公司发布一季度业绩预告。公司2020Q1 实现归母净利润1.6~2.0 亿元，同比增长100~150%。报告期内，公司保持高端制造业务基础上，继续推进发展存储半导体业务。目前，半导体存储芯片封测业务产能仍供不应求，生产一直处于满负荷状态，封测业务继续保持了良好的发展势头。
公司目前是国内唯一具有从集成电路高端DRAM/Flash 晶圆封装测试到模组成品生产完整产业链的企业。公司具备多层堆叠封装技术，是国内唯一具有与世界知名中央处理器制造商开展测试验证合作资质的企业，所经测试过的存储器产品可直接配套其服务器投向市场，协助国内产业链上下游实现其平台的快速验证。目前公司芯片封测产品主要包括DDR3、DDR4，LPDDR3、LPDDR4、eMCP、USB、eMMC、ePOP、SSD、3D NAND 以及Fingerprint 指纹芯片等，具备wBGA/FBGA 等国际主流存储封装技术，在此基础上不断研发先进封装FlipChip/超薄晶圆隐形切割技术、嵌入式系统级芯片封装技术。
定增加码存储产业，合肥设厂参与产业链深度合作。公司拟定增募集不超过17.1 亿元，投入沛顿存储的存储先进封测与模组制造项目。项目出资方还包括大基金二期、合肥经开创投、中电聚芯等。合肥项目有利于未来更好地服务国内存储大客户，与产业链深度合作。
存储市场空间巨大，国产化持续突破。根据 WSTS 的数据， 2020 年全球存储器市场规模达1194 亿美元，占全球半导体市场约1/4。国内需求空间巨大，但国产化率却相当低。国内存储双雄加速扩产。合肥长鑫从19nm 向17nm 转移，加速技术提升，在北京设厂进一步扩产。长江存储二期合计规划产能30 万片。长江存储2019 年开始量产64 层3D NAND，在2020 年4月发布128 层3D NAND，未来将加速产能和良率爬升。
作为国内电子产品先进制造企业，公司重点布局半导体封测，加快产业横向、纵向整合。预计随着国内存储产业逐渐成熟，存储国产化渗透不断提升，沛顿科技配套能力不断加强，具有较强成长确定性。同时，公司不断加快提升高端电子产品制造能力、推进深科技城项目、加快产业基地建设，综合竞争力有望不断提升。预计公司2020~2022 年归母净利润分别为8.42/10.76/14.44 亿元，维持“买入”评级。
风险提示：下游需求不及预期、新厂房投建不及预期
公司發佈一季度業績預告。公司2020Q1 實現歸母淨利潤1.6~2.0 億元，同比增長100~150%。報告期內，公司保持高端製造業務基礎上，繼續推進發展存儲半導體業務。目前，半導體存儲芯片封測業務產能仍供不應求，生產一直處於滿負荷狀態，封測業務繼續保持了良好的發展勢頭。
公司目前是國內唯一具有從集成電路高端DRAM/Flash 晶圓封裝測試到模組成品生產完整產業鏈的企業。公司具備多層堆疊封裝技術，是國內唯一具有與世界知名中央處理器製造商開展測試驗證合作資質的企業，所經測試過的存儲器產品可直接配套其服務器投向市場，協助國內產業鏈上下游實現其平台的快速驗證。目前公司芯片封測產品主要包括DDR3、DDR4，LPDDR3、LPDDR4、eMCP、USB、eMMC、ePOP、SSD、3D NAND 以及Fingerprint 指紋芯片等，具備wBGA/FBGA 等國際主流存儲封裝技術，在此基礎上不斷研發先進封裝FlipChip/超薄晶圓隱形切割技術、嵌入式系統級芯片封裝技術。
定增加碼存儲產業，合肥設廠參與產業鏈深度合作。公司擬定增募集不超過17.1 億元，投入沛頓存儲的存儲先進封測與模組製造項目。項目出資方還包括大基金二期、合肥經開創投、中電聚芯等。合肥項目有利於未來更好地服務國內存儲大客户，與產業鏈深度合作。
存儲市場空間巨大，國產化持續突破。根據 WSTS 的數據， 2020 年全球存儲器市場規模達1194 億美元，佔全球半導體市場約1/4。國內需求空間巨大，但國產化率卻相當低。國內存儲雙雄加速擴產。合肥長鑫從19nm 向17nm 轉移，加速技術提升，在北京設廠進一步擴產。長江存儲二期合計規劃產能30 萬片。長江存儲2019 年開始量產64 層3D NAND，在2020 年4月發佈128 層3D NAND，未來將加速產能和良率爬升。
作為國內電子產品先進製造企業，公司重點佈局半導體封測，加快產業橫向、縱向整合。預計隨着國內存儲產業逐漸成熟，存儲國產化滲透不斷提升，沛頓科技配套能力不斷加強，具有較強成長確定性。同時，公司不斷加快提升高端電子產品製造能力、推進深科技城項目、加快產業基地建設，綜合競爭力有望不斷提升。預計公司2020~2022 年歸母淨利潤分別為8.42/10.76/14.44 億元，維持“買入”評級。
風險提示：下游需求不及預期、新廠房投建不及預期
