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台积电2纳米制程技术细节出炉 性能跃升15% 功耗降低30%

台積電2納米制程技術細節出爐 性能躍升15% 功耗降低30%

快訊 ·  12/17 14:55

《科創板日報》17日訊,在舊金山舉行的IEEE國際電子器件會議 (IEDM) 上,全球晶圓代工巨頭台積電公佈了其備受矚目的2納米(N2)製程技術的更多細節。據介紹,相較於前代製程,N2製程在性能上提升了15%,功耗降低了高達30%,能效顯著提升。此外,得益於環繞式柵極(GAA)納米片晶體管和N2 NanoFlex技術的應用,晶體管密度也提高了1.15倍。N2 NanoFlex技術允許製造商在最小的面積內集成不同的邏輯單元,進一步優化了製程的性能。據悉,N2製程晶圓的價格將比3納米制程高出10%以上。

譯文內容由第三人軟體翻譯。


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