电子陶瓷产品龙头，第三代半导体开启第二成长曲线，给予“买入”评级。
数据通信、5G 基站建设、元器件自主可控诉求增加，是公司电子陶瓷业务成长的主要逻辑。目前公司在积极推进GaN 射频芯片和SiC 功率模块资产的注入，交易完成后，公司将成为国内领先且稀缺的GaN 射频芯片和SiC 功率模块IDM厂商。不考虑注入资产并表，我们预计2022~2024 年，公司归母净利润为1.64、2.10、2.68 亿元，EPS 为0.78、1.01、1.28 元，当前股价对应2022~2024 年PE为123.1、96.1、75.5 倍，首次覆盖，给予“买入”评级。
电子陶瓷：技术和工艺行业领先，自主可控提供成长动力公司在电子陶瓷领域拥有成熟的技术和工艺，自主掌握90％氧化铝陶瓷、95％氧化铝陶瓷和氮化铝三种陶瓷陶瓷体系。在设计方面，公司拥有先进的设计手段和设计软件平台。5G 通信建设、全球数据中心数量大幅增长，推动光模块用量提升，并使得光通讯器件外壳市场的稳步壮大，全球多家著名的光电器件厂商均是公司客户，通信器件外壳未来成长稳健。SAW 滤波器国产化提速，作为国内领先的声表滤波器陶瓷外壳供应商，未来消费电子外壳有望迎来快速增长。
拟注入优质资产，实现GaN 射频和SiC 模块IDM 布局2022 年9 月21 日，公司发布购买资产并募集配套资金交易报告书（草案）（修订稿），拟购买氮化镓通信基站射频芯片业务资产及负债100%股权、博威公司73%股权、国联万众94.6029%股权。本次交易完成后，中瓷电子将实现GaN 通信射频芯片和SiC 功率模块的IDM 布局。GaN 通信射频芯片，标的资产是国内少数实现GaN 5G 基站射频芯片与器件技术突破和大规模产业化批量供货单位之一，客户覆盖国内通信行业龙头企业。SiC 功率模块，在第一阶段生产线建设完成后，标的资产将具备碳化硅功率模块的设计、制造和封装测试的整体能力。
现有的碳化硅功率模块包括650V、1200V 和1700V 等系列产品，主要应用于新能源汽车、工业电源、新能源逆变器等领域。
风险提示：资产注入交易失败、下游需求疲软、竞争加剧、原材料涨价风险等。
電子陶瓷產品龍頭，第三代半導體開啓第二成長曲線，給予“買入”評級。
數據通信、5G 基站建設、元器件自主可控訴求增加，是公司電子陶瓷業務成長的主要邏輯。目前公司在積極推進GaN 射頻芯片和SiC 功率模塊資產的注入，交易完成後，公司將成爲國內領先且稀缺的GaN 射頻芯片和SiC 功率模塊IDM廠商。不考慮注入資產並表，我們預計2022~2024 年，公司歸母淨利潤爲1.64、2.10、2.68 億元，EPS 爲0.78、1.01、1.28 元，當前股價對應2022~2024 年PE爲123.1、96.1、75.5 倍，首次覆蓋，給予“買入”評級。
電子陶瓷：技術和工藝行業領先，自主可控提供成長動力公司在電子陶瓷領域擁有成熟的技術和工藝，自主掌握90％氧化鋁陶瓷、95％氧化鋁陶瓷和氮化鋁三種陶瓷陶瓷體系。在設計方面，公司擁有先進的設計手段和設計軟件平臺。5G 通信建設、全球數據中心數量大幅增長，推動光模塊用量提升，並使得光通訊器件外殼市場的穩步壯大，全球多家著名的光電器件廠商均是公司客戶，通信器件外殼未來成長穩健。SAW 濾波器國產化提速，作爲國內領先的聲表濾波器陶瓷外殼供應商，未來消費電子外殼有望迎來快速增長。
擬注入優質資產，實現GaN 射頻和SiC 模塊IDM 佈局2022 年9 月21 日，公司發佈購買資產並募集配套資金交易報告書（草案）（修訂稿），擬購買氮化鎵通信基站射頻芯片業務資產及負債100%股權、博威公司73%股權、國聯萬衆94.6029%股權。本次交易完成後，中瓷電子將實現GaN 通信射頻芯片和SiC 功率模塊的IDM 佈局。GaN 通信射頻芯片，標的資產是國內少數實現GaN 5G 基站射頻芯片與器件技術突破和大規模產業化批量供貨單位之一，客戶覆蓋國內通信行業龍頭企業。SiC 功率模塊，在第一階段生產線建設完成後，標的資產將具備碳化硅功率模塊的設計、製造和封裝測試的整體能力。
現有的碳化硅功率模塊包括650V、1200V 和1700V 等系列產品，主要應用於新能源汽車、工業電源、新能源逆變器等領域。
風險提示：資產注入交易失敗、下游需求疲軟、競爭加劇、原材料漲價風險等。
