事件：
公司發佈2022 年年報及2023 年一季報。根據公告，2022 年公司實現營收29.14 億元，同比增長14.69%；實現歸母淨利潤6.88 億元，同比增長14.57%；實現扣非歸母淨利潤5.57 億元，同比下降4.70%。
2023 年一季度實現營業收入6.32 億元，同比下降16.40%；實現歸母淨利潤0.34 億元，同比下降85.53%，實現扣非歸母淨利潤0.23 億元，同比下降89.94%。
22 年業績穩定增長，23Q1 利潤率企穩：
2022 年公司受行業景氣度下降影響，業績增速整體放緩。分季度看，2022 年Q4 單季度營收爲6.36 億元，同比下降19.29%，環比下降10.93%；單季度歸母淨利潤0.46 億元，同比下降76.34%，環比下降66.43%；單季度毛利率爲29.40%， 環比下降7.22pcts。2023 年Q1單季度營收同比下降16.40%，環比下降0.55%；歸母淨利潤同比下降85.53%，環比下降25.76%。單季度毛利率爲29.67%， 環比上升0.27pcts。業績降幅環比收窄，毛利率一季度企穩環比回升。根據公告，業績同比下滑的主要原因爲1）公司部分產品自2022Q4 起價格有所下調；2）募投項目自2022 年6 月起陸續轉產，相應折舊等固定費用增加；3）行業景氣度下滑導致訂單減少。公司盈利能力短期承壓，22Q1-22Q4 單季度毛利率分別爲50.26%/44.97%/36.62%/29.40%，環比逐步下降，主要原因系2022 年下半年產品需求下降，產能利用率降低，以及12 英寸硅片產能爬坡導致單位成本上升。費用方面，23Q1 管理費用率、財務費用率及研發費用率環比均持續提升，2022年研發費用2.72 億元，同比增長18.67%，主要系公司持續加大新產品新技術的研發投入以及嘉興金瑞泓並表所致，研發費用率自22Q2逐季度增長。受國際形勢、宏觀政策等影響，疊加2022 年下半年訂單數量下降，導致公司存貨水平較高，2022 年存貨13.37 億元，2023年Q1 存貨14.06 億元。隨着23 年訂單量的逐步恢復，公司存貨有望降至健康水位。
大尺寸硅片穩步推進，產品結構持續優化：
根據投資者關係活動記錄，公司硅片類產品覆蓋6-12 英寸半導體拋光片和硅外延片，其中12 英寸半導體硅片技術能力已覆蓋14nm 以上技術節點邏輯電路和存儲電路，以及客戶所需技術節點的圖像傳感器件和功率器件。2022 年公司半導體硅片業務實現營收17.46 億元，同比增長19.73%，毛利率34.18%，同比下降11.27pcts。公司12 英寸硅片銷售規模持續擴大，衢州15 萬片/月產能硅片生產基地尚處於爬坡期；嘉興金瑞泓產能穩步推進，預計於2024 年3 月底可建成 月產能15 萬片。國內半導體12 英寸硅片下游廠商正快速擴產，隨着市場需求的不斷上升以及公司產能的逐步釋放，規模化效應有望帶動公司實現量利齊升。
功率器件光伏、車規雙管齊下，射頻業務技術優勢顯著：
公司半導體功率器件主要產品爲6 英寸肖特基芯片、MOSFET 芯片、FRD 芯片及TVS 芯片，2022 年實現營收10.78 億元，同比增長7.10%。
受益於清潔能源、新能源汽車快速增長，訂單數量已基本恢復至2022年同期水平。公司圍繞光伏、車規佈局，根據22 年年報，光伏類產品高速增長，在全球光伏類芯片銷售中佔比45%-49%；溝槽芯片發貨量同比高增，增幅達86%；FRD 產品需求旺盛穩定上量，同比增長達400%；IGBT 產品研發順利，已進入客戶驗證階段。2022 年化合物半導體射頻芯片實現營收0.51 億元，同比增長14.90%。目前射頻業務已實現InGap HBT 技術在5G 移動終端和WiFi 無線網絡上的應用，開發了全球先進的雙0.15 微米GaAs pHEMT 工藝技術，3D 激光器（VCSEL）填補了多項國內技術空白；通過IATF16949 車規質量體系認證，實現批量出貨。
投資建議：
我們預計公司2023 年-2025 年收入分別爲36.07 億元、44.39 億元、47.12 億元，歸母淨利潤分別爲7.46 億元、9.48 億元、11.2 億元，EPS 分別爲1.1 元、1.4 元和1.66 元，對應PE 分別爲41 倍、32 倍和27 倍，維持“買入-A”投資評級，6 個月目標價61.54 元。
風險提示：行業需求不及預期；市場競爭風險；技術迭代風險。