随着生成式AI技术的快速发展，对于高性能存储器的需求日益增长，全球各大科技公司在这一领域的投资竞争愈发激烈。三星电子近日宣布，计划在其他竞争对手之前，加快量产最新一代的尖端存储器产品。与此同时，美国的美光科技也计划从2025年开始，在日本广岛工厂量产新一代存储器产品，以满足AI技术的需求。

三星电子在2024年第一季度的财报中显示，其半导体部门实现了1.91万亿韩元的营业利润，相较于去年同期的4.58万亿韩元亏损，成功实现了扭亏为盈。在随后的财报说明会上，除了业绩情况外，投资者和分析师们还集中询问了三星在高带宽内存（HBM）这一新一代存储器上的投资战略。

三星电子副社长金在骏在会上表示，公司计划在2024年将HBM的供应能力提升至前一年的三倍以上，并在2025年进一步提升至2024年的两倍以上，以增强市场领导地位。金在骏还透露，三星已经做好准备，预计从2024年第二季度开始量产比当前主流HBM产品更先进的存储器。

此外，三星电子在2024年3月宣布了一项20万亿韩元的投资计划，旨在建立以HBM为核心的半导体研发基地，并设定了在未来2至3年内成为行业领导者的目标。

生成式AI技术不仅需要图形处理器（GPU）来处理复杂的数据，还需要DRAM这类存储器来临时存储庞大的运算结果。HBM作为一种AI存储器，通过将DRAM芯片进行堆叠，大幅提升了性能，能够高速地存储或传输大量数据。

在HBM市场，韩国SK海力士在2013年率先成功开发出相关产品，并在市场上保持领先地位。根据台湾集邦咨询（Trend Force）的数据，SK海力士目前占据了五成的市场份额，其次是三星电子的四成，以及美光科技的一成。

三星电子此前对AI半导体的市场需求判断失误，导致其在AI存储器领域的投资起步较晚。在今年3月的股东大会上，公司高管也对之前的准备不足表示了反思，并承诺不会再犯同样的错误。为了加快追赶步伐，三星电子计划通过巨额投资加速回归市场的竞争。