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晶合集成获得发明专利授权:“一种LDMOS器件及其制备方法”

证券之星 ·  05/12 01:50

证券之星消息,根据企查查数据显示晶合集成(688249)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种LDMOS器件及其制备方法”,专利申请号为CN202410231492.9,授权日为2024年5月10日。

专利摘要:本发明提供一种LDMOS器件及其制备方法,LDMOS器件包括设置于衬底中的源区、漏区、Pbody区和漂移区,设置于衬底上的至少两个间隔设置的栅极结构、至少两个阻挡结构、介质层和场板,源区和漏区分别位于每个栅极结构的两侧,阻挡结构从栅极结构远离源区一侧的衬底上向源区方向延伸,并覆盖栅极结构的部分侧壁和部分表面,栅极结构和阻挡结构一一对应设置,且介质层覆盖衬底、栅极结构和阻挡结构;阻挡结构包括从下至上依次堆叠设置的第一阻挡层、多晶硅层和第二阻挡层,场板从上至下依次贯通介质层、第二阻挡层和多晶硅层,并伸入第一阻挡层中。本发明通过阻挡结构与场板结构整合,可以优化并降低电场分布强度,并提高击穿电压。

今年以来晶合集成新获得专利授权121个,较去年同期增加了128.3%。结合公司2023年年报财务数据,2023年公司在研发方面投入了10.58亿元,同比增23.39%。

数据来源:企查查

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