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扬杰科技获得发明专利授权:“一种氮化镓MOSFET封装应力检测结构”

揚傑科技獲得發明專利授權:“一種氮化鎵MOSFET封裝應力檢測結構”

證券之星 ·  05/11 02:02

證券之星消息,根據企查查數據顯示揚傑科技(300373)新獲得一項發明專利授權,專利名爲“一種氮化鎵MOSFET封裝應力檢測結構”,專利申請號爲CN201911209587.6,授權日爲2024年5月10日。

專利摘要:一種氮化鎵MOSFET塑封應力檢測結構、涉及功率半導體器件技術領域,尤其涉及一種氮化鎵MOSFET塑封應力檢測結構。提供了一種方便檢測,提供檢測可靠性的氮化鎵MOSFET塑封應力檢測結構。包括芯片、引線框架以及覆蓋在芯片、引線框架上的塑封層,所述芯片包括襯底、製作在襯底上的氮化鎵MOSFET結構層、製作在襯底底部的壓阻、製作在襯底底面上的絕緣層、製作在絕緣層上的電極層,所述襯底的材料爲單晶硅。本發明的氮化鎵MOSFET塑封應力檢測結構的製備工藝與常規氮化鎵MOSFET芯片製備和封裝工藝兼容,製備過程簡單易行。

今年以來揚傑科技新獲得專利授權33個,較去年同期增加了83.33%。結合公司2023年年報財務數據,2023年公司在研發方面投入了3.56億元,同比增21.57%。

數據來源:企查查

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