來源：華爾街見聞 作者：趙穎
大摩預計，到2025年，HBM的供應不足率爲-11%，整個DRAM市場的供應不足率爲-23%。特別是HBM的需求量將大幅增加，可能佔總DRAM供應的30%以上。
人工智能需求推動，疊加過去兩年資本支出不足，內存市場正迎來前所未有的“超級週期”。
摩根士丹利在週四的報告中指出，存儲將出現“前所未有”的供需失衡，內存的價格也水漲船高：
人工智能的快速發展將導致DRAM和HBM的供需失衡，預計2025年HBM的供應不足率爲-11%，整個DRAM市場的供應不足率爲-23%。特別是HBM的需求量將大幅增加，可能佔總DRAM供應的30%。
由於DRAM供應不足，加之過去兩年的資本支出不足，沒有新的晶圓廠或大規模晶圓可用，這將爲內存市場超級週期提供了動力。
內存的價格也將水漲船高，預計商品存儲產品的價格將在2024年每季度以兩位數速度上漲，2025年HBM的價格將更高，服務器DRAM和超高密度QLC固態硬盤將引領價格上漲。
進一步來看，在內存市場中的戰略地位的公司SK海力士和三星市場份額將進一步增長：
將內存行業2024-25年的每股收益預測提高了24-82%，較最新的預期共識高出51-54%；
SK海力士將獨佔鰲頭，我們認爲市場共識對其市場份額增長潛力低估了。預計其在2025年將佔據HBM市場的最大份額，利潤率也將大幅提高，將其目標價提高11%至30萬韓元，較目前有約30%的上漲空間。三星電子目標價提高至10.5萬韓元，較目前有36%上漲空間。
這個存儲週期有所不同
大摩指出，從歷史來看，內存市場週期性明顯，週期整體路徑相似。一般是資本投資週期較長，擴展產能需要2-3個季度，而新工廠建設需要2-3年。
內存行業通常每兩年會出現一次短暫的供需平衡，這種週期性是由半導體制造業的長期資本投資週期驅動的，產能擴張週期中產能的擴張通常需要2-3個季度，而新晶圓廠的建設和投產則需要2-3年。
上行週期原因多樣，包括互聯網、雲計算、新冠病毒和人工智能等，這些因素使得公司將週期視爲新現象，但新的產能往往在行業最不需要的時候上線。
但這個週期有所不同，大摩指出：
與過去相比，當前週期中行業的資本支出遠低於維持產能所需的水平，自2022年第三季度以來產能一直在下降。
這種投資的缺乏正發生在內存供應鏈迅速轉移到HBM的之際，HBM每比特所需的晶圓容量是普通DRAM的兩倍，其生產良率也較低。
大摩預計，到2025年，HBM市場份額佔比將增長，整體市場供應不足將更明顯：
預計到2025年，HBM總可尋址市場（TAM）預計將顯著增長，從2025年的370億美元增長到2027年的700億美元，市場份額將佔整個DRAM市場的30%以上，混合價格將上漲10%以上。
從2025年開始，智能手機和個人電腦的人工智能升級週期可能需要額外的內存產能，預計市場屆時將面臨嚴重的供應短缺，HBM的供應不足率爲-11%，整個DRAM市場的供應不足率爲-23%。
價格方面，SK海力士和三星電子都在積極擴展HBM和DRAM的生產能力，預計2024年第二季度DRAM合同價格將環比上漲13-18%，第三季度可能上漲10-15%。摩根士丹利表示：
給予收益預測和價格目標變化，我們將DRAM和NAND的第三季度定價展望分別上調至13%和20%，而之前的預測爲DRAM 8%和NAND 10%。客戶行爲發生了變化，確保供應越來越多地優先於定價，來自中國的訂單智能手機oem應該會繼續上升到第三季度，PC ODM/ oem將繼續確保內存供應，同時爲某些大型PC oem保持接近20周的庫存。行業產量仍低於需求，減產仍在繼續，而需求環境的改善也爲24年下半年的價格前景帶來了更大的確定性。
行業龍頭公司市場份額將進一步增長
AI驅動的內存“超級週期”將爲SK海力士和三星電子帶來份額的增長，大摩將SK海力士目標價提高11%至30萬韓元，較目前有約30%的上漲空間，其預計海力士2024年和2025年的每股收益將比市場預期高出59%，海力士2024年第三季度的業績指引將會更高。
大摩將三星電子目標價提高至10.5萬韓元，較目前有36%上漲空間，並指出三星電子獲得英偉達的資格在2025年將至關重要。對三星來說，最好的結果是明年獲得HBM3E資格，以避免GPU需求出現任何供應中斷。最糟糕的情況是，三星可能需要將超過50億Gb的HBM晶圓產能轉向商品DRAM市場。如果三星的HBM晶圓產能轉向DRAM，這可能會對DRAM市場供應產生顯著影響，增加供應增長。
編輯/lambor