近日，內地氮化鎵(GaN)芯片製造商英諾賽科據報正考慮最早今年來香港進行IPO，融資規模約3億美元。報道指英諾賽科正與中金公司、招銀國際就上市一事進行合作。
智通財經APP獲悉，有消息稱，內地氮化鎵(GaN)芯片製造商英諾賽科據報正考慮最早今年來香港進行IPO，融資規模約3億美元。報道指英諾賽科正與中金公司、招銀國際就上市一事進行合作。
英諾賽科，於2015年12月，設計、開發和製造涵蓋從低壓到高壓（30V-650V）面向各種應用的高性能、高可靠性的氮化鎵功率器件。目前，英諾賽科擁有兩座8英寸硅基氮化鎵生產基地，採用最先進的8英寸生產工藝，是全球產能最高的氮化鎵器件廠商。英諾賽科8英寸硅基氮化鎵的產能達到每月1.5萬片，並將逐漸擴大至每月7萬片以上。
據英諾賽科官網資料，其投資者包括招銀國際、韓企SK集團、Arm、寧德時代等世界級投資方。
根據天眼查資料顯示，英諾賽科其他投資者可能還包括東方國資、珠海高新投、華業天成資本、中平資本、國民創投、鈦信資本、永剛集團、毅達資本、仕富資本、中天匯富、盛裕資本、富坤創投、高鵬資本、金地投資、東科半導體、賽領資本、興湘集團、海富產業基金、海通創新證券、中國-比利時直接股權投資基金等。