①美國聯邦政府宣佈向英特爾提供85億美元的補貼和110億美元的聯邦貸款擔保，這是其《芯片法案》目前爲止開出的最大支票；
②英特爾也趁勢宣佈其在美國四個州的1000億美元投資計劃，而這昭示了英特爾勃勃的芯片雄心。
週三，美國政府宣佈將對$英特爾 (INTC.US)$提供85億美元的芯片補貼和高達110億美元的聯邦貸款擔保，這預計將是美國《芯片法案》中最大的一筆撥款。
而這差不多200億美元的資金也成功撬動了英特爾在美更多的投資。週三，英特爾表示將在美國四個州投入1000億美元，用於建設新工廠及升級現有工廠。
英特爾計劃的一個核心是，最快在2027年，將在俄亥俄州哥倫布市打造全球最大的人工智能芯片製造基地，預計總投入爲280億美元。
除此之外，英特爾將在俄勒岡州斥資360億美元對其希爾斯伯勒研發中心進行現代化改造和擴建，該基地此前已累計投資了590億美元。亞利桑那州則將投資320億美元進行兩座新工廠的建設，剩下的40億美元將被用於新墨西哥州的Fab 9芯片工廠。
英特爾信心滿滿地表示將在不遠的將來讓英特爾重回全球芯片老大的位置，而現在就是那個開始“燒錢”的時刻。
打敗台積電的祕密武器
英特爾指出，1000億美元計劃中的30%將被用於勞動力和建築成本之上，剩下的資金則拿來向荷蘭阿斯麥、東京電子、應用材料公司等芯片設備供應商購買生產設備，這些設備將幫助諸如俄亥俄州世界級製造基地等產能在三四年後投入生產。
還有消息則稱，英特爾計劃中的大部分資金將投入到其18A工藝。
18A技術是英特爾用以挑戰$台積電 (TSM.US)$霸主地位的祕密武器，被認爲將在性能和效率方面全面超過台積電的最佳工藝。高管們預計英特爾18A將在2025年上線，並讓英特爾重新獲得工藝領先的地位。
英特爾CEO基辛格曾公開豪言表示，他對於自家的18A製程技術充滿信心，甚至預期這項技術將在未來兩年內無敵於市場，超越當前領先的台積電N2(2nm)技術。他坦言，他已經把整個公司的賭注都壓在了18A技術之上。
據IEEE Spectrum數據顯示，英特爾18A工藝應用在ClearWater Forest服務器芯片，理論上將配備多達3000億個晶體管，而英偉達在GTC大會上隆重介紹的Blackwell B200旗艦顯卡也不過配備了2080億個晶體管。
英特爾還預計將在2024年下半年開始推出新型的全柵級（GAA）晶體管架構的處理器芯片，而CleanWater Forest邏輯電路小芯片將採用該GAA架構的第二代版本。
英特爾表示，18A工藝將可以實現在同一單元中包含不同物理尺寸的GAA晶體管，這種可定製性將可以讓工程師能夠開發出更快也更高效的電路。
40億美元的殺手鐧
相比於其他三州的投資，英特爾在新墨西哥州的“燒錢”活動似乎十分保守，但有人認爲新墨西哥州是英特爾千億美元基礎設施投資計劃的一大亮點。
今年初，英特爾在新墨西哥州新建了一家名爲Fab 9的工廠，用於生產3D封裝組件。
據稱每個ClearWater Forest處理器中的小芯片都將使用一種名爲Foveros Direct 3D的新封裝技術連接在一起，而這比英特爾當前使用的封裝組件加強了16倍的連接能力，這將加速數據傳輸速度，從而提高處理速度。
而Fab 9工廠正是英特爾在先進封裝技術上的模範工廠，被視爲該公司在美國增加先進半導體產品產量的戰略重點。同時，Fab 9也是英特爾與台積電在先進封裝技術競爭中的前沿戰場，在英特爾的千億美元計劃中十分關鍵。
背面供電技術
英特爾的18A和3D封裝是確立優勢的基石，而其即將面世的背面供電技術，有望讓追求高性能和高能效芯片的客戶蜂擁到其工廠。
這一背面供電技術被稱爲PowerVia。傳統上，用於向芯片供電的細導線位於構成半導體所有層的頂部，而隨着技術的進步，這一方法已經逼近極限。提供電力的電線最終將與連接組件的電線競爭造成換亂，從而浪費電力並降低效率。
而PowerVia將電源互連移至芯片背面，完美消除了上述風險。英特爾稱這一變化將使芯片性能提高6%，電壓降改善超過30%，簡而言之就是更加“高能”。
這一工藝將被用於今年晚些時候推出的Arrow Lake PC芯片，隨後，18A工藝將改進這一技術，並在2025年時向代工客戶提供兩大升級的組合版本。
據悉，台積電的背面供電技術比英特爾落後一年，三星則可能在2025年時再推出這一工藝。英特爾在背面供電領域無疑就是全球領先的玩家，加上18A的助力，其正在獲得更多主要客戶的青睞。
更加給力的是，美國政府慷慨地向英特爾撥出了近200億美元的資金支持，讓英特爾更有砸錢的底氣。技術優勢加上不差錢的闊氣，正在讓這家老牌半導體巨頭奮起直追，全球半導體行業的格局也可能因此悄然變化。
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