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赛晶科技(0580.HK):2024年目标营收增长50%,向上拐点正式确立!

賽晶科技(0580.HK):2024年目標營收增長50%,向上拐點正式確立!

格隆匯 ·  04/10 09:51

近日,賽晶科技發佈2023年業績報告。2023年,公司銷售收入約10.5億元,同比增長15%;毛利率32%,同比增長4個百分點。受此影響,公司盈利水平實現逆勢高增,歸屬母公司淨利潤約3155萬元,同比增長高達31%。在業績說明會上,公司還稱力爭實現2024年營收增長50%經營目標。

公司的業績拐點正式確立。在強勁的盈利增長勢頭背後,是公司在特高壓和功率半導體領域的發展發生了飛躍。

直流輸電領域再迎突破

公司爲輸配電工程提供陽極飽和電抗器、電力電容器等器件產品,業務主要涉及特高壓直流輸電、柔性直流輸電項目。

電網輸配電業務是公司的基本盤和壓艙石。2023年,電網輸配電業務表現非常亮眼。得益於特高壓項目密集落地,公司的直流輸電領域的銷售收入同比增長43%,達2.5億元。

海通證券的研報認爲,特高壓建設在提速,金上-湖北,隴東-山東,哈密-重慶,寧夏-湖南直流特高壓工程已經開工,2024年預計開工5條直流特高壓,2條交流特高壓。國聯證券研究所指出,根據十四五規劃,我國至少要建設直流特高壓12條,預計總投資在2400億元以上。而面向“十五五”的電網投資計劃也有望陸續出爐。按照十五五規劃,預計年均開工3-4條直流特高壓,行業景氣度將持續。而根據2025年併網的規劃,今明兩年將是行業投資高速增長的階段。作爲行業龍頭,公司在過去一年深度受益於特高壓密集開工的紅利,取得相關訂單和交付增長;展望未來,這樣高景氣度很高機會將延續,使得實現成長加速跑。

值得一提的是,2024年初,公司的兩款柔直用直流支撐電容器順利通過國家級新產品技術鑑定,爲該類產品的批量工程應用做好了準備。

“柔直”指的是柔性直流輸電技術(VSC-HVDC)。該技術是在傳統直流輸電技術基礎上,使用了大功率IGBT替代了晶閘管,並利用脈寬調製技術進行電能的轉換輸送,無功補償能力、無需支撐電源、無換相失敗、靈活的功率控制等方面具有很強的優勢。可以說,柔性直流輸電技術是新一代電力電子技術在輸電領域的應用,是電力電子技術的未來,具備廣闊的發展空間。不過,國海證券研究所指出,在柔性直流輸電技術中,其關鍵的柔直換流閥等關鍵設備中,電力電子器件對進口產品的依賴性較高,仍存在覈心技術受制於人、國產化率偏低等問題,全國產化發展步履緩慢。賽晶科技取得的進步,加快了柔直工程中直流支撐電容器大規模國產替代的步伐,同時也爲公司進一步打開柔性直流輸電業務的發展空間奠定基礎。

高端功率半導體國產替代的中堅力量

除了在電力電子技術領域快速成長,公司的自研功率半導體也取得快速突破。2023年,公司在功率半導體的潛力初步兌現,自研功率半導體業務收入8145萬元,同比增長高達105%,實現翻倍!可見,半導體業務已構成公司第二成長曲線,成爲新的增長極。

國海證券指出,賽晶科技是業內技術領先並深具影響力的電力電子器件供應商和系統集成商,也是國際領先的創新研發型企業。根據公開消息,賽晶科技旗下擁有三家子公司入選2023年度第一批浙江省專精特新中小企業,能側面說明公司的研發實力獲得官方的認可。

值得關注的是,賽晶科技深耕功率半導體領域多年,近年來在該領域勢如破竹。

從功率半導體的發展軌跡來看,高功率、高頻率(小型化)與低功耗是技術演進的方向。目前,功率器件主要包括功率二極管、雙極性晶體管、功率MOSFET和IGBT。其中MOSFET、IGBT 是功率分立器件中比重最大的產品。

2020年,賽晶科技正式發佈IGBT首款產品;次年,公司首條IGBT生產線竣工投產,i20 IGBT芯片和ED封裝IGBT模塊實現量產。2023年,賽晶科技推出1700V IGBT及FRD芯片,ST封裝IGBT模塊、HEEV封裝SiC模塊、EVD封裝IGBT模塊等多款新產品。據悉,SiC模塊是車規級產品。此外,賽晶科技啓動了電壓爲1200V和1700V,包含Si IGBT和SiC MOSFET的多個系列芯片和模塊研發,有望於2024年內陸續推出。這意味着公司不僅向更高端的IGBT進發,還正在切入第三代半導體賽道。

按照全球主流技術水平來說,SIC MOSFET、IGBT等高端分立器件是功率器件中較爲尖端、技術含量較高的分類。由於此類產品技術門檻更高、工藝複雜性更強,因此我國整體產業技術水平仍與全球領先水平的仍存在較大差距,是功率半導體國產替代的核心領域。不難看出,公司正向着“國際一流水平的國產功率半導體廠商”的目標快速前行。

賽晶科技半導體產品已順利進入產業化階段,並獲得下游的認可。2023年,公司實現批量供貨的客戶群體達38家,較去年同期增長36%。“銷售收入的94%都來自進入門檻高、品質要求苛刻的新能源發電、儲能和電動汽車領域。”賽晶科技管理層在業績說明會上表示。

值得一提的是,2023年,賽晶科技除了不斷完善產品佈局、提升產品滲透率,還持續擴充產能。在業績說明會上,賽晶科技管理層披露,2024年公司將加快產能擴充,力爭完成第三條IGBT模塊和第一條碳化硅模塊封測生產線的建成。生產線建成後,有利於公司進行更高效的內部協同與生產研發,加快新產品及新工藝的快速推出。未來,公司有望加快邁向高端功率半導體大規模產業化的新階段。

2023年業績報告標誌着賽晶科技業績拐點的確立。在業績背後,是公司在直接輸電領域和功率半導體領域的持續發展和創新。隨着公司逐步確立起在行業中的領導地位,

未來可能實現更加可觀的業績增長。

譯文內容由第三人軟體翻譯。


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