以3D Matrix 平台为基础，构建先进封装技术地基。公司现已具备由TSV、eSiFo、3D SiP 构成最新先进封装技术平台——3D Matrix。其中eSiFO 主要应用于Fan-out封装，其优势包括翘曲小、应力低带来高可靠性，生产周期短、高集成度。（1）eSiFO：通过在硅基板上刻蚀凹槽，将芯片正面向上放置且固定于凹槽内，芯片表面和硅圆片表面构成一个扇出面，在扇出面上进行多层布线，并制作引出端焊球，最后切割，分离、封装。通过eSiFO 技术可将多颗芯片集成在一起相比于传统封装整体封装尺寸大幅度缩减，芯片间互连更短，性能更强。在eSiFO 技术基础上，可以通过TSV、Bumping 等晶圆级封装技术，实现3D、SiP 封装，为多芯片异质异构集成提供可能性。（2）eSinC:在eSiFO 技术基础上，华天科技继续开发基于大空腔干法刻蚀、TSV 盲孔和临时键合技术的3D 扇出型晶圆级封装eSinC 技术，该技术采用TSV 通孔实现垂直方向互联提高互联密度和集成度。eSinC 技术可实现的封装尺寸最大可以达到40mmX40mm，倒装芯片bump/pitch 尺寸最小可以做到40μm/70μm，互联TSV 深宽比可以做到5:1，目前给客户出样的3D 堆叠封装共集成8 颗芯片，整体封装厚度小于1mm。该技术目标应用主要是Al、lOT、5G 和处理器等众多领域。与市面上现有3D 晶圆级扇出封装技术（如InFo-PoP）相比，eSinC 技术通过高密度via last TSV 实现3D 互联。相较于lnFO-PoP 的TMV技术，其互联密度更高，可以根据不同客户需求选择封装厚度。eSinC 最大优势在于用硅基取代塑封料。以硅基作为载体，其热膨胀系数、杨氏模量及热导率均优于塑封料，且硅载体与芯片材质相同，因此eSinC 的晶圆翘曲会明显小于InFo-PoP，且eSinC 产品的散热性能要明显好于InFo-PoP 产品；同时，由于使用硅基作为载体，兼容成熟的硅工艺，可以通过TSV 工艺实现高密度3D 互联，并通过硅刻蚀工艺制备出用于嵌入芯片的硅基凹槽结构，从而实现芯片3D 集成。在eSinC 晶圆上贴装芯片或两个eSinC 晶圆进行堆叠，则构成3D FO SiP 封装技术，可实现不同结构SiP 封装。事件點評
2023 年10 月27 日，公司發佈第三季度報告。公司三季度實現收入爲29.80 億，同比增長2.53%，前三季度累計實現收入爲80.68 億，同比下降11.60%。三季度歸母淨利潤爲人民幣0.20 億，同比下降89.49%，前三季度累計歸母淨利潤爲0.83 億。
積極推進先進封裝研發，不斷擴展車規級產品。2023 上半年，公司持續開展先進封裝技術研發工作，推進2.5D Interposer、UHDFO、FOPLP 等先進封裝技術研發，完成BDMP、HBPOP 等封裝技術開發和高散熱FCBGA（銦片）工藝開發，不斷拓展車規級產品類型。公司通過國內外多家汽車客戶VDA6.3 審核，使汽車電子產品規模進一步提升。持續開展產品良率提升工作，大力推進檢驗自動化，改善質量控制能力和檢驗效率，將「精益六西格瑪」管理方法推廣到供應鏈，集中力量突破重難點產品良率提升，提高客戶滿意度。2022 年公司導入客戶237 家，通過6家國內外汽車終端及汽車零部件企業審核，引入42 家汽車電子客戶，涉及202 個汽車電子項目。
以3D Matrix 平台爲基礎，構建先進封裝技術地基。公司現已具備由TSV、eSiFo、3D SiP 構成最新先進封裝技術平台——3D Matrix。其中eSiFO 主要應用於Fan-out封裝，其優勢包括翹曲小、應力低帶來高可靠性，生產週期短、高集成度。（1）eSiFO：通過在硅基板上刻蝕凹槽，將芯片正面向上放置且固定於凹槽內，芯片表面和硅圓片表面構成一個扇出面，在扇出面上進行多層佈線，並製作引出端焊球，最後切割，分離、封裝。通過eSiFO 技術可將多顆芯片集成在一起相比於傳統封裝整體封裝尺寸大幅度縮減，芯片間互連更短，性能更強。在eSiFO 技術基礎上，可以通過TSV、Bumping 等晶圓級封裝技術，實現3D、SiP 封裝，爲多芯片異質異構集成提供可能性。（2）eSinC:在eSiFO 技術基礎上，華天科技繼續開發基於大空腔幹法刻蝕、TSV 盲孔和臨時鍵合技術的3D 扇出型晶圓級封裝eSinC 技術，該技術採用TSV 通孔實現垂直方向互聯提高互聯密度和集成度。eSinC 技術可實現的封裝尺寸最大可以達到40mmX40mm，倒裝芯片bump/pitch 尺寸最小可以做到40μm/70μm，互聯TSV 深寬比可以做到5:1，目前給客戶出樣的3D 堆疊封裝共集成8 顆芯片，整體封裝厚度小於1mm。該技術目標應用主要是Al、lOT、5G 和處理器等衆多領域。與市面上現有3D 晶圓級扇出封裝技術（如InFo-PoP）相比，eSinC 技術通過高密度via last TSV 實現3D 互聯。相較於lnFO-PoP 的TMV技術，其互聯密度更高，可以根據不同客戶需求選擇封裝厚度。eSinC 最大優勢在於用硅基取代塑封料。以硅基作爲載體，其熱膨脹係數、楊氏模量及熱導率均優於塑封料，且硅載體與芯片材質相同，因此eSinC 的晶圓翹曲會明顯小於InFo-PoP，且eSinC 產品的散熱性能要明顯好於InFo-PoP 產品；同時，由於使用硅基作爲載體，兼容成熟的硅工藝，可以通過TSV 工藝實現高密度3D 互聯，並通過硅刻蝕工藝製備出用於嵌入芯片的硅基凹槽結構，從而實現芯片3D 集成。在eSinC 晶圓上貼裝芯片或兩個eSinC 晶圓進行堆疊，則構成3D FO SiP 封裝技術，可實現不同結構SiP 封裝。
積極推動生產基地建設進程，爲擴大產業規模提供發展空間。公司根據集成電路市場發展及客戶需求情況，推進募集資金投資項目及韶華科技等新生產基地建設。在募集資金投資項目方面，各募集資金投資項目順利實施，截至2022 年，已使用募集資金43.28 億元。在新生產基地建設方面，韶華科技已完成一期廠房及配套設施建設，並於2022 年8 月投產。截至2023 年上半年，華天江蘇、華天上海及Unisem Gopeng 正在進行廠房建設。上述項目和新生產基地的建設和投產，爲公司進一步擴大產業規模提供發展空間。
投資建議：我們預測公司2023 年至2025 年營業收入分別爲112.05/127.49/150.73億元，增速分別爲-5.9%/13.8%/18.2%；歸母淨利潤分別爲3.78/9.62/13.57 億元，增速分別-49.9%/154.7%/41.0%；對應PE 分別76.8/30.1/21.4。隨着人工智能發展對算力芯片需求加劇，有望帶動先進封裝需求，考慮到華天科技基於3D Matrix平台，通過集成硅基扇出封裝、bumping、TSV、C2W 及W2W 等技術，可實現多芯片高密度高可靠性3D 異質異構集成，故其在先進封裝領域市佔率有望持續增長，首次覆蓋，給予增持-A 建議。
風險提示：行業與市場波動風險；國際貿易摩擦風險；新技術、新工藝、新產品無法如期產業化風險；主要原材料供應及價格變動風險等。
