AI浪潮驅動下，HBM的市場需求持續高漲，“供不應求”的局面還將持續多久？
4月14日，美國銀行發佈全球內存技術主題研報，對HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬存儲器）及DRAM（動態隨機存取存儲器）技術的最新動態和趨勢進行了解讀。
報告表示，由於良品率較低、製造週期較長以及訂單持續強勁，預計HBM需要的DRAM晶圓產能可能要比當前的預測多出10%-20%。此前，美銀預計2024年和2025年的全球DRAM晶圓產能爲18.2萬片/月和25.7萬片/月。
HBM需求越高，DRAM消耗越大
HBM技術可以說是DRAM從傳統2D向立體3D發展的主要代表產品，因其通過堆疊8-12個DRAM芯片製成，因此需要更多的DRAM晶圓產能。
具體來看，報告表示：
目前HBM的平均良品率可能只有70%以上的水平，很難達到90%以上；
完成HBM的前端和後端工藝通常需要5個月以上的時間，這比原先預計的4個月內完成更爲合理。這可能會導致生產效率降低，進一步增加對晶圓的需求；
在英偉達和其他大型生產商的需求推動下，預計下半年甚至到2025年的新訂單會更爲強勁。
這意味着，想要生產足量的、高質量的HBM，就需要投入更多DRAM晶圓產量。報告表示，這個過程可能需要丟棄超過30%的晶圓，高於此前不到30%的預期。
非HBM用的DRAM供應面臨短缺
同時，美銀還指出，這種對DRAM晶圓產能的增加需求可能會導致2025年非HBM用的常規DRAM出現供應短缺。
公開資料顯示，用於HBM的DRAM設備與商用內存（如DDR4、DDR5）的典型DRAM IC完全不同，不僅要求更高的測試設備數量，在存儲體和數據架構上也進行了重新設計。
而用於HBM的DRAM設備必須具有寬接口，因此它們的物理尺寸更大，也比常規DRAM IC更昂貴。據媒體報道，美光首席執行官 Sanjay Mehrotra曾表示：
“HBM3E芯片的尺寸大約是同等容量DDR5的兩倍。HBM產品包括邏輯接口芯片，並且具有更加複雜的封裝堆棧，這會影響良品率。因此，HBM3和3E需求將吸收行業晶圓供應的很大一部分。”
“HBM3和3E產量的增加將降低全行業DRAM位供應的整體增長，尤其是對非HBM產品的供應影響，因爲更多產能將被轉移到解決HBM機會上。”
而作爲AI時代的“新寵”，HBM的供不應求預計還將持續。高盛也在早些時候發佈研報稱，預計市場規模將從2022年到2026年前增長10倍（4年複合年增長率77%），從2022年的23億美元增長至2026年的230億美元。
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