殊製程,年度資本支出呈三級跳走勢,2020~2022年資本支出從10億美元、15億美元快速拉高至27億美元,2023年更持續增加至30億美元,今年在新加坡廠加速建廠下,全年資本支出料將持續攀升。

聯電於2023年擴充臺南P6 28/22納米制程,預估今年第三季月產能上看至3.15萬片。至於新加坡廠,預估今年上半年完成無塵室建置,2025年初量產。

聯電錶示,去年全球半導體市況雖然下滑,但全年資本支出約30億美元計畫不變,其中9成用於12吋產能、1成用於8吋產能。

聯電指出,新加坡廠建廠預計投入資金約30至40億美元,第一階段將規劃月產2萬片的產能,預計今年該廠的建廠支付今年才要邁入最高峰,另外,該公司也表示,除了新加坡廠之外,長期以來,聯電旗下各廠每年也都維持一定的產能擴充規劃,再加上設備自動化提升、軟硬體的更新及續約,均是推升聯電資本支出的重要原因。

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譯文內容由第三人軟體翻譯。


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