本报告导读：
预计5G 将极大拉动GaAs 衬底需求增长，InP 有望受益于光通讯快速放量，公司二代半导体产业链布局较早，放量确定性高，业绩反转在即。
投资要点：
首次覆盖给予增持评级。预计5G时代手机GaAs衬底需求将大幅增长，InP 有望受益于光通讯快速放量，公司两者皆有布局，发力二代半导体，长期拐点可期。预计公司2020-2022 年EPS 分别为每股0.03/0.12/0.23 元，综合PE 及PB 估值方法给予公司目标价13.8 元。对应2020~2022 年PE480/115/60 倍，当前空间38%，首次覆盖增持评级。
5G 时代手机GaAs 衬底需求将快速增长。相较一代半导体二代性能更为优异，相较三代半导体二代成本更占优势，5G 时代以GaAs 为代表的二代半导体材料或最先受益：预计5G 手机PA 数量增加、5G 渗透率提升及VCSEL 应用将大幅拉动GaAs 衬底需求。我们测算2025 年PA 用GaAs衬底需求将约200 万片（折合4 英寸），对应市场空间约200 亿元，5 年CAGR 约17.5%；VCSEL 用GaAs 衬底需求将约75 万片（折合4 英寸），对应市场空间11.2 亿元，5 年CAGR 约9.8%。而目前国内手机用GaAs渗透率（PA 及VCSEL）不足10%，进口替代空间巨大，以云锗为代表的国内相关企业有望率先受益。
InP 有望快速放量，订单确定性较高。InP 电子迁移率高，耐辐射性能好，禁带宽度大，在光通讯领域具备重要应用。公司15 万片单晶项目旨在光通讯，订单确定性高，盈利潜力良好，投产放量在即，有望助力公司业绩长期拐点来临。
催化剂：公司GaAs、InP 快速放量，5G 手机渗透率快速提升风险提示：5G 渗透不及预期的风险
本報告導讀：
預計5G 將極大拉動GaAs 襯底需求增長，InP 有望受益於光通訊快速放量，公司二代半導體產業鏈佈局較早，放量確定性高，業績反轉在即。
投資要點：
首次覆蓋給予增持評級。預計5G時代手機GaAs襯底需求將大幅增長，InP 有望受益於光通訊快速放量，公司兩者皆有佈局，發力二代半導體，長期拐點可期。預計公司2020-2022 年EPS 分別爲每股0.03/0.12/0.23 元，綜合PE 及PB 估值方法給予公司目標價13.8 元。對應2020~2022 年PE480/115/60 倍，當前空間38%，首次覆蓋增持評級。
5G 時代手機GaAs 襯底需求將快速增長。相較一代半導體二代性能更爲優異，相較三代半導體二代成本更佔優勢，5G 時代以GaAs 爲代表的二代半導體材料或最先受益：預計5G 手機PA 數量增加、5G 滲透率提升及VCSEL 應用將大幅拉動GaAs 襯底需求。我們測算2025 年PA 用GaAs襯底需求將約200 萬片（摺合4 英寸），對應市場空間約200 億元，5 年CAGR 約17.5%；VCSEL 用GaAs 襯底需求將約75 萬片（摺合4 英寸），對應市場空間11.2 億元，5 年CAGR 約9.8%。而目前國內手機用GaAs滲透率（PA 及VCSEL）不足10%，進口替代空間巨大，以雲鍺爲代表的國內相關企業有望率先受益。
InP 有望快速放量，訂單確定性較高。InP 電子遷移率高，耐輻射性能好，禁帶寬度大，在光通訊領域具備重要應用。公司15 萬片單晶項目旨在光通訊，訂單確定性高，盈利潛力良好，投產放量在即，有望助力公司業績長期拐點來臨。
催化劑：公司GaAs、InP 快速放量，5G 手機滲透率快速提升風險提示：5G 滲透不及預期的風險
