InP 培育多年，高速数通光芯片有望成为新增长点下一代数据中心应用 400G/800G 传输速率方案，传统 DFB 激光器芯片短期内无法同时满足高带宽性能、高良率的要求，需考虑采用 EML 激光器芯片以实现单波长 100G 的高速传输特性。长光从2010 年开始布局磷化铟激光芯片产线，目前10G EML、100mW CW（硅光使用）、单波 100GEML 等多款产品已向市场送样验证和部分批量供应，应用覆盖接入网、数据中心场景下的10G、100G-800G 速率的多种应用。半導體激光行業龍頭，“橫向+縱向”深度佈局產業鏈公司於2012 年成立，2022 年於上交所科創板成功上市，聚焦半導體激光行業，秉持“一平台、一支點、橫向擴展、縱向延伸”發展戰略，以高功率半導體激光芯片的核心技術及全流程製造工藝爲支點，橫向拓展至VCSEL、InP 光通信芯片、GaN 和SiC，縱向延伸實現芯片-器件-模組-半導體激光器全產業鏈佈局，打造多系列產品矩陣。公司已建成覆蓋芯片設計、外延、光刻、解理/鍍膜、封裝測試、光纖耦合等 IDM 全流程工藝平台，核心技術產品性能達到國際先進水平，處國內領先地位。
GaAs 高功率客戶廣泛，Vcsel 佈局三大應用
在GaAs 高功率光芯片領域，公司積累了如銳科激光、創鑫激光、大族激光、傑普特、飛博激光等行業龍頭及知名企業客戶；在國家戰略高技術及科研領域，公司的高功率巴條系列產品可實現連續50-250W 激光輸出，準連續脈衝500-1000W 激光輸出，電光轉換效率 63%以上，已服務於多家國家級骨幹單位。同時，VCSEL 產品佈局了消費電子、光通信（25G、50G Vcsel）、車載激光雷達芯片等領域，且部分產品已經實現銷售。
InP 培育多年，高速數通光芯片有望成爲新增長點下一代數據中心應用 400G/800G 傳輸速率方案，傳統 DFB 激光器芯片短期內無法同時滿足高帶寬性能、高良率的要求，需考慮採用 EML 激光器芯片以實現單波長 100G 的高速傳輸特性。長光從2010 年開始佈局磷化銦激光芯片產線，目前10G EML、100mW CW（硅光使用）、單波 100GEML 等多款產品已向市場送樣驗證和部分批量供應，應用覆蓋接入網、數據中心場景下的10G、100G-800G 速率的多種應用。
佈局GaN、SiC 芯片的朝陽市場
1）公司與中科院蘇州納米所合資成立蘇州鎵銳芯光，該公司已研製出國內首顆氮化鎵基藍光和綠光激光器芯片，填補國內空白，2024 年有望建成國內最大的氮化鎵激光器芯片量產線。2）長光華芯與清純半導體合作，成立蘇州惟清半導體公司，其未來的產品主要是用於車載SiC 主驅的芯片產品，主要爲搶抓電動汽車等新能源行業快速發展機遇。
盈利預測與投資建議
預計2024-2026 年公司歸母淨利潤分別爲0.44 億元、0.82 億元、0.95 億元，對應2024-2025 年市盈率分別爲143 倍、76 倍，估值較高，但基於公司在單管及巴條芯片的競爭優勢，以及佈局磷化銦、氮化鎵、碳化硅等新業務，有望打開新的成長空間，首次覆蓋給予“增持”評級。
風險提示：業績虧損的風險；技術升級迭代風險；客戶集中度較高的風險：市場競爭加劇風險；下游恢復、價格不及預期的風險。