事件： 　　近期我們對產業鏈進行了動態調研跟蹤。 　　核心觀點： 　　半導體從概念上由分立器件和集成電路構成，功率半導體是分立器件中附加值最高和門檻最高的高附加值產品，目前進口替代和全球市場應用空間均很巨大。公司是專注設計+材料創新，以及特種工藝的“芯片級”功率半導體龍頭企業，同時也是技術積累超50 年的A 股稀缺“自主可控”標的。隨着新能源車市場蓬勃發展，以及三代功率半導體進入快速發展投資期，公司預計迎來可持續高速發展週期。 　　行業高成長+自主可控，國產高端功率半導體廠商機遇期來臨。2016年11 月29 日，國務院公佈《十三五國家戰略性新興產業發展規劃》，明確將大幅提升新能源車和新能源應用比例，到2020 年實現當年產銷200 萬輛以上，累計產銷500 萬輛。而根據中國汽車工業協會數據，去年國內新能源車產銷量分別爲51.7 萬和50.7 萬輛，同比增長51.7%和53%。考慮2020 年產銷200 萬輛規劃，我們判斷2017~2020 年新能源車產銷量仍將保持至少40.9%以上的年複合增速，行業保持高速成長。 　　IGBT 是新能源車及直流充電樁中核心半導體功率器件，我們認爲在新能源車行業快速發展的驅動下，國內IGBT 及其IPM（智能功率模塊）市場需求將實現同步快速增長。 　　目前，IGBT 和IPM 在應用中已作爲單獨的功能模塊，其主要被IR、意法半導體、英飛凌等國際大廠佔據，國內廠商相對落後，替代空間廣闊。目前高端武器裝備電磁化發展趨勢明確，核心功率半導體器件國產替代已迫在眉睫。我們認爲在行業高成長以及自主可控大趨勢下，國內高端功率半導體廠商將迎來歷史機遇期，率先實現IGBT 等高端器件國產化突破的廠商將獲得高速發展。 　　行業層面，軍工行業對功率半導體器件需求日益增強，高端武器裝備電磁化發展趨勢明顯；新型軍事力量的建設，軍費增長將更加傾斜於高端武器裝備；國家“自主可控”的要求，推動我國核心功率半導體器件實現進口替代，多種因素驅動軍工功率半導體增/存量市場巨大。 　　研發投入持續加大，IGBT 等核心技術有望實現突破。公司持續加大研發投入，逐步提升產品技術含量及附加值。根據2016 年半年報，2016年上半年公司研發支出4346.7 萬元，同比增長43.51%；研發支出營收佔比達7.11%，相比去年同期提高1.6 個百分點。在持續研發投入促進下，第六代IGBT、MOSFET、TRENCH SBD、FRD 及高端應用SCR產品系列化推進順利。特別在IGBT 生產製造工藝方面，公司取得長足進步並已具備稀缺“實際量產落地”能力。 　　我們認爲公司既具備功率半導體器件生產製造長期工藝積累，又緊跟國際先進製造工藝，把握行業發展趨勢。公司IGBT 等高端產品量產工藝、技術已具備較高水平，預計有望在高端半導體功率器件領域實現真正意義上的國產突破。 　　第三代功率器件市場潛力巨大，公司具備相關技術升級主客觀條件。 　　第三代功率半導體與現有硅基高端產品在材料、結構、工藝、封裝等核心技術環節具備明顯傳承性。公司IDM 模式下能夠滿足新材料器件發展需要，技術向上延伸水到渠成，技術升級發展預期充分。 　　投資建議：首次給予買入-A 投資評級。我們預計公司2016 年-2018年淨利潤分別爲0.63 億、1.51 億、2.56 億元，淨利潤增速分別爲45.9%、140.0%、70.2%，對應EPS 分別爲0.09、0.20、0.35 元/股，行業資源整合趨勢給予公司較強內生外延發展預期；軍工/新能源亟待突破，高附加值產品持續優化獲利能力；功率半導體戰略新興格局下，“大行業小公司”現狀給予足夠空間；鑑於未來業績高成長和PEG 考量，以及潛在突破行業估值中樞較高，給予2017 年動態PE 59X，6個月目標價爲12.04 元。 　　風險提示：宏觀經濟下行，新應用領域產品擴展進度不及預期