快科技4月29日消息，台積電業務開發資深副總裁張曉強對外表示，台積電A14製程不採用High-NA EUV技術。
據悉，台積電A14製程不引入High-NA EUV光刻技術，仍然堅持使用原有的EUV光刻設備，台積電相信，即便沒有High-NA EUV光刻設備，A14製程依然可以實現性能、密度、良品率等目標。
資料顯示，A14是台積電的下一世代製程技術，這是台積電1.4nm級半導體工程，其表現明顯超越當前已經商用的3nm工藝和即將商用的2nm工藝。
台積電公佈的數據顯示，與N2工藝（2nm）相比，A14在相同功耗下實現高達15%的速度提升，或在相同速度下降低高達30%的功耗，同時邏輯密度將提升20%以上。
按照臺積電的計劃，A14計劃於2028年投產，除了A14，台積電還規劃了A14P、A14X、A14C等多種衍生版本。
