事件：

在5月16-18日举 办的武汉光博会，公司发布56G PAM4 EML 光通信芯片，进入高端光芯片市场，开启广阔增长空间。

点评：

光芯片为光模块价值重心，国产替代空间广阔。高算力时代，需要匹配高速率光模块实现AI 服务器底层数据的高传输速率和低时延。光芯片的性能与传输速率直接决定了光纤通信系统的传输效率，由于高技术壁垒，光芯片占据产业链价值制高点。根据飞速FS，光器件占光模块成本73%。光器件中，TOSA+ROSA 成本占80%。光芯片在光模块的成本占比随光模块速率升高而提升。目前高端光芯片供给集中于美日几家厂商，国产替代空间广阔。

56G PAM4 EML 光芯片可用于400G/800G 光模块。光模块内部光芯片主要采用VCSEL、DFB、EML，其中EML 芯片比前两者具备更高的调制速率和更低的功耗，因此更适用于高速网络传输。长光华芯此次发布的56G EML 芯片采用PAM4 调制，相比2 电平的NRZ 调制更适于高速率传输。该芯片电吸收调制区调制速率达56GBd，采用PAM4 调制可制成112Gb/s 的光模块。并可使用4 颗芯片实现400Gbps 传输速率，或8 颗芯片实现800Gbps 传输速率，为当前400G/800G 超算数据中心互连光模块的核心器件。

光通信芯片产品线已覆盖发射端及接收端，助力国产化突破。公司最早于2010 年开始布局光通信激光芯片，建立的磷化铟材料平台初期具备2.5G FP 量产能力。2020 年，公司开始研发10G APD 和L 波段高功率EML 芯片，两款产品均于2022 年初通过大厂认证，已批量出货，形成了发射端和接收端产品线的覆盖。本次56G PAM4 EML 芯片的发布，意味着长光华芯已全面实现在光通信领域的横向拓展。未来公司会结合下游AI 算力需求，助力国产光芯片从1 向N 突破。

盈利预测与投资建议：我们预计公司23/24/25 年营收为6.3/9.4/13.2 亿元，归母净利润2.0/3.1/4.3 亿元，看好公司在EML 芯片的进展，维持“买入”评级。

风险提示：下游需求不及预期；行业竞争加剧；产品进度不及预期