三星電子預計將在下週宣佈大規模生產3納米芯片,下一代3納米芯片將建立在Gate-All-Around(GAA)技術之上。三星稱,與現有的FinFET工藝相比,該技術將使芯片面積減少45%,同時性能提高30%,功耗降低50%。
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