證券之星消息，根據企查查數據顯示晶合集成（688249）新獲得一項發明專利授權，專利名爲“一種LDMOS器件及其製備方法”，專利申請號爲CN202410231492.9，授權日爲2024年5月10日。
專利摘要：本發明提供一種LDMOS器件及其製備方法，LDMOS器件包括設置於襯底中的源區、漏區、Pbody區和漂移區，設置於襯底上的至少兩個間隔設置的柵極結構、至少兩個阻擋結構、介質層和場板，源區和漏區分別位於每個柵極結構的兩側，阻擋結構從柵極結構遠離源區一側的襯底上向源區方向延伸，並覆蓋柵極結構的部分側壁和部分表面，柵極結構和阻擋結構一一對應設置，且介質層覆蓋襯底、柵極結構和阻擋結構；阻擋結構包括從下至上依次堆疊設置的第一阻擋層、多晶硅層和第二阻擋層，場板從上至下依次貫通介質層、第二阻擋層和多晶硅層，並伸入第一阻擋層中。本發明通過阻擋結構與場板結構整合，可以優化並降低電場分佈強度，並提高擊穿電壓。
今年以來晶合集成新獲得專利授權121個，較去年同期增加了128.3%。結合公司2023年年報財務數據，2023年公司在研發方面投入了10.58億元，同比增23.39%。
數據來源：企查查
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