英特爾：芯片互連取得突破性進展，線間電容降低25%

快訊 · 12/12 12:31

近日，英特爾代工宣佈芯片內互聯技術取得重大突破，通過公司最新的減成法釕互連技術（subtractive Ruthenium）最高可將線間電容降低25%，有效改善了芯片內互連。據介紹，減成法釕互連技術通過採用釕這一新型、關鍵、替代性的金屬化材料，利用薄膜電阻率（thin film resistivity）和空氣間隙（airgap），實現了在互連微縮方面的重大進步。該工藝無需通孔周圍昂貴的光刻空氣間隙區域（lithographic airgap exclusion zone），也可以避免使用選擇性蝕刻的自對準通孔（self-aligned via）。在間距小於或等於 25 納米時，採用減成法釕互連技術實現的空氣間隙使線間電容最高降低 25%，可作爲一種金屬化方案在緊密間距層中替代銅鑲嵌工藝。據悉，這一解決方案有望在英特爾代工的未來製程節點中得以應用。（新浪科技）

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