通過復盤光芯片巨頭II-VI，我們發現其爲材料、技術平台型企業，通過複用底層材料、技術和併購下游產品線實現對廣泛應用場景的覆蓋和自身價值量的提升。我們認爲，長光華芯有望實現相似的發展軌跡，以其全球領先的高功率激光芯片爲支點，通過在材料體系和工藝技術上長時間的積累形成的材料、技術平台，有望實現橫向的應用拓展和縱向的產品、產業鏈整合並快速發展。我們上調公司評級到“買入”，給予2023 年80x PE，對應目標價135 元。
國際視角：全球領先的光芯片企業都是平台型企業，II-VI 公司通過連續併購形成了自身的材料平台。縱觀II-VI/相干公司的發展歷史，因爲光產業技術、材料研發週期長，爲了在多路徑、複雜應用的市場中保持競爭力，公司通過不斷併購逐漸形成自身的材料平台，具備了從ZnS/ZnSe、SiC 到GaAs、InP 的材料基礎以及豐富晶圓以及外延生長技術和產線。隨後公司通過併購Finisar 和Coherent 完善了自身在光通信、激光領域的產品矩陣，形成覆蓋材料、組件、子系統、系統和服務的價值鏈，併爲下游的廣泛應用奠定了夯實的技術基礎，觸及了近650 億美元的市場。
建平台：高功率產品爲支點，底層技術爲基礎，人才爲核心，資本爲紐帶。在量產產品方面，長光華芯已做到全球最高功率，其單管和巴條產品在功率和效率上都處於全球領先。底層技術平台方面，長光華芯建成了全球唯二、國內唯一的6 吋高功率半導體激光芯片晶圓垂直整合生產線，並在芯片設計、關鍵設備、工藝技術和原材料方面實現自主可控。長光華芯也在按照II-VI 的路徑進行材料技術平台佈局，其具備國內首家IDM GaAs 芯片6 吋產線和3 吋InP 產線，正在開發的GaN 產品線有望在2 年內產生收入，同時在SiC 方面積極考慮佈局。從工藝上看，外延生長決定性能、Fab 決定功率天花板、這二者都需要長期工藝經驗積累，具備較高壁壘，併爲長光華芯向更大功率進發打下基礎。公司百餘名研發人員中有多位國家級技術專家人才及二十餘名博士，在本土半導體工藝人才不夠豐沛的前提下，團隊經多年培養而成，形成人才壁壘。
同時，公司通過投資、參股、籌備產業基金的形式藉助資本力量持續發展，並培育產業鏈土壤。
擴品類：橫向擴展三大芯片領域+縱向高功率垂直延伸一體化。參考國際廠商，具備技術平台後，因爲產品的底層技術複用性強，產品線的擴張成本將大幅降低。具體來說，半導體激光器底層多爲GaAs/InP/GaN 材料，工藝也多爲設計+外延生長+Fab 製造+封測，其中外延生長和Fab 製造能力有望完全複用，設計和封測環節則需進一步考慮應用產品的情況。對於長光華芯而言，在技術平台化後，根據不同的應用領域可以不斷橫向擴展芯片產品，從大功率市場走向小功率信號市場。同時，在GaN 平台開發完成後，可進入可見光激光市場及部分無線通信、電功率芯片市場；未來利用化合物半導體基礎將SiC 平台逐漸開發完成後，則可以進軍更大的電功率芯片市場，且能夠與大功率光芯片形成配合，打造成套方案。在優勢的高功率領域則可以深挖打通產業鏈，實現縱向延伸。如在相對早期的車載激光雷達市場從VCSEL 芯片延伸到模組；在技術難度較高且市場規模有限的大功率激光市場，佈局該產業鏈的封測環節，並延伸至器件、模組、甚至激光器整機等業務，並由此形成核心優勢競爭力切入特殊應用領域市場。
風險因素：1）主要客戶採購金額下降的風險。2）新技術滲透率提升速度不及預期的風險。3）市場競爭加劇導致盈利水平下降的風險。4）關鍵技術人員流失的風險。5）原料價格的波動風險。
盈利預測、估值與評級：高功率單管系列：我們認爲板塊營收的增長動能來自 將來在於公司產能擴張，以及下游大客戶銳科激光、創鑫激光等加大對公司產品採購力度。高功率巴條系列：主要面向科研及特殊領域，我們認爲板塊營收有望較快成長。VCSEL 系列當前收入體量較小，有望隨着下游消費電子、車載激光雷達中VCSEL 的滲透率提升而快速放量。基於以上假設，並結合公司2022 年業績快報與工業激光器行業景氣度情況，我們給予公司2022~2024 年營業收入預測分別爲3.86/6.74/10.55 億元， 歸母淨利潤預測分別爲1.25/2.26/3.42 億元，對應EPS 預測分別爲0.92/1.67/2.52 元（原預測爲0.99/1.73/2.72 元）。結合可比公司三安光電（化合物半導體IDM）、炬光科技（激光器/光學元件）、賽微電子（激光雷達MEMS + GaN 外延生長/器件設計）、思瑞浦（芯片國產替代）的估值水平（2023 年Wind 一致預測PE 平均值爲80 倍），給予2023 年80xPE，對應目標價135 元，將公司上調到“買入”評級。