据悉，EUV光刻机采用13.5nm波长的极紫外光，可实现8nm的曝光分辨率，用于先进制程芯片制造;其技术难点在于光学系统、光源等关键子系统。本次上海微电子披露的专利主要涉及EUV光源和光刻设备，其中重点的极紫外辐射发生器(光源)主要包括腔体、靶材发生器、激光发生器、收集镜、电极板、气控部件等关键部件。光刻機概念18日盤中強勢拉升，截至發稿，同飛股份、波長光電20%漲停，藍英裝備漲超10%，海立股份、凱美特氣、張江高科、京華激光等均漲停，新萊應材、容大感光、南大光電等漲超4%。
消息面上，爲促進首臺(套)重大技術裝備創新發展和推廣應用，加強產業、財政、金融、科技等國家支持政策的協同，工業和信息化部近日印發《首臺(套)重大技術裝備推廣應用指導目錄(2024年版)》，其中在電子專用裝備目錄下，「集成電路生產裝備」包括氟化氬光刻機，光源193納米，分辨率≤65nm，套刻≤8nm。
此外，據國家知識產權局專利公告，9月10日上海微電子公佈一則發明專利《極紫外輻射發生裝置及光刻設備》，內容涉及極紫外輻射(EUV)發生裝置及光刻設備。
據悉，EUV光刻機採用13.5nm波長的極紫外光，可實現8nm的曝光分辨率，用於先進製程芯片製造;其技術難點在於光學系統、光源等關鍵子系統。本次上海微電子披露的專利主要涉及EUV光源和光刻設備，其中重點的極紫外輻射發生器(光源)主要包括腔體、靶材發生器、激光發生器、收集鏡、電極板、氣控部件等關鍵部件。
民生證券指出，海外半導體設備供給持續高增滿足短期擴產需求，國產光刻機技術亦在持續突破，利好半導體設備自主可控的長期發展，繼續看好國內晶圓廠的投資增長和國產半導體設備的國產化機遇，建議關注：北方華創、中微公司、拓荊科技、中科飛測、精測電子、芯源微、華海清科等。