全球氮化鎵（GaN）半導體領導者英諾賽科，於近日正式向香港聯交所提交A1上市申請，中金公司與招銀國際擔任聯席保薦人。
截至2023年12月31日，以折算氮化鎵分立器件計，公司累計出貨量超過5億顆，成爲全球氮化鎵出貨量的領軍企業。公司與全球主要客戶建立了緊密合作關係，推動了行業標準的制定與市場秩序的優化，展現了其在產業鏈中的核心價值。
佔據優勢賽道 氮化鎵市場潛力巨大
據了解，氮化鎵材料以其高頻、高電子遷移率、強抗輻射能力及低導通電阻等卓越特性，正逐步改變功率半導體行業格局。機構預測，2023年至2028年間，全球氮化鎵功率半導體市場規模將實現指數級增長，複合年增長率高達98.5%，市場潛力巨大。
作爲全球功率半導體革命的先驅，英諾賽科此次赴港上市標誌着氮化鎵功率半導體行業進入加速發展階段，弗若斯特沙利文預計至2028年，全球市場規模將達到501.4億元人民幣。
構建技術壁壘 夯實領先地位
英諾賽科作爲全球氮化鎵行業的佼佼者，匯聚了397名研發精英，共同構建了覆蓋芯片設計、器件結構、晶圓製造等領域的研發團隊。據介紹，公司不僅是全球首家實現8英寸硅基氮化鎵晶圓量產的企業，亦是全球唯一具備產業規模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導體產品的公司，彰顯了其在技術創新與市場開拓上的領先地位。
英諾賽科的產品線涵蓋了從分立器件到集成電路、晶圓及模組，廣泛服務於消費電子、可再生能源、工業應用、汽車電子及數據中心等多個領域。氮化鎵技術的應用不僅提升了產品的性能與效率，還縮小了設備尺寸，爲用戶帶來了更優質、便捷的使用體驗。尤其在汽車電子領域，英諾賽科的氮化鎵產品通過IATF 16949車規級認證，支持48V電源系統及LiDAR系統，爲自動駕駛技術的安全性和效能提供了堅實保障。
此外，根據已披露的招股書顯示，英諾賽科的技術獨特性首先體現在8英寸硅基氮化鎵晶圓的量產，可謂實現了三方面的突破與提升：一是對氮化鎵行業現有的6英寸技術的突破，開發了新的量產工藝和技術，並且實現大規模成熟量產；二是採用硅基技術路線製造氮化鎵晶圓，與現有的8英寸硅製造設備兼容，公司對製造工藝進行了大量定製化改進；三是實現了在產品性能及效益上的顯著提升，以招股書披露數據來看，與傳統的6英寸晶圓相比，8英寸晶圓晶粒產出數提升了80%，單一器件成本降低30%。
除了製造能力獨樹一幟，公司在產品研發上實現了全電壓譜系產品組合，是全球唯一一家在整個氮化鎵產品電壓範圍內實現技術突破的公司，研發範圍覆蓋15V至1200V，可以較好滿足下游廣泛應用需求。爲了在下游應用中充分發揮氮化鎵的材料優勢，公司還投入大量資源，開發先進封裝工藝，以及投資大量資源，建設氮化鎵可靠性測試體系，以確保產品符合卓越的工業應用和高端消費產品的可靠性要求。
大量研發投入可以佐證公司在取得全球領先技術地位過程中付出的努力，根據招股書數據，2021年至2023年，公司的研發費用合計爲人民幣15.92億元。截至2023年12月31日，公司在全球有約700項專利及專利申請，涵蓋芯片設計、器件結構、晶圓製造、封裝及可靠性測試等關鍵領域。
業務增長勢頭強勁 虧損範圍逐漸收窄
從招股書財務數據來看，最近三年（2021年至2023年，下同）英諾賽科業務高速增長，收入由2021年的6821.5萬元（人民幣，下同）增加至2023年的5.9億元，2021年-2023年，收入複合年增長率高達194.8%。這一方面是全球氮化鎵下游應用進入爆發期，需求端強力拉動，另一方面也得益於公司長期富有遠見的戰略佈局，採用IDM模式，在產品設計、工藝製造、測試及下游應用等方面持續大量投入，確立了獨特的技術領先地位及綜合運營優勢，能夠有效滿足市場強勁需求。
從營收區域結構來看，公司境外業務雖然起步較晚，但進展迅猛，招股書數據顯示，2023年境外銷售收入約佔公司同期總收入的10%。公司高度重視業務全球化發展，招股書顯示，公司是唯一一家與全球主要公司進行供應合作的中國氮化鎵半導體芯片公司。在2023年，公司已向中國和海外（主要包括亞洲和歐洲）約100名客戶提供了氮化鎵產品。
利潤方面，招股書顯示，公司最近三年合計淨虧損約67.07億元，合計淨虧損中兩項非經營性因素影響較大，第一項是公司歷次融資過程中授予投資者金融工具贖回權產生的負債賬面值變動31.97億元（該等贖回權現已終止）；第二項是公司僱員激勵計劃產生的股份支付1.37億元，公司對核心團隊的激勵也有助於未來長足發展。
僅就經調整淨虧損來分析，公司近三年經調整淨虧損合計約33.73億元，其中2023年經調整淨虧損約爲10.16億元，較2022年的經調整淨虧損12.77億元有所收窄，顯示出公司在營收規模快速擴大時，整體運營質量及效率正在快速改善。
與此同時，公司採取全球化佈局策略，在蘇州、珠海設立生產基地，並於硅谷、首爾、比利時等地建立子公司，積極拓展海外市場。2023年，英諾賽科的境外銷售額近5800萬元人民幣，約佔總收入的10%，體現了其在國際市場的影響力。
分析人士指出，英諾賽科衝刺港股上市，不僅將爲公司注入新的資本動力，加速其技術研發與市場擴張的步伐，還將進一步提升氮化鎵功率半導體行業的全球競爭力，引領新一輪的能源技術革新浪潮。隨着英諾賽科的上市進程不斷迫近，氮化鎵功率半導體行業將迎來前所未有的發展機遇，有望成爲全球功率半導體產業的一次重要里程碑，預示着氮化鎵技術將更廣泛地應用於未來的能源解決方案中，爲全球綠色能源轉型貢獻力量。