薄膜鈮酸鋰調製器憑藉功耗/成本/性能等多個優勢，有望隨着速率升級，迎來份額明顯提升。
智通財經APP獲悉，國盛證券發佈研究報告稱，光模塊產業在AI拉動下有望迎來持續高增長。更快的產業升級速度對於光模塊廠商的交付能力，以及光模塊產品的成本/功耗都提出了更高要求，對於材料的要求也進一步提高。而薄膜鈮酸鋰調製器憑藉功耗/成本/性能等多個優勢，有望隨着速率升級，迎來份額明顯提升。此外薄膜鈮酸鋰調製器有望替代部分InP以及硅基SiPh市場份額，在未來1.6T/3.2T以上市場有望伴隨AI拉動，迎來高速發展期。
國盛證券觀點如下：
光模塊產業在AI拉動下有望迎來持續高增長。傳輸速率升級與代際提升進度明顯加快。更快的產業升級速度對於光模塊廠商的交付能力，以及光模塊產品的成本/功耗都提出了更高要求，對於材料的要求也進一步提高。
薄膜鈮酸鋰—“光學硅”。鈮酸鋰材料是可靠材料中電光係數最優的選擇(考慮居里點和電光係數)。薄膜工藝拉進電極距離，降低電壓提升帶寬電壓比。相比其他材料兼具大帶寬/低損耗/低驅動電壓等諸多光電最需要的優點。
AI時代，補足“通信牆”提高傳輸速率成爲重中之重。由於AI的拉動，網絡側的升級迭代速率有望顯著加速。原因有兩點：
1.算力芯片升級加速。AI需求可能因爲模型側升級和應用層推進迎來爆發奇點。同時“GPU—算力核心”的激烈競爭會進一步促進算力芯片的升級迭代。
2.算力集群運行，對通信傳輸的要求甚至更高於算力本身的增長。未來幾年，800G向1.6T/3.2T升級的進度有望明顯快於市場預期。
速率升級後材料特性差異體現明顯，薄膜鈮酸鋰有望實現份額躍升。當前800G主流方案包括DR8/SR8/2FR4等方案，無論單模或者多模，較多使用單通道100Gbps速率。而當切換到1.6/3.2T階段，有望向單波200/400G演進。TFLN(薄膜鈮酸鋰)的大帶寬優勢將更加突出。未來對於成本、功耗、性能等要求會越來越高，而薄膜鈮酸鋰調製器憑藉功耗/成本/性能等多個優勢，有望隨着速率升級，迎來份額明顯提升。
薄膜鈮酸鋰調製器市場空間廣闊，有望超過百億。相干光通信網絡不斷下沉，市場規模有望快速擴張。據CignalAI預測，2024年全球高速相干光調製器出貨量將達到200萬端口。按照每個端口平均需要1～1.5個調製器，若薄膜鈮酸鋰調製器體滲透率可達50%，對應的市場空間約82-110億元。
薄膜鈮酸鋰調製器有望替代部分InP以及硅基SiPh市場份額，在未來1.6T/3.2T以上市場有望伴隨AI拉動，迎來高速發展期。
技術工藝難度高，參與廠商有限，競爭格局可觀。鈮酸鋰調製器設計難度大，工藝複雜，技術門檻高，主要玩家包括日本的富士通(Fujitsu)和住友(Sumitomo)，美國Lumentum的鈮酸鋰調製器生產線(2019年由光庫科技收購)，以及國產優質廠商鈮奧光電、寧波元芯等。
投資建議：薄膜鈮酸鋰調製器：光庫科技(300620.SZ)等。TFLN薄膜鈮酸鋰方案光模塊廠商：中際旭創(300308.SZ)、新易盛(300502.SZ)、聯特科技(301205.SZ)、德科立(688205.SH)等。
風險提示：AI發展不及預期，算力需求不及預期，相關技術研發進度風險。