事件：4 月7 日，斯達半導發佈2023 年年報，2023 全年公司實現營收36.63億元，同比增長35.39%；實現歸母淨利潤9.11 億元，同比增長11.36%。
Q4 營收環比持續提升，毛利率改善明顯。1）Q4 公司實現營收10.44 億元，同比增長25.62%，環比增長12.2%，行業雖然承壓，但公司持續擴大市佔，營收環比仍實現穩定增長。2）毛利率40.47%，環比提升4.14pct，我們認爲得益於上游成本下行，以及公司產品結構持續優化。3）研發費用1.05 億元，研發費用率達10.1%，公司於行業低谷期堅持高研發投入，從人員來看，截至2023年年底，公司員工總數達2002 人，相較2022 年增長589 人，其中研發技術人員較去年同期增長126 人。4）歸母淨利潤2.52 億元，同比增長10.92%，環比增長10.53%，除營收和毛利率因素外，也因公司Q4 得到約1960 萬元其他收益等非經常性收益影響。
新能源車配套超200 萬套，進軍海外市場打開增量空間。2023 年公司新能源業務實現營收21.56 億元，收入佔總營收比例達到58.86%。新能源車方面，公司作爲國內車規級IGBT/SiC 產品的主要供貨商，主驅用IGBT 模塊合計配套超過200 萬套，尤其在海外市場開拓上取得重要進展，已經於歐洲一線品牌開始大批量交付，同時還新增多個IGBT 和SiC MOSFET 主電機控制器項目定點。
風光儲業務方面，公司2023 年基於第七代微溝槽Trench Field Stop 技術的IGBT 模塊在地面光伏電站和大型儲能批量裝機，並在北美等海外電站批量裝機；公司1200V 650V 大電流單管已大批量應用於工商業光伏和儲能，處於行業領先地位。
產品持續創新，車規SiC 模塊蓄勢待發。公司不斷加大研發力度，2023 年研發支出同比增加52.16%，爲取得IGBT/SiC 芯片及先進封裝技術的研發優勢，於瑞士蘇黎世設立新的研發中心。公司還計劃研發高壓IGBT 產品，利用公司第六代Fieldstop Trench 芯片平台及大功率模塊生產平台，推出應用於軌道交通和輸變電等行業的3300V-6500V 高壓IGBT 產品。同時，公司積極擴充產能，和深藍汽車合資成立重慶安達半導體有限公司，研發生產高性能、高可靠性的車規級IGBT 模塊和車規級SiC MOSFET 模塊，預計2024 年完成廠房建設並開始生產。
投資建議： 我們預計公司2024/25/26 年歸母淨利潤分別爲10.42/13.63/16.14 億元，2024-2026 年對應現價PE 分別爲24/18/16 倍。公司在國內IGBT 領域客戶進展領先，且在新能源汽車、光伏等領域具有長足發展空間，我們看好公司長期發展。維持“推薦”評級。
風險提示：產品研發迭代不足的風險；下游需求不及預期的風險；市場競爭風險。