野村預計，2024年DRAM價格將環比高個位數增長至10%，HBM3E/HBM3平均售價可能增長10-20%，若HBM擠壓DRAM供給，DRAM價格可能會從當前低點漲超50%。
在AI需求推動下，內存市場一季度傳統淡季“不淡”，價格上漲超出市場預期。
韓國2月半導體產量同比激增65.3%，創下自2009年以來的最高記錄，分析預計4月內存出口同比增長將超100%。
野村證券在週一的報告中，內存市場可能正處於超級週期中，一季度迎來量價齊升：
價格方面，2024年第一季度，內存價格上漲幅度超出市場預期。DRAM混合平均售價環比增長超過20%，而NAND價格更是跳漲了25-30%，預計第二季度（2Q24F）價格將繼續上漲。
出貨量方面，一季度半導體和內存出口分別環比增長了5%和12%。儘管DRAM出貨量預計環比下降約15%，但商品價格預計環比上漲了15-20%。根據我們的估計，包括HBM在內，混合平均售價環比增長超過20%。
NAND的出貨量可能保持穩定，但價格將顯著上漲25-30%。按產品分類，AI服務器對HBM的需求極強，企業SSD的內存需求也在增長。移動DRAM/NAND需求相對較弱，而PC內存和SSD需求預計將在2024年下半年隨着AI PC銷售的增長而上升。
展望今年，野村預計，今年內存價格將繼續上漲
2Q24F DRAM價格將環比增長高個位數至10%，一季度高價格增長放緩，但仍然高於我們認爲的市場預期。由於高溢價HBM3E/HBM3（高帶寬內存）供應的擴大，混合平均售價也可能增長10-20%。儘管一些NAND廠商的利用率恢復，但我們認爲，NAND價格也將環比增長超過10%。
HBM的競爭加劇，預計將限制商品DRAM的供應，並推動商品價格上漲。海力士和美光已獲得HBM3E資格，三星也在進行相關資格認證。由於行業競爭加劇，HBM容量的增長可能超出預期，這可能導致DRAM價格在2Q24F底部增加超過50%。
野村維持對SK海力士和三星電子的買入評級，儘管市場對內存公司收益的預期正在上升，但仍低於野村的預期。野村認爲，鑑於AI公司的技術進步和商業利用情況好於預期，內存市場的未來表現可能比市場當前預期更爲樂觀。
編輯/Somer