事件：公司發佈了2023 年年度報告、2024 年一季度報告，2023 年全年公司營收162.31 億元，同比-3.30%；歸母淨利潤19.36 億元，同比-35.64%；扣非淨利潤16.14 億元，同比-37.21%。公司2024 年Q1 營收32.97 億元，同比-24.62%，環比+0.55%；歸母淨利潤2.21 億元，同比-78.76%，環比-11.89%；扣非淨利潤2.09 億元，同比-79.11%，環比+39.29%。
24Q1 修復跡象顯現，看好產品未來價量齊升：2023 年，全球經濟增長放緩，市場需求萎縮等，導致公司業績下滑。2023 年公司毛利率爲27.10%，同比-8.76pcts；淨利率爲5.22%，同比-11.02pcts，毛利率下降主因系原材料和人力成本上漲及2023 年設備折舊及能源費等固定成本上升。費用方面，2023年公司銷售/管理/研發/財務費用率分別爲0.44%/4.79%/8.99%/3.14%，同比變動分別爲-0.06/+0.71/+2.58/-1.69pcts，研發費用增長主因系研發工程片開支增加及政府補助抵減研發費用下降。24 年Q1，公司營收、毛利率均實現了環比提升，特色工藝市場需求整體向好。24 年Q1，公司產能利用率明顯回升，8 英寸和12 英寸產能接近滿載，預期未來幾個季度產品價格將會回升。
堅持“特色IC+功率器件”戰略，重點發力汽車電子領域： BCD 電源管理平台方面，公司與國內頭部模擬與電源管理公司協同推廣手機市場的各類電源管理芯片，如快充、無線充等芯片，並得到業內頭部終端品牌的廣泛認可，同時積極推動基於BCD 工藝的電源管理芯片向汽車電子領域滲透。公司致力於打造多元化特色工藝平台，基於傳統BCD 工藝基礎上開發“BCD+”組合工藝，在部分領域處於國內領先地位。此外，公司12 英寸90nm 與65nm BCD均已實現量產，並持續向汽車電子等新興領域滲透，隨着23 年H2 部分消費類市場出現觸底反彈，BCD 電源管理芯片投片量回到較高水平。功率器件工藝平台方面，公司通過不斷優化迭代自研IGBT 技術，使得公司功率器件具備大電流、小尺寸、高可靠性等優勢，被應用於新能源汽車逆變器、光伏等領域。同時公司基於深溝槽式超級結MOSFET 技術，已爲客戶提供了應用於數據中心電源、車載充電機等高端芯片製造平台。公司超精細溝槽柵的IGBT產品比重提升及新型超級結MOSFET 技術的有序開放，使得公司汽車電子、新能源及工業領域的客戶需求逐漸提升。此外，公司12 英寸功率器件產線的 規模與量產速度，始終保持國內領先地位。
深化存儲器技術差異，有望受益市場規模增長：據 WSTS 預測，2024 年存儲器市場規模將同比增長 44.8%至 1,297.68 億美元。長期來看，存儲芯片市場規模有望在物聯網、智能汽車、工業機器人、AI 算力等因素驅動下持續增長。公司堅持致力於差異化技術的研發、創新和優化，在存儲器方面主要聚焦於嵌入式/獨立式非易失性存儲器，持續爲客戶提供滿足市場需求的特色工藝技術和服務。其中，嵌入式非易失性存儲器主要包括智能卡芯片和微控制器兩大類芯片應用。智能卡方面，相關產品保持平穩出貨；微控制器方面，公司藉助 “8 英寸+12 英寸”嵌入式閃存平台優勢，助力客戶在汽車電子、大家電、工控等領域穩步進入本土MCU 供應鏈第一梯隊，公司使用基於多工藝節點eFlash 工藝生產的全系列車規級芯片產品已量產供貨，來自汽車電子的銷售收入顯著增長；獨立式閃存平台，公司與客戶協力推進基於自主開發NORD 技術以及傳統ETOX 技術的SPI NOR 閃存以及EEPROM 產品，使用更小存儲單元的芯片產品，得到各類終端應用認可，多款車規級SPI NOR 閃存以及EEPROM 產品已經在量產。其中公司24 年Q1 嵌入式非易失性存儲器，包括智能卡和 MCU 產品的需求量，環比增長約 6-7%。未來，公司有望受益存儲器市場增長，進而打開業績成長空間。
下調盈利預測，上調至“買入”評級：公司2024 年Q1 的產能利用率、銷售收入、毛利率均實現環比提升，特色工藝的市場整體向好。我們看好未來半導體領域的復甦趨勢，尤其是存儲細分領域，疊加公司第二座12 英寸廠建設的順利推進，公司未來業績有望持續修復。考慮到功率器件需求疲軟，半導體存儲領域復甦處於早期，故下調盈利預測。但同時考慮到公司24Q1 毛利率和產能利用率均實現環比修復，故上調至“買入”評級。預計公司2024-2026年歸母淨利潤分別爲19.11 億元、23.19 億元、28.33 億元，EPS 分別爲1.11元、1.35 元、1.65 元，PE 分別爲30X、25X、20X。
風險提示：行業需求不及預期風險；匯率波動風險；市場競爭加劇風險；技術迭代不及預期風險。